ZHCSIH5C june   2018  – may 2023 BQ25713 , BQ25713B

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 修订历史记录
  6. 说明(续)
  7. 器件比较表
  8. 引脚配置和功能
  9. 规格
    1. 8.1 绝对最大额定值
    2. 8.2 ESD 等级
    3. 8.3 建议运行条件
    4. 8.4 热性能信息
    5. 8.5 电气特性
    6. 8.6 时序要求
    7. 8.7 典型特性
  10. 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能模块图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1  从不带直流电源的电池上电
      2. 9.3.2  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      3. 9.3.3  从直流电源上电
        1. 9.3.3.1 CHRG_OK 指示器
        2. 9.3.3.2 输入电压和电流限制设置
        3. 9.3.3.3 电池电芯配置
        4. 9.3.3.4 器件高阻态状态
      4. 9.3.4  USB On-The-Go (OTG)
      5. 9.3.5  转换器运行
        1. 9.3.5.1 通过 IADPT 引脚检测电感
        2. 9.3.5.2 连续导通模式 (CCM)
        3. 9.3.5.3 脉冲频率调制 (PFM)
      6. 9.3.6  电流和功率监控器
        1. 9.3.6.1 高精度电流检测放大器(IADPT 和 IBAT)
        2. 9.3.6.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      7. 9.3.7  输入源动态电源管理
      8. 9.3.8  两级适配器电流限制(峰值功率模式)
      9. 9.3.9  处理器热量指示
        1. 9.3.9.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 9.3.9.2 PROCHOT 状态
      10. 9.3.10 器件保护
        1. 9.3.10.1 看门狗计时器
        2. 9.3.10.2 输入过压保护 (ACOV)
        3. 9.3.10.3 输入过流保护 (ACOC)
        4. 9.3.10.4 系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 9.3.10.5 电池过压保护 (BATOVP)
        6. 9.3.10.6 电池短路
        7. 9.3.10.7 系统短路断续模式
        8. 9.3.10.8 热关断 (TSHUT)
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 正向模式
        1. 9.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 9.4.1.2 电池充电
      2. 9.4.2 USB On-The-Go
      3. 9.4.3 直通模式 (PTM)
    5. 9.5 编程
      1. 9.5.1 I2C 串行接口
        1. 9.5.1.1 数据有效性
        2. 9.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 9.5.1.3 字节格式
        4. 9.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 9.5.1.5 从器件地址和数据方向位
        6. 9.5.1.6 单独读取和写入
        7. 9.5.1.7 多重读取和多重写入
        8. 9.5.1.8 写入 2 字节 I2C 命令
    6. 9.6 寄存器映射
      1. 9.6.1  设置充电和 PROCHOT 选项
        1. 9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器(I2C 地址 = 01/00h)[复位 = E70Eh]
        2. 9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器(I2C 地址 = 31/30h)[复位 = 0211h]
        3. 9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器(I2C 地址 = 33/32h)[复位 = 02B7h]
        4. 9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器(I2C 地址 = 35/34h)[复位 = 0030h]
        5. 9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器(I2C 地址 = 37/36h)[复位 = 4A65h]
        6. 9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器(I2C 地址 = 39/38h)[复位 = 81A0h]
        7. 9.6.1.7 ADCOption 寄存器(I2C 地址 = 3B/3Ah)[复位 = 2000h]
      2. 9.6.2  充电和 PROCHOT 状态
        1. 9.6.2.1 ChargerStatus 寄存器(I2C 地址 = 21/20h)[复位 = 0000h]
        2. 9.6.2.2 ProchotStatus 寄存器(I2C 地址 = 23/22h)[复位 = A800h]
      3. 9.6.3  ChargeCurrent 寄存器(I2C 地址 = 03/02h)[复位 = 0000h]
        1. 9.6.3.1 电池预充电电流钳位
      4. 9.6.4  MaxChargeVoltage 寄存器(I2C 地址 = 05/04h)[基于 CELL_BATPRESZ 引脚设置的复位值]
      5. 9.6.5  MinSystemVoltage 寄存器(I2C 地址 = 0D/0Ch)[基于 CELL_BATPRESZ 引脚设置复位值]
        1. 9.6.5.1 系统电压调节
      6. 9.6.6  用于动态电源管理的输入电流和输入电压寄存器
        1. 9.6.6.1 输入电流寄存器
          1. 9.6.6.1.1 具有 10mΩ 检测电阻的 IIN_HOST 寄存器(I2C 地址 = 0F/0Eh)[复位 = 4100h]
          2. 9.6.6.1.2 具有 10mΩ 检测电阻的 IIN_DPM 寄存器(I2C 地址 = 25/24h)[复位 = 4100h]
          3. 9.6.6.1.3 InputVoltage 寄存器(I2C 地址 = 0B/0Ah)[复位 = VBUS-1.28V]
      7. 9.6.7  OTGVoltage 寄存器(I2C 地址 = 07/06h)[复位 = 0000h]
      8. 9.6.8  OTGCurrent 寄存器(I2C 地址 = 09/08h)[复位 = 0000h]
      9. 9.6.9  ADCVBUS/PSYS 寄存器(I2C 地址 = 27/26h)
      10. 9.6.10 ADCIBAT 寄存器(I2C 地址 = 29/28h)
      11. 9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器(I2C 地址 = 2B/2Ah)
      12. 9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器(I2C 地址 = 2D/2Ch)
      13. 9.6.13 ID 寄存器
        1. 9.6.13.1 ManufactureID 寄存器(I2C 地址 = 2Eh)[复位 = 0040h]
        2. 9.6.13.2 器件 ID (DeviceAddress) 寄存器(I2C 地址 = 2Fh)[复位 = 0h]
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
        1. 10.2.2.1 ACP-ACN 输入滤波器
        2. 10.2.2.2 电感器选型
        3. 10.2.2.3 输入电容器
        4. 10.2.2.4 输出电容器
        5. 10.2.2.5 功率 MOSFET 选择
      3. 10.2.3 应用曲线
  12. 11电源相关建议
  13. 12布局
    1. 12.1 布局指南
    2. 12.2 布局示例
      1. 12.2.1 布局示例参考顶视图
      2. 12.2.2 内层布局和布线示例
  14. 13器件和文档支持
    1. 13.1 器件支持
      1. 13.1.1 第三方产品免责声明
    2. 13.2 文档支持
      1. 13.2.1 相关文档
    3. 13.3 接收文档更新通知
    4. 13.4 支持资源
    5. 13.5 商标
    6. 13.6 静电放电警告
    7. 13.7 术语表
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

ProchotStatus 寄存器(I2C 地址 = 23/22h)[复位 = A800h]

图 9-20 ProchotStatus 寄存器(I2C 地址 = 23/22h)[复位 = A800h]
76543210
保留EN_PROCHOT
_EXIT
PROCHOT_WIDTHPROCHOT
_CLEAR
保留STAT_VAP
_FAIL
STAT_EXIT
_VAP
RR/WR/WR/WRR/WR/W
76543210
STAT_VDPMSTAT_COMPSTAT_ICRITSTAT_INOMSTAT_IDCHGSTAT_VSYSSTAT_BAT
_Removal
STAT_ADPT
_Removal
R/WRRRRRRR
说明:R/W = 读/写;R = 只读;-n = 复位后的值
表 9-21 ProchotStatus 寄存器(I2C 地址 = 23h)字段说明
I2C
23h
字段类型复位说明
7保留R1b

保留

6EN_PROCHOT _EXITR/W0b

PROCHOT 脉冲扩展启用。启用脉冲扩展后,保持 PROCHOT 引脚电压为低电平,直到主机写入 REG0x23[3] = 0。

0b:禁用脉冲扩展 <POR 时的默认值>

1b:启用脉冲扩展

5-4PROCHOT _WIDTH读/写10b

PROCHOT 脉冲宽度。

当 REG0x23[6] = 0 时,PROCHOT 脉冲宽度最小

00b:100us

01b:1ms

10b:10ms <POR 时的默认值>

11b:5ms

3PROCHOT _CLEARR/W1b

PROCHOT 脉冲清除。

当 0x23[6] = 1 时清除 PROCHOT 脉冲。

0b:清除 PROCHOT 脉冲并将 PROCHOT 引脚驱动为高电平

1b:空闲 <POR 时的默认值>

2保留R0b保留
1STAT_VAP_FAILR/W0b

该状态位报告在 VAP 模式下 VBUS 连续 7 次加载失败,这表明电池电压可能不足以进入 VAP 模式,或 VAP 负载电流设置过高。

0b:不是 VAP 故障 <POR 时的默认值>

1b:在 VAP 故障时,充电器退出 VAP 模式并锁存,直到主机将该位写为 0。

0STAT_EXIT_VAPR/W0b

当充电器在 VAP 模式下运行时,如果通过主机禁用或存在任何充电器故障,则该充电器可以退出 VAP。

0b:PROCHOT_EXIT_VAP 处于非活动状态 <POR 时的默认值>

1b:PROCHOT_EXIT_VAP 处于活动状态,PROCHOT 引脚为低电平,直到主机将该状态位写为 0。

表 9-22 ProchotStatus 寄存器(I2C 地址 = 22h)字段说明
I2C
22h
字段类型复位说明
7STAT_VDPMR/W0b

0b:未触发

1b:触发

6STAT_COMPR0b

0b:未触发

1b:触发

5STAT_ICRITR0b

0b:未触发

1b:触发

4STAT_INOMR0b

0b:未触发

1b:触发

3STAT_IDCHGR0b

0b:未触发

1b:触发

2STAT_VSYSR0b

0b:未触发

1b:触发

1STAT_Battery_RemovalR0b

0b:未触发

1b:触发

0STAT_Adapter_RemovalR0b

0b:未触发

1b:触发