ZHCSX84A October 2024 – March 2025 DRV8376
PRODUCTION DATA
该器件针对 MOSFET 的任何跨导提供全面保护。在半桥配置中,通过插入死区时间 (tdead) 来维持高侧和低侧 MOSFET 的运行,从而避免任何击穿电流。这是通过检测高侧和低侧 MOSFET 的栅源电压 (VGS) 并保持高侧 MOSFET 的 VGS 已达到低于关断电平,然后再打开同一半桥的低侧 MOSFET 来实现的,如图 7-12 和图 7-13 所示。