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Gallium nitride (GaN) motor drivers
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DRV7167

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100V 70A 半桥 GaN 电机驱动器功率级

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产品详情

Rating Catalog Architecture Half-bridge, Integrated FET Peak output current (A) 100 RDS(ON) (HS + LS) (Ω) 0.0022 VDS (max) (V) 120 Features Integrated GaN FET Operating temperature range (°C) -40 to 175
Rating Catalog Architecture Half-bridge, Integrated FET Peak output current (A) 100 RDS(ON) (HS + LS) (Ω) 0.0022 VDS (max) (V) 120 Features Integrated GaN FET Operating temperature range (°C) -40 to 175
VQFN-FCRLF (VBN) 18 31.5 mm² (7 mm × 4.5 mm)
  • 具有集成驱动器、支持 48V 系统的 100V 半桥 GaN 电机驱动器功率级
  • 低 GaN 导通状态电阻
    • TA=25°C 时，RDS(ON) 为 2.2mΩ（每个 FET）
  • 实现高效、高密度的功率转换
    • 高输出电流能力： 60Arms
    • 支持高达 500kHz 的 PWM 开关频率
    • 超低传播延迟（典型值 20ns）和失配（典型值 2ns）
    • GaN FET 的可配置压摆率
    • 用于优化死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告。
    • 独立输入模式 (IIM) 控制
    • 单路 PWM 输入，电阻可编程死区时间，适配 IO 受限的控制器
  • 5V 外部辅助电源
    • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 强大的保护
    • 独立输入模式 (IIM) 下的互锁保护
    • 内部自举电源电压调节，可防止 GaN FET 过驱动
    • 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
    • 过热、欠压和短路事件的故障指示
  • 寄生优化 QFN 封装，顶部设有外露焊盘，支持顶面散热。
  • 具有集成驱动器、支持 48V 系统的 100V 半桥 GaN 电机驱动器功率级
  • 低 GaN 导通状态电阻
    • TA=25°C 时，RDS(ON) 为 2.2mΩ（每个 FET）
  • 实现高效、高密度的功率转换
    • 高输出电流能力： 60Arms
    • 支持高达 500kHz 的 PWM 开关频率
    • 超低传播延迟（典型值 20ns）和失配（典型值 2ns）
    • GaN FET 的可配置压摆率
    • 用于优化死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告。
    • 独立输入模式 (IIM) 控制
    • 单路 PWM 输入，电阻可编程死区时间，适配 IO 受限的控制器
  • 5V 外部辅助电源
    • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 强大的保护
    • 独立输入模式 (IIM) 下的互锁保护
    • 内部自举电源电压调节，可防止 GaN FET 过驱动
    • 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
    • 过热、欠压和短路事件的故障指示
  • 寄生优化 QFN 封装，顶部设有外露焊盘，支持顶面散热。

DRV7167A 器件是一个 100V 半桥功率级系列，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件由采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器构成，可驱动两个 100V GaN FET。

由于 GaN FET 的反向恢复为零，而且输入电容 (CISS) 和输出电容 (COSS) 都极小，所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，最大限度减少封装寄生元件，便于在 PCB 板上安装使用。

无论 GVDD 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有自举电压调节技术可将增强模式 GaN FET 的栅极电压调控至安全工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频率、高效率运行的应用，该器件是理想之选。

DRV7167A 器件是一个 100V 半桥功率级系列，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件由采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器构成，可驱动两个 100V GaN FET。

由于 GaN FET 的反向恢复为零，而且输入电容 (CISS) 和输出电容 (COSS) 都极小，所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，最大限度减少封装寄生元件，便于在 PCB 板上安装使用。

无论 GVDD 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有自举电压调节技术可将增强模式 GaN FET 的栅极电压调控至安全工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频率、高效率运行的应用，该器件是理想之选。
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* 数据表 DRV7167A 100V、60A 半桥 GaN 电机驱动器功率级 PDF | HTML PDF | HTML 2026-7-24
应用简报 类人机器人中的电机控制 PDF | HTML PDF | HTML 2026-6-22

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

参考设计

TIDA-010979 — 具有工业通信功能的 48v 1kw 机器人关节联合电机控制参考设计

该参考设计采用 TI Sitara™ MCU- AM261x 器件，用于处理基于工业以太网连接的电机驱动器。该设计使用直径为 70mm 的印刷电路板 (PCB) 来驱动人形机器人关节（48V、1kW Eyoubot 电机）。该设计展现了一种外形小巧、简化的集成式平台。该平台包括一个使用三个 DRV7167 半桥 GaN 电机驱动器功率级的高功率密度段、一个使用 AM2612 500MHz R5F 核心 MCU 和 AMC0106 功能隔离式 Δ-Σ 调制器的精确实时控制级，以及通过工业以太网进行高带宽通信。

支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
VQFN-FCRLF (VBN) 18 Ultra Librarian
适用于评估类项目的 TI 标准条款与条件。

订购和质量

支持和培训

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