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DRV7167

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100V 70A 半桥 GaN 电机驱动器功率级

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产品详情

Rating Catalog Architecture Half-bridge, Integrated FET Peak output current (A) 100 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 4400 VDS (max) (V) 120 Features Integrated FET Operating temperature range (°C) -40 to 175
Rating Catalog Architecture Half-bridge, Integrated FET Peak output current (A) 100 RDS(ON) (HS + LS) (mΩ) 4400 VDS (max) (V) 120 Features Integrated FET Operating temperature range (°C) -40 to 175
VQFN-FCRLF (VBN) 18 31.5 mm² 7 x 4.5
  • 具有集成驱动器、支持 48V 系统的 100V 半桥 GaN 电机驱动器功率级
  • 低 GaN 导通状态电阻
    • TA=25°C 时，RDS(ON) 为 2.2mΩ（每个 FET）
  • 实现高效、高密度的功率转换
    • 高输出电流能力：70Arms、250A（脉冲式，300µs）
    • 支持高达 500kHz 的 PWM 开关频率
    • 出色的传播延迟（典型值 20ns）和匹配（典型值 2ns）
    • 两个 FET 的导通和关断压摆率控制
    • 用于优化软开关应用中死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告
    • IO 数量受限的控制器的单 PWM 输入选项
  • 5V 外部辅助电源
    • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 集成式保护功能
    • 独立输入模式 (IIM) 下的短路保护
    • 内部自举电源电压调节，可防止 GaN FET 过驱动
    • 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
    • 过热、欠压和短路事件的故障指示
    • 电源轨欠压锁定保护
  • 封装经过优化，便于 PCB 布局
    • 外露式顶部 QFN 封装，实现顶面散热
    • 大型 GND 焊盘实现底面散热
  • 具有集成驱动器、支持 48V 系统的 100V 半桥 GaN 电机驱动器功率级
  • 低 GaN 导通状态电阻
    • TA=25°C 时，RDS(ON) 为 2.2mΩ（每个 FET）
  • 实现高效、高密度的功率转换
    • 高输出电流能力：70Arms、250A（脉冲式，300µs）
    • 支持高达 500kHz 的 PWM 开关频率
    • 出色的传播延迟（典型值 20ns）和匹配（典型值 2ns）
    • 两个 FET 的导通和关断压摆率控制
    • 用于优化软开关应用中死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告
    • IO 数量受限的控制器的单 PWM 输入选项
  • 5V 外部辅助电源
    • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 集成式保护功能
    • 独立输入模式 (IIM) 下的短路保护
    • 内部自举电源电压调节，可防止 GaN FET 过驱动
    • 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
    • 过热、欠压和短路事件的故障指示
    • 电源轨欠压锁定保护
  • 封装经过优化，便于 PCB 布局
    • 外露式顶部 QFN 封装，实现顶面散热
    • 大型 GND 焊盘实现底面散热

DRV7167A 是一款 100V 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 100V GaN FET，它们采用半桥配置并由一个高频 GaN FET 驱动器驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。DRV7167A 采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

无论 GVDD 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压调节技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全工作范围内。该器件支持两个 FET 的导通和关断压摆率控制、与 IO 数量受限的控制器配合使用的单 PWM 模式、短路保护 (SCP)、过热检测 (OTD) 以及尽可能缩短第三象限导通时间的零电压检测 (ZVD) 报告。

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。

DRV7167A 是一款 100V 半桥功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 100V GaN FET，它们采用半桥配置并由一个高频 GaN FET 驱动器驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势极为显著，因为它们的反向恢复为零，而且输入电容 CISS 和输出电容 COSS 都非常小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。DRV7167A 采用 7.0mm × 4.5mm × 0.89mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

无论 GVDD 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有的自举电压调节技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全工作范围内。该器件支持两个 FET 的导通和关断压摆率控制、与 IO 数量受限的控制器配合使用的单 PWM 模式、短路保护 (SCP)、过热检测 (OTD) 以及尽可能缩短第三象限导通时间的零电压检测 (ZVD) 报告。

该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频、高效运行的应用来说，该器件是理想的解决方案。
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* 数据表 DRV7167A 100V 、 70A 半桥 GaN 电机驱动器功率级 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2025年 10月 2日
应用手册 所选封装材料的热学和电学性质 2008年 10月 16日

设计和开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

参考设计

TIDA-010979 — 具有工业通信功能的 48v 1kw 机器人关节联合电机控制参考设计

该参考设计采用 TI Sitara™ MCU-AM261x 器件，用于处理基于工业以太网连接的电机驱动器。该设计使用直径为 70mm 的印刷电路板 (PCB) 来驱动人形机器人关节（48V、1kW Eyoubot 电机）。该设计展现了一种外形小巧、简化的集成式平台。该平台包括一个使用三个 DRV7167 半桥 GaN-FET 的高功率密度功率级和一个使用 AM2612 500MHz R5F 核心 MCU 和 AMC0106 功能隔离式 Δ-Σ 调制器的精确实时控制级，通过工业以太网进行高带宽通信。该设计已通过所有功能测试。目前正在进行系统测试。软件和完整设计指南将于近期发布。
设计指南: PDF
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN-FCRLF (VBN) 18 Ultra Librarian
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订购和质量

包含信息：
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息：
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

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支持和培训

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