ZHCSU14 November   2023 CC1312PSIP

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 功能方框图
  6. 5 修订历史记录
  7. 6 器件比较
  8. 7 引脚配置和功能
    1. 7.1 引脚图 – MOT 封装（顶视图）
    2. 7.2 信号说明 – MOT 封装
    3. 7.3 未使用的引脚和模块的连接
  9. 8 规格
    1. 8.1  绝对最大额定值
    2. 8.2  ESD 等级
    3. 8.3  建议运行条件
    4. 8.4  电源和模块
    5. 8.5  功耗 - 电源模式
    6. 8.6  功耗 - 无线电模式
    7. 8.7  非易失性（闪存）存储器特性
    8. 8.8  热阻特性
    9. 8.9  射频频带
    10. 8.10 861MHz 至 1054MHz - 接收 (RX)
    11. 8.11 861MHz 至 1054MHz - 发送 (TX) 
    12. 8.12 861MHz 至 1054MHz - PLL 相位噪声宽带模式
    13. 8.13 861MHz 至 1054MHz - PLL 相位噪声窄带模式
    14. 8.14 时序和开关特性
      1. 8.14.1 复位时序
      2. 8.14.2 唤醒时间
      3. 8.14.3 时钟规范
        1. 8.14.3.1 48MHz 晶体振荡器 (XOSC_HF) 和射频频率精度
        2. 8.14.3.2 48MHz RC 振荡器 (RCOSC_HF)
        3. 8.14.3.3 2MHz RC 振荡器 (RCOSC_MF)
        4. 8.14.3.4 32.768kHz 晶体振荡器 (XOSC_LF) 和 RTC 精度
        5. 8.14.3.5 32kHz RC 振荡器 (RCOSC_LF)
      4. 8.14.4 同步串行接口 (SSI) 特性
        1.       36
          1. 8.14.4.1.1 同步串行接口 (SSI) 特性
      5. 8.14.5 UART
        1. 8.14.5.1 UART 特性
    15. 8.15 外设特性
      1. 8.15.1 ADC
        1. 8.15.1.1 模数转换器 (ADC) 特性
      2. 8.15.2 DAC
        1. 8.15.2.1 数模转换器 (DAC) 特性
      3. 8.15.3 温度和电池监测器
        1. 8.15.3.1 温度传感器
        2. 8.15.3.2 电池监测器
      4. 8.15.4 比较器
        1. 8.15.4.1 低功耗时钟比较器
        2. 8.15.4.2 持续时间比较器
      5. 8.15.5 电流源
        1. 8.15.5.1 可编程电流源
      6. 8.15.6 GPIO
        1. 8.15.6.1 GPIO 直流特性
    16. 8.16 典型特性
      1. 8.16.1 MCU 电流
      2. 8.16.2 RX 电流
      3. 8.16.3 TX 电流
      4. 8.16.4 RX 性能
      5. 8.16.5 TX 性能
      6. 8.16.6 ADC 性能
      7. 8.16.7 温度补偿
  10. 9 详细说明
    1. 9.1  概述
    2. 9.2  系统 CPU
    3. 9.3  无线电（射频内核）
      1. 9.3.1 专有无线电格式
    4. 9.4  存储器
    5. 9.5  传感器控制器
    6. 9.6  加密
    7. 9.7  计时器
    8. 9.8  串行外设和 I/O
    9. 9.9  电池和温度监测器
    10. 9.10 µDMA
    11. 9.11 调试
    12. 9.12 电源管理
    13. 9.13 时钟系统、生产校准和温度补偿
    14. 9.14 网络处理器
    15. 9.15 器件资格认证
      1. 9.15.1 FCC 认证和声明
      2. 9.15.2 IC/ISED 认证和声明
    16. 9.16 模块标识
    17. 9.17 最终产品标示
    18. 9.18 面向最终用户的手册信息
  11. 10应用、实施和布局
    1. 10.1 应用信息
      1. 10.1.1 典型应用电路
    2. 10.2 器件连接和布局基本准则
      1. 10.2.1 复位
      2. 10.2.2 未使用的引脚
    3. 10.3 PCB 布局指南
      1. 10.3.1 一般布局建议
      2. 10.3.2 射频布局建议
        1. 10.3.2.1 天线放置和布线
        2. 10.3.2.2 传输线注意事项
    4. 10.4 参考设计
  12. 11环境要求和 SMT 规格
    1. 11.1 PCB 折弯
    2. 11.2 操作环境
      1. 11.2.1 端子
      2. 11.2.2 跌落
    3. 11.3 贮存条件
      1. 11.3.1 打开防潮袋前
      2. 11.3.2 防潮袋打开
    4. 11.4 PCB 组装指南
      1. 11.4.1 PCB 焊盘图案和散热过孔
      2. 11.4.2 SMT 组装建议
      3. 11.4.3 PCB 表面光洁度要求
      4. 11.4.4 焊接模板
      5. 11.4.5 封装布局
      6. 11.4.6 焊点检查
      7. 11.4.7 返修和更换
      8. 11.4.8 焊点空隙
    5. 11.5 烘烤条件
    6. 11.6 回流焊条件
  13. 12器件和文档支持
    1. 12.1 器件命名规则
    2. 12.2 工具和软件
      1. 12.2.1 SimpleLink™ 微控制器平台
    3. 12.3 文档支持
    4. 12.4 支持资源
    5. 12.5 商标
    6. 12.6 静电放电警告
    7. 12.7 术语表
  14. 13机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.13 时钟系统、生产校准和温度补偿

CC1312PSIP 器件具有多个内部系统时钟。

48MHz SCLK_HF 用作主系统（MCU 和外设）时钟。此时钟可以由内部 48MHz RC 振荡器 (RCOSC_HF) 或封装内 48MHz 晶体 (XOSC_HF) 驱动。请注意，无线电通过模块内包含的封装内 48MHz 晶体运行。

48MHz 晶体频率的生产校准

SIP 模块生产时在室温下对晶体频率进行了校准，旨在将初始频率误差降至最低。校准过程是将内部电容器阵列设置为最接近 48MHz 的频率值。

软件 TCXO

除了通过改变内部负载电容来消除初始模拟频率误差之外，CC1312PSIP 还实现了一项称为“软件 TCXO”的功能。软件 TCXO 不会影响 48MHz 晶体频率本身，而是使用 48MHz 晶体的已知初始频率误差和温度行为模型来生成非常准确的射频频率。软件 TCXO 功能的工作方式如下：在 SIP 模块的最终生产测试中，会测量射频频率，并且 48MHz 晶体其余误差引起的射频频率误差（与 ppm 误差成比例）会存储在工厂闪存区域 (FCFG) 中。生成射频频率的内部 PLL 会使用 48MHz 晶体作为基准频率，因此晶体的温漂（以 ppm（百万分之一）为单位）会为射频频率带来相同的误差。48MHz 晶体的温漂可以建模为三阶方程，并与内部温度传感器一起使用，这样将能够更准确地估算 CC1312PSIP 中使用的 48MHz 晶体的平均温度。三阶方程的系数在 sysconfig 配置软件工具中定义，然后 CC1312PSIP 中的固件将考虑初始频率误差和温漂来自动校正 RX 和 TX 中的射频频率。

SCLK_LF 是 32.8kHz 内部低频系统时钟。此时钟可由传感器控制器在超低功耗运行模式下使用，也可用于 RTC 以及在待机电源模式之前或之后用于同步无线电计时器。SCLK_LF 可由内部 32.8kHz RC 振荡器 (RCOSC_LF) 或模块内包含的封装内 32.768kHz 晶体驱动。当使用晶体或内部 RC 振荡器时，该器件可以向其他器件输出 32kHz SCLK_LF 信号，从而降低总体系统成本。

RTC 温度补偿

CC1312PSIP 包含一个固件功能可以在使用封装内 32.768kHz 晶体作为 RTC 基础时提高 RTC（实时时钟）精度。在 SIP 模块的最终生产测试中，会测量 RTC 频率并将误差存储在工厂闪存区域 (FCFG) 中。32.768kHz 晶体的温漂可以建模为二阶方程，该方程的系数在 sysconfig 配置软件工具中定义。然后，CC1312PSIP 中的固件将使用 CC1312PSIP 中的温度传感器、工厂闪存区域 (FCFG) 中存储的初始频率误差以及温漂模型来计算更准确的 RTC。