ZHCSLI3A July   2020  – July 2025 CDCE6214

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  EEPROM 特性
    6. 5.6  基准输入，单端特性
    7. 5.7  基准输入，差分特性
    8. 5.8  基准输入，晶体模式特性
    9. 5.9  通用输入特性
    10. 5.10 三电平输入特性
    11. 5.11 逻辑输出特性
    12. 5.12 锁相环特性
    13. 5.13 闭环输出抖动特性
    14. 5.14 输入和输出隔离
    15. 5.15 缓冲模式特性
    16. 5.16 PCIe 展频发生器
    17. 5.17 LVCMOS 输出特性
    18. 5.18 LP-HCSL 输出特性
    19. 5.19 LVDS 输出特性
    20. 5.20 输出同步特性
    21. 5.21 上电复位特性
    22. 5.22 与 I2C 兼容的串行接口特性
    23. 5.23 时序要求，与 I2C 兼容的串行接口
    24. 5.24 电源特性
    25. 5.25 典型特性
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 基准输入
    2. 6.2 输出
    3. 6.3 串行接口
    4. 6.4 PSNR 测试
    5. 6.5 时钟连接和端接
      1. 6.5.1 基准输入
      2. 6.5.2 输出
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 基准块
        1. 7.3.1.1 零延迟模式，内部和外部路径
      2. 7.3.2 锁相环 (PLL)
        1. 7.3.2.1 PLL 配置和分频器设置
        2. 7.3.2.2 扩频时钟
        3. 7.3.2.3 数字控制振荡器和频率递增或递减 - 串行接口模式和 GPIO 模式
      3. 7.3.3 时钟分配
        1. 7.3.3.1 无毛刺运行
        2. 7.3.3.2 分频器同步
        3. 7.3.3.3 全局和单独输出使能
      4. 7.3.4 电源和电源管理
      5. 7.3.5 控制引脚
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 运行模式
        1. 7.4.1.1 回退模式
        2. 7.4.1.2 引脚模式
        3. 7.4.1.3 串行接口模式
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
      2. 7.5.2 EEPROM
        1. 7.5.2.1 EEPROM - 循环冗余校验
        2. 7.5.2.2 建议的编程过程
        3. 7.5.2.3 EEPROM 访问
          1. 7.5.2.3.1 寄存器提交流程
          2. 7.5.2.3.2 直接访问流程
        4. 7.5.2.4 寄存器位到 EEPROM 映射
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 上电序列
      2. 8.3.2 去耦合
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
      1. 9.1.1 开发支持
      2. 9.1.2 器件命名规则
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息
7.5.2.3.2 直接访问流程

在 EEPROM 直接访问流程中，使用地址和数据位字段直接访问 EEPROM 字。建议的流程为：

  1. 准备一个由 64 个字（每个字 16 位）组成的 EEPROM 映像。
  2. 使用 EE_LOCK = 0x5 解锁 EEPROM 以进行写入访问。
  3. 将初始地址偏移写入地址位字段。将 0x00 写入 NVM_WR_ADDR。
  4. 通过将映像中的每个字写入 NVM_WR_DATA，循环访问从地址 0 到 63 的 EEPROM 映像。每次对 NVM_WR_DATA 进行写入访问时，EEPROM 字地址都会自动递增。
CDCE6214 使用 I2C 的 EEPROM 直接访问图 7-12 使用 I2C 的 EEPROM 直接访问