ZHCSZ02 October 2025 DRV7167
ADVANCE INFORMATION
图 8-3 和图 8-4 的横截面中所示的布局显示了器件相对于敏感无源器件(如 VM、自举电容器(HS 和 BOOT)以及 GVDD 电容器)的建议布局。在布局中应留出适当的间距,以减小爬电距离,并根据应用污染级别满足间隙要求。由于污染可忽略,内层(如果存在)的间隔可以更紧密。
布局的设计必须尽可能减小 OUT 节点的电容。使用尽可能小的覆铜面积将器件 OUT 引脚连接到电感器、变压器或其他输出负载。此外,还要确保接地平面或任何其他铜平面具有切口,以免与 OUT 节点重叠,因为这将有效地在印刷电路板上形成电容器。该节点上的额外电容会降低 DRV7167A 先进封装技术的优势,并可能导致性能下降。