ZHCSE99B October   2015  – October 2025 DRV425

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 磁通门传感器前端
        1. 6.3.1.1 磁通门传感器
        2. 6.3.1.2 带宽
        3. 6.3.1.3 用于内部补偿线圈的差分驱动器
        4. 6.3.1.4 磁场范围、超范围指示器和错误标志
      2. 6.3.2 分流检测放大器
      3. 6.3.3 电压基准
      4. 6.3.4 低功耗操作
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 线性位置检测
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 母线电流检测
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
        3. 7.2.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 电源去耦
      2. 7.3.2 上电启动和欠压
      3. 7.3.3 功率耗散
        1. 7.3.3.1 散热焊盘
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 接收文档更新通知
    5. 8.5 支持资源
    6. 8.6 商标
    7. 8.7 静电放电警告
    8. 8.8 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

3 说明

DRV425 专为单轴磁场检测应用而设计，实现了电隔离式、高灵敏度、精确直流和交流磁场测量。该器件具有独特的和专有的集成式磁通门传感器 (IFG)，带有内部补偿线圈，支持 ±2 mT 的高精度检测范围，测量带宽高达 47 kHz。传感器的低失调、失调漂移和噪声特性，结合内部补偿线圈提供的精密增益、低增益漂移和较低非线性度，造就了无与伦比的磁场测量精度。DRV425 的输出是与检测到的磁场成正比的模拟信号。

该器件提供包括内部差分放大器、片上精密基准和诊断功能在内的一整套特性，旨在最大限度减少元件数量并降低系统级成本。

该器件采用热增强型、非磁性、薄型 WQFN 封装，具有热耗散性能经优化的散热焊盘，其额定工业工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。

封装信息
器件型号封装(1)封装尺寸(2)
DRV425RTJ（WQFN，20）4.00mm × 4.00mm
(1) 有关更多信息，请参阅 节 10。
(2) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
DRV425 简化版原理图 简化版原理图