DRV425
- 高精度、集成式磁通门传感器:
- 失调电压:±8µT(最大值)
- 失调漂移:±5nT/°C(典型值)
- 增益误差:0.04%(典型值)
- 增益漂移:±7ppm/°C(典型值)
- 线性:±0.1%
- 噪声:1.5nT/√Hz(典型值)
- 传感器范围:±2mT(最大值)
- 可通过外部电阻器调节范围和增益
- 可选带宽:47kHz 或 32kHz
- 精密基准:
- 精度:2%(最大值),漂移:50ppm/°C(最大值)
- 引脚可选电压:2.5V 或 1.65V
- 可选比率模式:VDD/2
- 诊断特性:超范围和错误标志
- 电源电压范围:3.0V 至 5.5V
DRV425 专为单轴磁场检测应用而设计,实现了电隔离式、高灵敏度、精确直流和交流磁场测量。该器件具有独特的和专有的集成式磁通门传感器 (IFG),带有内部补偿线圈,支持 ±2 mT 的高精度检测范围,测量带宽高达 47 kHz。传感器的低失调、失调漂移和噪声特性,结合内部补偿线圈提供的精密增益、低增益漂移和较低非线性度,造就了无与伦比的磁场测量精度。DRV425 的输出是与检测到的磁场成正比的模拟信号。
该器件提供包括内部差分放大器、片上精密基准和诊断功能在内的一整套特性,旨在最大限度减少元件数量并降低系统级成本。
该器件采用热增强型、非磁性、薄型 WQFN 封装,具有热耗散性能经优化的散热焊盘,其额定工业工作温度范围为 –40°C 至 +125°C。
技术文档
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | 数据表 | DRV425 磁通门磁场传感器 数据表 (Rev. B) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2025年 11月 11日 |
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| 技术文章 | Addressing high-voltage current-sensing design challenges in HEV/EVs | PDF | HTML | 2019年 11月 4日 | |||
| 技术文章 | Current sensing in battery management systems | PDF | HTML | 2019年 5月 30日 | |||
| 应用简报 | Fluxgate for Motor Diagnostics | 2017年 12月 21日 | ||||
| 白皮书 | Achieve greater precision, reliability with magnetic sensing technology | 2017年 6月 26日 | ||||
| 应用简报 | 双DRV425 汇流条应用的设计注意事项 | 英语版 | 2017年 5月 2日 | |||
| 应用手册 | Bus Bar Theory of Operation | 2016年 11月 8日 | ||||
| 应用手册 | 所选封装材料的热学和电学性质 | 2008年 10月 16日 |
设计和开发
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评估板
DRV425-BUSBAR-EVM — 使用开环磁通门传感器的 ±100A 汇流条电流传感器参考设计评估组件
DRV425-BUSBAR-EVM 是一个完整的汇流条组件,其为一款高达 ±100A 的非侵入式(隔离式)电流测量解决方案。 该组件包括带有圆形切口的汇流条、插件、PCB、隔离支架、接线端子和接口线缆组件,开箱即可实现大电流测量。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WQFN (RTJ) | 20 | Ultra Librarian |
订购和质量
包含信息:
- RoHS
- REACH
- 器件标识
- 引脚镀层/焊球材料
- MSL 等级/回流焊峰值温度
- MTBF/时基故障估算
- 材料成分
- 鉴定摘要
- 持续可靠性监测
包含信息:
- 制造厂地点
- 封装厂地点
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