ZHCSJ67B December   2018  – January 2025 DP83825I

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
    1.     DP83825I 引脚功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 时序要求
    7. 5.7 时序图
    8. 5.8 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  自动协商(速度/双工选择)
      2. 6.3.2  自动 MDIX 分辨率
      3. 6.3.3  节能以太网
        1. 6.3.3.1 EEE 概述
        2. 6.3.3.2 EEE 协商
      4. 6.3.4  旧 MAC 的 EEE 不支持 802.3az
      5. 6.3.5  局域网唤醒数据包检测
        1. 6.3.5.1 魔术包结构
        2. 6.3.5.2 魔术包示例
        3. 6.3.5.3 局域网唤醒配置和状态
      6. 6.3.6  低功耗模式
        1. 6.3.6.1 主动睡眠
      7. 6.3.7  IEEE 断电
      8. 6.3.8  深度断电
      9. 6.3.9  简化媒体独立接口 (RMII)
      10. 6.3.10 RMII 中继器模式
      11. 6.3.11 串行管理接口
        1. 6.3.11.1 扩展寄存器空间访问
        2. 6.3.11.2 读取操作
        3. 6.3.11.3 写入操作
      12. 6.3.12 100BASE-TX
        1. 6.3.12.1 100BASE-TX 变送器
          1. 6.3.12.1.1 代码组编码和注入
          2. 6.3.12.1.2 扰频器
          3. 6.3.12.1.3 NRZ 到 NRZI 编码器
          4. 6.3.12.1.4 二进制到 MLT-3 转换器
        2. 6.3.12.2 100BASE-TX 接收器
      13. 6.3.13 10BASE-Te
        1. 6.3.13.1 静噪
        2. 6.3.13.2 正常链路脉冲检测和生成
        3. 6.3.13.3 Jabber
        4. 6.3.13.4 工作链路链极性检测和校正
      14. 6.3.14 环回模式
        1. 6.3.14.1 MII 环回
        2. 6.3.14.2 PCS 环回
        3. 6.3.14.3 数字环回
        4. 6.3.14.4 模拟环回
        5. 6.3.14.5 反向环回
      15. 6.3.15 BIST 配置
      16. 6.3.16 电缆诊断
        1. 6.3.16.1 TDR
        2. 6.3.16.2 快速链路丢弃功能
    4. 6.4 器件功能模式
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 Strap 配置
        1. 6.5.1.1 PHY 地址配置 (strap)
    6. 6.6 器件寄存器
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
        1. 7.2.1.1 时钟要求
          1. 7.2.1.1.1 振荡器
          2. 7.2.1.1.2 晶体
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 RMII 布局指南
        2. 7.2.2.2 MDI 布局指南
        3. 7.2.2.3 TPI 网络电路
        4. 7.2.2.4 VOD 配置
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
        1. 7.4.1.1 信号布线
        2. 7.4.1.2 返回路径
        3. 7.4.1.3 变压器布局
          1. 7.4.1.3.1 变压器推荐
        4. 7.4.1.4 电容直流阻断
        5. 7.4.1.5 金属浇注
        6. 7.4.1.6 PCB 层堆叠
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 接收文档更新通知
    2. 8.2 支持资源
    3. 8.3 商标
    4. 8.4 静电放电警告
    5. 8.5 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

电气特性

在自然通风条件下的工作温度范围内并且 VDDA = 3.3V 的条件下测得(除非另有说明)(1)
参数测试条件最小值典型值最大值单位
IEEE Tx 一致性 (100BaseTx)
差分输出电压100 Base Tx 空闲传输1.0V
IEEE Tx 一致性 (10BaseTe)
差分电压10BaseTe 数据传输1.75V
功耗(功耗优化模式)
I(AVDD3V3)RMII 主模式 (100BaseTx) 流量 = 50% 的37.5mA
I(AVDD3V3)RMII 从模式 (100BaseTx)流量 = 50% 的37.5mA
I(VDDIO=3V3)RMII 主模式 (100BaseTx)流量 = 50% 的7.5mA
I(VDDIO=3V3)RMII 从模式 (100BaseTx)流量 = 50% 的3.5mA
I(VDDIO=1V8)RMII 主模式 (100BaseTx) 流量 = 50% 的4.5mA
I(VDDIO=1V8)RMII 从模式 (100BaseTx) 流量 = 50% 的1.6mA
功耗(电缆长度优化模式)
I(AVDD3V3)RMII 主模式 (100BaseTx)流量 = 50%41mA
I(AVDD3V3)RMII 主模式 (100BaseTx) 流量 = 100%4150mA
I(AVDD3V3)RMII 主模式 (10BaseTe)流量 = 50%28mA
I(AVDD3V3)RMII 主模式 (10BaseTe)流量 = 100%3240mA
I(AVDD3V3)RMII 从模式 (100BaseTx) 流量 = 50%4150mA
I(AVDD3V3)RMII 从模式 (100BaseTx) 流量 = 100%4150mA
I(AVDD3V3)RMII 从模式 (10BaseTe) 流量 = 50%28mA
I(AVDD3V3)RMII 从模式 (10BaseTe) 流量 = 100%3240mA
I(VDDIO=3V3)RMII 主模式 (100BaseTx) 流量 = 50%7.5mA
I(VDDIO=3V3)RMII 主模式 (100BaseTx) 流量 = 100%1014mA
I(VDDIO=3V3)RMII 主模式 (10BaseTe) 流量 = 50%6.5mA
I(VDDIO=3V3)RMII 主模式 (10BaseTe)流量 = 100%7.512mA
I(VDDIO=3V3)RMII 从模式 (100BaseTx)流量 = 50%3.5mA
I(VDDIO=3V3)RMII 从模式 (100BaseTx)流量 = 100%58mA
I(VDDIO=3V3)RMII 从模式 (10BaseTe)流量 = 50%2.56mA
I(VDDIO=3V3)RMII 从模式 (10BaseTe)流量 = 100%2.56mA
I(VDDIO=1V8)RMII 主模式 (100BaseTx) 流量 = 50%414mA
I(VDDIO=1V8)RMII 主模式 (100BaseTx) 流量 = 100%5.514mA
I(VDDIO=1V8)RMII 主模式 (10BaseTe)流量 = 50%4mA
I(VDDIO=1V8)RMII 主模式 (10BaseTe)流量 = 100%414mA
I(VDDIO=1V8)RMII 从模式 (100BaseTx)流量 = 50%1.5mA
I(VDDIO=1V8)RMII 从模式 (100BaseTx)流量 = 100%2.56mA
I(VDDIO=1V8)RMII 从模式 (10BaseTe)流量 = 50%1mA
I(VDDIO=1V8)RMII 从模式 (10BaseTe)流量 = 100%16mA
功耗(低功耗模式)
I(AVDD=3V3)100 BaseTx EEE 模式开启 LPI 时 EEE 模式下的 100 BaseTx 链路15.5mA
深度断电3.5mA
IEEE 断电4mA
主动睡眠11mA
激活但未建立链路37mA
复位5.5mA
I(VDDIO=3V3)100 BaseTx EEE 模式2mA
深度断电2.5mA
IEEE 断电2mA
主动睡眠5mA
激活但未建立链路5mA
复位2.5mA
I(VDDIO=1V8)100 BaseTx EEE 模式2mA
深度断电1.5mA
IEEE 断电1.5mA
主动睡眠3mA
激活但未建立链路3mA
复位1.5mA
自举直流特性(2 级)
VIH_3v3高电平自举阈值:3V31.3V
VIL_3v3低电平自举阈值:3V30.6V
VIH_1v8高电平自举阈值:1V81.3V
VIL_1v8低电平自举阈值:1V80.6V
晶体振荡器
负载电容1530pF
IO
3V3VIH 高电平输入电压VDDIO = 3V3±10%1.7V
VIL 低电平输入电压VDDIO = 3V3±10%0.8V
VOH 高电平输出电压IoH = -2mA,VDDIO = 3V3±10%2.4V
VOL 低电平输出电压IoL = 2mA,VDDIO = 3V3±10% 0.4V
1V8VIH 高电平输入电压VDDIO = 1V8±10%0.65*VDDIOV
VIL 低电平输入电压VDDIO = 1V8±10%0.35*VDDIOV
VOH 高电平输出电压IoH = -2mA,VDDIO = 1V8±10%VDDIO-0.45V
VOL 低电平输出电压IoL = 2mA,VDDIO = 1V8±10% 0.45V
Iih (VIN=VCC)TA = -40℃ 至 85℃,VIN = VDDIO15uA
Iil (VIN=GND)TA = -40℃ 至 85℃,VIN = GND15uA
Iozh 三态输出高电流-15 15 uA
Iozl三态输出低电流-1515uA
Cin(输入电容)5pF
R 下拉81013
R 上拉81013
XI 输入 osc 时钟峰-峰值VDDIOV
XI 输入 osc 时钟共模VDDIO/2V
由生产测试、特性或设计指定