ZHCSIH5C june   2018  – may 2023 BQ25713 , BQ25713B

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 修订历史记录
  6. 说明(续)
  7. 器件比较表
  8. 引脚配置和功能
  9. 规格
    1. 8.1 绝对最大额定值
    2. 8.2 ESD 等级
    3. 8.3 建议运行条件
    4. 8.4 热性能信息
    5. 8.5 电气特性
    6. 8.6 时序要求
    7. 8.7 典型特性
  10. 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能模块图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1  从不带直流电源的电池上电
      2. 9.3.2  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      3. 9.3.3  从直流电源上电
        1. 9.3.3.1 CHRG_OK 指示器
        2. 9.3.3.2 输入电压和电流限制设置
        3. 9.3.3.3 电池电芯配置
        4. 9.3.3.4 器件高阻态状态
      4. 9.3.4  USB On-The-Go (OTG)
      5. 9.3.5  转换器运行
        1. 9.3.5.1 通过 IADPT 引脚检测电感
        2. 9.3.5.2 连续导通模式 (CCM)
        3. 9.3.5.3 脉冲频率调制 (PFM)
      6. 9.3.6  电流和功率监控器
        1. 9.3.6.1 高精度电流检测放大器(IADPT 和 IBAT)
        2. 9.3.6.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      7. 9.3.7  输入源动态电源管理
      8. 9.3.8  两级适配器电流限制(峰值功率模式)
      9. 9.3.9  处理器热量指示
        1. 9.3.9.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 9.3.9.2 PROCHOT 状态
      10. 9.3.10 器件保护
        1. 9.3.10.1 看门狗计时器
        2. 9.3.10.2 输入过压保护 (ACOV)
        3. 9.3.10.3 输入过流保护 (ACOC)
        4. 9.3.10.4 系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 9.3.10.5 电池过压保护 (BATOVP)
        6. 9.3.10.6 电池短路
        7. 9.3.10.7 系统短路断续模式
        8. 9.3.10.8 热关断 (TSHUT)
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 正向模式
        1. 9.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 9.4.1.2 电池充电
      2. 9.4.2 USB On-The-Go
      3. 9.4.3 直通模式 (PTM)
    5. 9.5 编程
      1. 9.5.1 I2C 串行接口
        1. 9.5.1.1 数据有效性
        2. 9.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 9.5.1.3 字节格式
        4. 9.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 9.5.1.5 从器件地址和数据方向位
        6. 9.5.1.6 单独读取和写入
        7. 9.5.1.7 多重读取和多重写入
        8. 9.5.1.8 写入 2 字节 I2C 命令
    6. 9.6 寄存器映射
      1. 9.6.1  设置充电和 PROCHOT 选项
        1. 9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器(I2C 地址 = 01/00h)[复位 = E70Eh]
        2. 9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器(I2C 地址 = 31/30h)[复位 = 0211h]
        3. 9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器(I2C 地址 = 33/32h)[复位 = 02B7h]
        4. 9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器(I2C 地址 = 35/34h)[复位 = 0030h]
        5. 9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器(I2C 地址 = 37/36h)[复位 = 4A65h]
        6. 9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器(I2C 地址 = 39/38h)[复位 = 81A0h]
        7. 9.6.1.7 ADCOption 寄存器(I2C 地址 = 3B/3Ah)[复位 = 2000h]
      2. 9.6.2  充电和 PROCHOT 状态
        1. 9.6.2.1 ChargerStatus 寄存器(I2C 地址 = 21/20h)[复位 = 0000h]
        2. 9.6.2.2 ProchotStatus 寄存器(I2C 地址 = 23/22h)[复位 = A800h]
      3. 9.6.3  ChargeCurrent 寄存器(I2C 地址 = 03/02h)[复位 = 0000h]
        1. 9.6.3.1 电池预充电电流钳位
      4. 9.6.4  MaxChargeVoltage 寄存器(I2C 地址 = 05/04h)[基于 CELL_BATPRESZ 引脚设置的复位值]
      5. 9.6.5  MinSystemVoltage 寄存器(I2C 地址 = 0D/0Ch)[基于 CELL_BATPRESZ 引脚设置复位值]
        1. 9.6.5.1 系统电压调节
      6. 9.6.6  用于动态电源管理的输入电流和输入电压寄存器
        1. 9.6.6.1 输入电流寄存器
          1. 9.6.6.1.1 具有 10mΩ 检测电阻的 IIN_HOST 寄存器(I2C 地址 = 0F/0Eh)[复位 = 4100h]
          2. 9.6.6.1.2 具有 10mΩ 检测电阻的 IIN_DPM 寄存器(I2C 地址 = 25/24h)[复位 = 4100h]
          3. 9.6.6.1.3 InputVoltage 寄存器(I2C 地址 = 0B/0Ah)[复位 = VBUS-1.28V]
      7. 9.6.7  OTGVoltage 寄存器(I2C 地址 = 07/06h)[复位 = 0000h]
      8. 9.6.8  OTGCurrent 寄存器(I2C 地址 = 09/08h)[复位 = 0000h]
      9. 9.6.9  ADCVBUS/PSYS 寄存器(I2C 地址 = 27/26h)
      10. 9.6.10 ADCIBAT 寄存器(I2C 地址 = 29/28h)
      11. 9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器(I2C 地址 = 2B/2Ah)
      12. 9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器(I2C 地址 = 2D/2Ch)
      13. 9.6.13 ID 寄存器
        1. 9.6.13.1 ManufactureID 寄存器(I2C 地址 = 2Eh)[复位 = 0040h]
        2. 9.6.13.2 器件 ID (DeviceAddress) 寄存器(I2C 地址 = 2Fh)[复位 = 0h]
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
        1. 10.2.2.1 ACP-ACN 输入滤波器
        2. 10.2.2.2 电感器选型
        3. 10.2.2.3 输入电容器
        4. 10.2.2.4 输出电容器
        5. 10.2.2.5 功率 MOSFET 选择
      3. 10.2.3 应用曲线
  12. 11电源相关建议
  13. 12布局
    1. 12.1 布局指南
    2. 12.2 布局示例
      1. 12.2.1 布局示例参考顶视图
      2. 12.2.2 内层布局和布线示例
  14. 13器件和文档支持
    1. 13.1 器件支持
      1. 13.1.1 第三方产品免责声明
    2. 13.2 文档支持
      1. 13.2.1 相关文档
    3. 13.3 接收文档更新通知
    4. 13.4 支持资源
    5. 13.5 商标
    6. 13.6 静电放电警告
    7. 13.7 术语表
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

ChargeOption1 寄存器(I2C 地址 = 31/30h)[复位 = 0211h]

图 9-13 ChargeOption1 寄存器(I2C 地址 = 31/30h)[复位 = 0211h]
7 6 5 4 3 2 1 0
EN_IBAT EN_PROCHOT_LPWR EN_PSYS RSNS_RAC RSNS_RSR PSYS_RATIO PTM_PINSEL
R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W
7 6 5 4 3 2 1 0
CMP_REF CMP_POL CMP_DEG FORCE_
LATCHOFF
EN_PTM EN_SHIP_
DCHG
AUTO_
WAKEUP_EN
R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W
说明:R/W = 读/写;R = 只读;-n = 复位后的值
表 9-7 ChargeOption1 寄存器(I2C 地址 = 31h)字段说明
I2C
31h
字段 类型 复位 说明
7 EN_IBAT R/W 0b

IBAT 启用

启用 IBAT 输出缓冲器。在低功耗模式下 (REG0x01[7] = 1),无论该位值如何,IBAT 缓冲器始终处于禁用状态。

0b 关闭 IBAT 缓冲器以尽可能减小 Iq <POR 时的默认值>

1b:打开 IBAT 缓冲器

6-5 EN_PROCHOT
_LPWR
读/写 00b

在仅电池低功耗模式期间启用 PROCHOT

仅使用电池,在 PROCHOT 中以低功耗启用 VSYS。请勿在存在适配器的情况下启用此功能。更多详细信息,请参阅节 9.3.9.1

00b:禁用低功耗 PROCHOT <POR 时的默认值>

01b:启用 VSYS 低功耗 PROCHOT

10b:保留

11b:保留

4 EN_PSYS R/W 0b

PSYS 启用

启用 PSYS 检测电路和输出缓冲器(整个 PSYS 电路)。在低功耗模式 (REG0x01[7]= 1) 下,无论该位值如何,PSYS 检测和缓冲器始终处于禁用状态。

0b:关闭 PSYS 缓冲器以尽可能减小 Iq <POR 时的默认值>

1b:打开 PSYS 缓冲器

3 RSNS_RAC R/W 0b

输入检测电阻 RAC

0b:10mΩ <POR 时的默认值>

1b:20 mΩ

2 RSNS_RSR R/W 0b

充电检测电阻 RSR

0b:10mΩ <POR 时的默认值>

1b:20 mΩ

1 PSYS_RATIO R/W 1b

PSYS 增益

PSYS 输出电流与总输入和电池功率之比,检测电阻为 10mΩ。

0b:0.25µA/W

1b:1µA/W <POR 时的默认值>

0 PTM_PINSEL R/W 0b

选择 ILIM_HIZ 引脚功能

0b:当拉低 ILIM_HIZ 引脚时,充电器进入高阻态模式。<POR 时的默认值>

1b:当拉低 ILIM_HIZ 引脚时,充电器进入 PTM。

表 9-8 ChargeOption1 寄存器(I2C 地址 = 30h)字段说明
I2C
30h
字段 类型 复位 说明
7 CMP_REF R/W 0b

独立比较器内部基准。

0b:2.3V <POR 时的默认值>

1b:1.2V

6 CMP_POL R/W 0b

独立比较器输出极性

0b:当 CMPIN 高于内部阈值时,CMPOUT 为低电平(内部迟滞)<POR 时的默认值>

1b:当 CMPIN 低于内部阈值时,CMPOUT 为低电平(外部迟滞)

5-4 CMP_DEG 读/写 01b

独立比较器抗尖峰脉冲时间,仅适用于 CMPOUT 的下降沿(高电平 → 低电平)。

00b:独立比较器已禁用

01b:独立比较器启用,输出抗尖峰脉冲时间为 1µs <POR 时的默认值>

10b:启用独立比较器,输出抗尖峰脉冲时间为 2ms

11b:启用独立比较器,输出抗尖峰脉冲时间为 5 秒

3 FORCE_LATCHOFF R/W 0b

强制电源路径关闭

当触发独立比较器时,充电器会关闭 Q1 和 Q4(与禁用转换器相同),从而使系统与输入源断开连接。同时,CHRG_OK 信号变为低电平以通知系统。

0b:禁用此功能 <POR 时的默认值>

1b:启用此功能

2 EN_PTM R/W 0b

PTM 启用寄存器位

0b:禁用 PTM。<POR 时的默认值>

1b:启用 PTM。

1 EN_SHIP_DCHG R/W 0b

运输模式的放电 SRN

当该位为 1 时,SRN 引脚在 140ms 内放电至低于 3.8V。当140ms 结束时,该位复位为 0。

0b:禁用运输模式 <POR 时的默认设置>

1b:启用运输模式

0 AUTO_WAKEUP_EN R/W 1b

自动唤醒启用

当此位为高电平时,如果电池低于最小系统电压 (REG0x0D/0C()),器件将自动启用 128mA 充电电流达 30 分钟。当电池充电超过最低系统电压时,充电将终止,该位复位为低电平。

0b:禁用

1b:启用 <POR 时的默认值>