7 引脚配置和功能

图 7-1 RSN 封装32 引脚 WQFN顶视图

表 7-1 引脚功能

引脚		I/O	说明
名称	编号	I/O	说明
ACN	2	PWR	输入电流检测电阻负输入。ACP 和 ACN 上的漏电流匹配。需要在检测电阻与 ACN 引脚之间放置一个 R-C 低通滤波器，以抑制输入电流信号中的高频噪声。有关 ACP/ACN 滤波器设计，请参阅节 10。
ACP	3	PWR	输入电流检测电阻正输入。ACP 和 ACN 上的漏电流匹配。需要在检测电阻与 ACP 引脚之间放置一个 R-C 低通滤波器，以抑制输入电流信号中的高频噪声。有关 ACP/ACN 滤波器设计，请参阅节 10。
BATDRV	21	O	P 沟道电池 FET (BATFET) 栅极驱动器输出。短接至 VSYS 可关断 BATFET。比 VSYS 低 10V 可完全导通 BATFET。BATFET 处于线性模式，以便在电池电量耗尽时将 VSYS 调节至最小系统电压。BATFET 在快速充电期间完全导通，并在补充模式下用作理想二极管。
BTST1	30	PWR	降压模式高侧功率 MOSFET 驱动器电源。在 SW1 和 BTST1 之间连接一个 0.047μF 电容器。REGN 和 BTST1 之间的自举二极管为集成式二极管。
BTST2	25	PWR	升压模式高侧功率 MOSFET 驱动器电源。在 SW2 和 BTST2 之间连接一个 0.047μF 电容器。REGN 和 BTST2 之间的自举二极管为集成式二极管。
CELL_BATPRESZ	18	I	用于 1-4 节电池设置的电芯选择引脚。CELL_BATPRESZ 引脚从 VDDA 偏置。CELL_BATPRESZ 引脚还将 1 节电池的 SYSOVP 阈值设置为 5V，2 节电池的 SYSOVP 阈值设置为 12V，3 节/4 节电池的 SYSOVP 阈值设置为 19.5V。CELL_BATPRESZ 引脚拉至低于 V_{CELL_BATPRESZ_FALL} 以指示电池移除。器件退出学习模式并禁用充电。充电电压寄存器 REG0x05/04() 恢复为默认值。
CHRG_OK	4	O	开漏高电平有效指示器，用于通知系统，正常电源已连接到充电器输入端。通过 10kΩ 电阻器连接到上拉电源轨。当 VBUS 升至 3.5V 以上或降至 24.5V 以下时，经过 50ms 抗尖峰脉冲时间后，CHRG_OK 为高电平。当 VBUS 降至 3.2V 以下或升至 26V 以上时，CHRG_OK 为低电平。发生任何故障时，CHRG_OK 置为低电平。
CMPIN	14	I	独立比较器的输入。独立比较器将 CMPIN 引脚上检测到的电压与内部基准电压进行比较，其输出位于 CMPOUT 引脚上。可通过 I²C 主机选择内部基准、输出极性和抗尖峰脉冲时间。极性为高电平 (REG0x30[6] = 1) 时，在 CMPIN 和 CMPOUT 之间放置一个电阻器，以对迟滞进行编程。极性为低电平 (REG0x30[6] = 0) 时，内部迟滞为 100mV。如果未使用独立比较器，则将 CMPIN 接地。
CMPOUT	15	O	独立比较器的开漏输出。将上拉电阻器从 CMPOUT 连接到上拉电源轨。可通过 I²C 主机选择内部基准、输出极性和抗尖峰脉冲时间。
COMP2	17	I	降压/升压转换器补偿引脚 2。有关 COMP2 引脚 RC 网络，请参阅 BQ2571X EVM 原理图。
COMP1	16	I	降压/升压转换器补偿引脚 1。有关 COMP1 引脚 RC 网络，请参阅 BQ2571X EVM 原理图。
OTG/VAP	5	I	高电平有效，以启用 OTG 或 VAP 模式。当 REG0x34[5]=1 时，拉高 OTG/VAP 引脚并设置 REG0x35[4]=1 可以启用 OTG 模式。当 REG0x34[5]=0 时，拉高 OTG/VAP 引脚将启用 VAP 模式。
HIDRV1	31	O	降压模式高侧功率 MOSFET (Q1) 驱动器。连接到高侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
HIDRV2	24	O	升压模式高侧功率 MOSFET (Q4) 驱动器。连接到高侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
IADPT	8	O	适配器电流监测输出引脚。V_(IADPT) = 20 或 40 × (V_(ACP) – V_(ACN))，可在 REG0x00[4] 中选择比率。在 IADPT 引脚与接地端之间放置一个与所用电感相对应的电阻器。对于 2.2µH 电感，电阻器为 137kΩ。在 IADPT 引脚与接地端之间放置一个 100pF 或更小的陶瓷去耦电容器。IADPT 输出电压钳位在 3.3V 以下。
IBAT	9	O	电池电流监测输出引脚。对于充电电流，V_(IBAT) = 8 或 16 × (V_(SRP) – V_(SRN))，对于放电电流，V_(IBAT) = 8 或 16 × (V_(SRN) – V_(SRP))，可在 REG0x00[3] 中选择比率。在 IBAT 引脚与接地端之间放置一个 100pF 或更小的陶瓷去耦电容器。该引脚不使用时可以悬空。其输出电压钳制在 3.3V 以下。
ILIM_HIZ	6	I	输入电流限制设置引脚。通过在电源轨与 ILIM_HIZ 引脚之间连接一个电阻分压器并接地，对 ILIM_HIZ 电压进行编程。引脚电压的计算公式为：V_{(ILIM_HIZ)} = 1V + 40 × IDPM × RAC，其中 IDPM 是目标输入电流。充电器使用的输入电流限制是 ILIM_HIZ 引脚和 REG0x0F/0E() 的较低设置。当引脚电压低于 0.4V 时，器件会以低静态电流进入高阻态模式。当引脚电压高于 0.8V 时，器件退出高阻态模式。
LODRV1	29	O	降压模式低侧功率 MOSFET (Q2) 驱动器。连接到低侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
LODRV2	26	O	升压模式低侧功率 MOSFET (Q3) 驱动器。连接到低侧 N 沟道 MOSFET 栅极。
PGND	27	GND	器件电源接地。
PROCHOT	11	O	处理器热量指示器的低电平有效开漏输出。它监测适配器输入电流、电池放电电流和系统电压。触发 PROCHOT 曲线中的任何事件后，系统会将一个脉冲置为有效。可在 REG0x23[6:3] 中调节最小脉冲宽度。
PSYS	10	O	电流模式系统功率监测器。输出电流与适配器和电池的总功率成正比。可通过 I²C 选择增益。在 PSYS 与接地端之间放置一个电阻器以生成输出电压。该引脚不使用时可以悬空。其输出电压钳位在 3.3V 以下。将一个电容器与电阻器并联以进行滤波。
REGN	28	PWR	由 VBUS 或 VSYS 供电的 6V 线性稳压器输出。当 VBUS 高于 V_{VBUS_CONVEN} 时，LDO 处于活动状态。在 REGN 与电源地之间连接一个 2.2μF 或 3.3μF 陶瓷电容器。REGN 引脚输出用于功率级栅极驱动器。
SCL	13	I	I²C 时钟输入。连接到主机控制器或智能电池的时钟线。根据 I²C 规范连接一个 10kΩ 上拉电阻器。
SDA	12	I/O	I²C 开漏数据 I/O。连接到主机控制器或智能电池的数据线。根据 I²C 规范连接一个 10kΩ 上拉电阻器。
SRN	19	PWR	充电电流检测电阻负输入。SRN 引脚也用于电池电压检测。将带有可选 0.1μF 陶瓷电容器的 SRN 引脚连接到 GND 以实现共模滤波。在 SRP 和 SRN 之间连接一个 0.1μF 陶瓷电容器以提供差模滤波。SRP 和 SRN 上的漏电流匹配。
SRP	20	PWR	充电电流检测电阻正输入。将带有可选 0.1μF 陶瓷电容器的 SRP 引脚连接到 GND 以实现共模滤波。在 SRP 和 SRN 之间连接一个 0.1μF 陶瓷电容器以提供差模滤波。SRP 和 SRN 上的漏电流匹配。
SW1	32	PWR	降压模式高侧功率 MOSFET 驱动器源。连接到高侧 N 沟道 MOSFET 的源极。
SW2	23	PWR	升压模式高侧功率 MOSFET 驱动器源。连接到高侧 N 沟道 MOSFET 的源极。
VBUS	1	PWR	充电器输入电压。建议使用 1Ω 和 0.47µF（最小值）的输入低通滤波器。
VDDA	7	PWR	内部基准偏置引脚。在 REGN 与 VDDA 之间连接一个 10Ω 电阻器，在 VDDA 与电源地之间连接一个 1μF 陶瓷电容器。
VSYS	22	PWR	充电器系统电压检测。在 REG0x05/04() 和 REG0X0D/0C() 中对系统电压调节限制进行编程。
散热焊盘	–	-	IC 下方的外露焊盘。始终将散热焊盘焊接到电路板上，并在连接到电源接地层的散热焊盘平面上留有过孔。它用作散热焊盘以进行散热。