ZHCSE99B October   2015  – October 2025 DRV425

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 磁通门传感器前端
        1. 6.3.1.1 磁通门传感器
        2. 6.3.1.2 带宽
        3. 6.3.1.3 用于内部补偿线圈的差分驱动器
        4. 6.3.1.4 磁场范围、超范围指示器和错误标志
      2. 6.3.2 分流检测放大器
      3. 6.3.3 电压基准
      4. 6.3.4 低功耗操作
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 线性位置检测
        1. 7.2.1.1 设计要求
        2. 7.2.1.2 详细设计过程
        3. 7.2.1.3 应用曲线
      2. 7.2.2 母线电流检测
        1. 7.2.2.1 设计要求
        2. 7.2.2.2 详细设计过程
        3. 7.2.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
      1. 7.3.1 电源去耦
      2. 7.3.2 上电启动和欠压
      3. 7.3.3 功率耗散
        1. 7.3.3.1 散热焊盘
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 接收文档更新通知
    5. 8.5 支持资源
    6. 8.6 商标
    7. 8.7 静电放电警告
    8. 8.8 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5.5 电气特性

所有最小值和最大值规格的条件为 TA = 25°C、VDD = 3.0V 至 5.5V 且 IDRV1 = IDRV2 = 0mA（除非另有说明）；典型值的条件为 VDD = 5.0V。
参数测试条件最小值典型值最大值单位
磁通门传感器前端
偏移没有磁场-8±28µT
偏移漂移没有磁场±5nT/°C
G增益DRV1 和 DRV2 输出端的电流12.2mA/mT
增益误差±0.04%
增益漂移最佳拟合线法±7ppm/°C
线性误差0.1%
迟滞磁场扫描范围为 –10mT 至 10mT1.4µT
噪声f = 0.1Hz 至 10Hz17nTrms
噪声密度f = 1kHz1.5nT/√ Hz
补偿范围-22mT
ERROR 引脚的饱和
触发电平(2)		开环、未补偿磁场1.6mT
ERROR 延迟B > 1.6mT 处的开环4 至 6µs
BW带宽BSEL = 0、RSHUNT = 22Ω32kHz
BSEL = 1、RSHUNT = 22Ω47
IOS短路电流VDD = 5V250mA
VDD = 3.3V150
DRV1 和 DRV2 引脚上的共模输出电压VREFOUTV
补偿线圈电阻100Ω
分流检测放大器
VOO输出失调电压VAINP = VAINN = VREFIN、VDD = 3.0V-0.075±0.010.075mV
输出端失调电压漂移-2±0.42µV/°C
CMRR共模抑制比，RTO(1)VCM = –1V 至 VDD + 1V、VREFIN = VDD/2-250±50250µV/V
PSRRAMP电源抑制比 (RTO)(1)VDD = 3.0V 至 5.5V、VCM = VREFIN-86±486µV/V
VICR共模输入电压范围-1VDD + 1V
zid差分输入阻抗16.52023.5kΩ
zic共模输入阻抗405060kΩ
Gnom标称增益VVOUT/(VAINP – VAINN)4V/V
EG增益误差-0.3%±0.02%0.3%
增益误差漂移-5±15ppm/°C
线性误差12ppm
相对于负电源轨的电压输出摆幅（OR 引脚触发电平）(2)VDD = 5.5V、IVOUT = 2.5mA4885mV
VDD = 3.0V、IVOUT = 2.5mA56100
相对于正电源轨的电压输出摆幅（OR 引脚触发电平）(2)VDD = 5.5V、IVOUT = -2.5mAVDD – 85VDD – 48mV
VDD = 3.0V、IVOUT = -2.5mAVDD – 100VDD – 56
信号超范围指示延迟
（OR 引脚）(2)		VIN = 1V 阶跃2.5 至 3.5µs
IOS短路电流VOUT 连接至 GND-18mA
VOUT 连接至 VDD20
BW–3dB带宽2MHz
SR压摆率6.5V/µs
tsa趋稳时间大信号ΔV = ±2V 至 1%，无外部滤波器0.9µs
小信号ΔV = ±0.4V 至 0.01%8
en输出电压噪声密度f = 1kHz，已禁用补偿回路170nV/√Hz
VREFINREFIN 引脚上的输入电压范围REFIN 引脚上的输入电压范围GNDVDDV
电压基准
VREFOUTREFOUT 引脚上的基准输出电压RSEL[1:0] = 00，空载2.452.52.55V
RSEL[1:0] = 01，空载1.61.651.7
RSEL[1:0] = 1x，空载455055VDD 百分比
基准输出电压漂移RSEL[1:0] = 0x-50±1050ppm/°C
分压器增益误差漂移RSEL[1:0] = 1x-50±1050ppm/°C
PSRRREF电源抑制比RSEL[1:0] = 0x-300±15300µV/V
ΔVO(ΔIO)负载调整RSEL[1:0] = 0x、负载连接到 GND 或 VDD、
ΔILOAD = 0mA 至 5mA、TA = –40°C 至 +125°C		0.150.35mV/mA
RSEL[1:0] = 1x、负载连接到 GND 或 VDD、
ΔILOAD = 0mA 至 5mA、TA = –40°C 至 +125°C		0.30.8
IOS短路电流REFOUT 连接至 VDD20mA
REFOUT 连接至 GND-18mA
数字输入/输出 (CMOS)
IIL输入漏电流0.01µA
VIH高电平输入电压TA = -40°C 至 +125°C0.7 × VDDVDD + 0.3V
VIL低电平输入电压TA = -40°C 至 +125°C-0.30.3 × VDDV
VOH高电平输出电压开漏输出通过外部上拉电阻器设置V
VOL低电平输出电压4mA 吸收电流0.3V
电源
IQ静态电流IDRV1/2 = 0mA、3.0V ≤ VDD ≤ 3.6V、
TA = –40°C 至 +125°C		68mA
IDRV1/2 = 0mA、4.5V ≤ VDD ≤ 5.5V、
TA = –40°C 至 +125°C		710
VPOR上电复位阈值2.4V
(1) 参数值以输出为基准 (RTO)。
(2) 有关 ERROR 和 OR 输出行为的详细信息，请参阅磁场范围、超范围指示器和错误标志一节。