ZHCSZ02 October 2025 DRV7167
ADVANCE INFORMATION
DRV7167A 的建议偏置电源电压范围为 4.5V 至 5.5V。请注意,低侧 GaN FET 的栅极电压未在内部钳位。因此,务必要将 GVDD 辅助电源保持在建议的工作范围内,以防超过低侧 GaN 晶体管栅极击穿电压。
UVLO 保护功能还涉及迟滞功能。这意味着,如果器件在正常模式下运行,即使 GVDD 电压下降,只要压降不超过迟滞规格 VGVDD(hyst),器件就会继续在正常模式下运行。如果压降超过迟滞规格,器件将关断。因此,在 4.5V 或接近 4.5V 范围内运行时,辅助电源输出端的电压纹波必须小于 DRV7167A 的迟滞规格,以免触发器件关断。
在 GVDD 和 AGND 引脚之间放置本地旁路电容器。该电容器必须尽可能靠近器件。建议使用低 ESR 的陶瓷表面贴装电容器。TI 建议在 GVDD 和 AGND 之间使用 2 个电容器:一个是用于高频滤波的 100nF 陶瓷表面贴装电容器,放置在非常靠近 GVDD 和 AGND 引脚的位置,另一个是用于满足 IC 偏置要求的 1μF 至 10μF 表面贴装电容器。