ZHCSE99B October   2015  – October 2025 DRV425

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 磁通门传感器前端
        1. 6.3.1.1 磁通门传感器
        2. 6.3.1.2 带宽
        3. 6.3.1.3 用于内部补偿线圈的差分驱动器
        4. 6.3.1.4 磁场范围、超范围指示器和错误标志
      2. 6.3.2 分流检测放大器
      3. 6.3.3 电压基准
      4. 6.3.4 低功耗操作
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 线性位置检测
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 母线电流检测
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
        3. 7.2.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 电源去耦
      2. 7.3.2 上电启动和欠压
      3. 7.3.3 功率耗散
        1. 7.3.3.1 散热焊盘
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 接收文档更新通知
    5. 8.5 支持资源
    6. 8.6 商标
    7. 8.7 静电放电警告
    8. 8.8 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.1 概述

磁传感器广泛用于位置、间接交流和直流电流或扭矩测量等各种应用。  霍尔效应传感器最常用于磁场检测，但偏移、噪声、增益变化和非线性度会限制系统可达到的分辨率和精度。磁通门传感器提供显著增强的灵敏度、更低的漂移、更低的噪声和高线性度，并使测量精度提高达 1000 倍。

如功能方框图一节所示，DRV425 包含一个磁通门传感器并带有必要的传感器调节和补偿线圈，可在内部闭合控制回路。磁通门传感器受到反复驱动，不断进入和退出饱和状态，它支持无迟滞运行且精度极高。内部补偿线圈提供稳定增益和高线性度。

DRV425 中的内部磁通门传感器检测到磁场 B。该器件集成了传感器输出以提供高环路增益。积分器输出连接到内置差分驱动器，该驱动器驱动反向补偿电流通过内部补偿线圈。补偿线圈产生反向磁场，使传感器上的原始磁场恢复为零。

补偿电流与外部磁场成正比，值为 12.2mA /mT。该补偿电流会在外部分流电阻器 RSHUNT 上产生压降。具有 4V/V 固定增益的集成式差分放大器测量该电压并生成以 REFIN 为基准且和磁场成正比的输出电压。VOUT 引脚上的输出电压值 (VOUT) 使用方程式 1 计算：

方程式 1. VVOUT [V] = B × G × RSHUNT × GAMP = B [mT] × 12.2mA/mT × RSHUNT [Ω] × 4 [V/V]