ZHCSIH5C june   2018  – may 2023 BQ25713 , BQ25713B

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 修订历史记录
  6. 说明(续)
  7. 器件比较表
  8. 引脚配置和功能
  9. 规格
    1. 8.1 绝对最大额定值
    2. 8.2 ESD 等级
    3. 8.3 建议运行条件
    4. 8.4 热性能信息
    5. 8.5 电气特性
    6. 8.6 时序要求
    7. 8.7 典型特性
  10. 详细说明
    1. 9.1 概述
    2. 9.2 功能模块图
    3. 9.3 特性说明
      1. 9.3.1  从不带直流电源的电池上电
      2. 9.3.2  仅电池模式下的 Vmin 主动保护 (VAP)
      3. 9.3.3  从直流电源上电
        1. 9.3.3.1 CHRG_OK 指示器
        2. 9.3.3.2 输入电压和电流限制设置
        3. 9.3.3.3 电池电芯配置
        4. 9.3.3.4 器件高阻态状态
      4. 9.3.4  USB On-The-Go (OTG)
      5. 9.3.5  转换器运行
        1. 9.3.5.1 通过 IADPT 引脚检测电感
        2. 9.3.5.2 连续导通模式 (CCM)
        3. 9.3.5.3 脉冲频率调制 (PFM)
      6. 9.3.6  电流和功率监控器
        1. 9.3.6.1 高精度电流检测放大器(IADPT 和 IBAT)
        2. 9.3.6.2 高精度功率检测放大器 (PSYS)
      7. 9.3.7  输入源动态电源管理
      8. 9.3.8  两级适配器电流限制(峰值功率模式)
      9. 9.3.9  处理器热量指示
        1. 9.3.9.1 低功耗模式期间的 PROCHOT
        2. 9.3.9.2 PROCHOT 状态
      10. 9.3.10 器件保护
        1. 9.3.10.1 看门狗计时器
        2. 9.3.10.2 输入过压保护 (ACOV)
        3. 9.3.10.3 输入过流保护 (ACOC)
        4. 9.3.10.4 系统过压保护 (SYSOVP)
        5. 9.3.10.5 电池过压保护 (BATOVP)
        6. 9.3.10.6 电池短路
        7. 9.3.10.7 系统短路断续模式
        8. 9.3.10.8 热关断 (TSHUT)
    4. 9.4 器件功能模式
      1. 9.4.1 正向模式
        1. 9.4.1.1 采用窄 VDC 架构的系统电压调节
        2. 9.4.1.2 电池充电
      2. 9.4.2 USB On-The-Go
      3. 9.4.3 直通模式 (PTM)
    5. 9.5 编程
      1. 9.5.1 I2C 串行接口
        1. 9.5.1.1 数据有效性
        2. 9.5.1.2 START 和 STOP 条件
        3. 9.5.1.3 字节格式
        4. 9.5.1.4 确认 (ACK) 和否定确认 (NACK)
        5. 9.5.1.5 从器件地址和数据方向位
        6. 9.5.1.6 单独读取和写入
        7. 9.5.1.7 多重读取和多重写入
        8. 9.5.1.8 写入 2 字节 I2C 命令
    6. 9.6 寄存器映射
      1. 9.6.1  设置充电和 PROCHOT 选项
        1. 9.6.1.1 ChargeOption0 寄存器(I2C 地址 = 01/00h)[复位 = E70Eh]
        2. 9.6.1.2 ChargeOption1 寄存器(I2C 地址 = 31/30h)[复位 = 0211h]
        3. 9.6.1.3 ChargeOption2 寄存器(I2C 地址 = 33/32h)[复位 = 02B7h]
        4. 9.6.1.4 ChargeOption3 寄存器(I2C 地址 = 35/34h)[复位 = 0030h]
        5. 9.6.1.5 ProchotOption0 寄存器(I2C 地址 = 37/36h)[复位 = 4A65h]
        6. 9.6.1.6 ProchotOption1 寄存器(I2C 地址 = 39/38h)[复位 = 81A0h]
        7. 9.6.1.7 ADCOption 寄存器(I2C 地址 = 3B/3Ah)[复位 = 2000h]
      2. 9.6.2  充电和 PROCHOT 状态
        1. 9.6.2.1 ChargerStatus 寄存器(I2C 地址 = 21/20h)[复位 = 0000h]
        2. 9.6.2.2 ProchotStatus 寄存器(I2C 地址 = 23/22h)[复位 = A800h]
      3. 9.6.3  ChargeCurrent 寄存器(I2C 地址 = 03/02h)[复位 = 0000h]
        1. 9.6.3.1 电池预充电电流钳位
      4. 9.6.4  MaxChargeVoltage 寄存器(I2C 地址 = 05/04h)[基于 CELL_BATPRESZ 引脚设置的复位值]
      5. 9.6.5  MinSystemVoltage 寄存器(I2C 地址 = 0D/0Ch)[基于 CELL_BATPRESZ 引脚设置复位值]
        1. 9.6.5.1 系统电压调节
      6. 9.6.6  用于动态电源管理的输入电流和输入电压寄存器
        1. 9.6.6.1 输入电流寄存器
          1. 9.6.6.1.1 具有 10mΩ 检测电阻的 IIN_HOST 寄存器(I2C 地址 = 0F/0Eh)[复位 = 4100h]
          2. 9.6.6.1.2 具有 10mΩ 检测电阻的 IIN_DPM 寄存器(I2C 地址 = 25/24h)[复位 = 4100h]
          3. 9.6.6.1.3 InputVoltage 寄存器(I2C 地址 = 0B/0Ah)[复位 = VBUS-1.28V]
      7. 9.6.7  OTGVoltage 寄存器(I2C 地址 = 07/06h)[复位 = 0000h]
      8. 9.6.8  OTGCurrent 寄存器(I2C 地址 = 09/08h)[复位 = 0000h]
      9. 9.6.9  ADCVBUS/PSYS 寄存器(I2C 地址 = 27/26h)
      10. 9.6.10 ADCIBAT 寄存器(I2C 地址 = 29/28h)
      11. 9.6.11 ADCIINCMPIN 寄存器(I2C 地址 = 2B/2Ah)
      12. 9.6.12 ADCVSYSVBAT 寄存器(I2C 地址 = 2D/2Ch)
      13. 9.6.13 ID 寄存器
        1. 9.6.13.1 ManufactureID 寄存器(I2C 地址 = 2Eh)[复位 = 0040h]
        2. 9.6.13.2 器件 ID (DeviceAddress) 寄存器(I2C 地址 = 2Fh)[复位 = 0h]
  11. 10应用和实施
    1. 10.1 应用信息
    2. 10.2 典型应用
      1. 10.2.1 设计要求
      2. 10.2.2 详细设计过程
        1. 10.2.2.1 ACP-ACN 输入滤波器
        2. 10.2.2.2 电感器选型
        3. 10.2.2.3 输入电容器
        4. 10.2.2.4 输出电容器
        5. 10.2.2.5 功率 MOSFET 选择
      3. 10.2.3 应用曲线
  12. 11电源相关建议
  13. 12布局
    1. 12.1 布局指南
    2. 12.2 布局示例
      1. 12.2.1 布局示例参考顶视图
      2. 12.2.2 内层布局和布线示例
  14. 13器件和文档支持
    1. 13.1 器件支持
      1. 13.1.1 第三方产品免责声明
    2. 13.2 文档支持
      1. 13.2.1 相关文档
    3. 13.3 接收文档更新通知
    4. 13.4 支持资源
    5. 13.5 商标
    6. 13.6 静电放电警告
    7. 13.7 术语表
  15. 14机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

ProchotOption1 寄存器(I2C 地址 = 39/38h)[复位 = 81A0h]

图 9-17 ProchotOption1 寄存器(I2C 地址 = 39/38h)[复位 = 81A0h]
7-2 1-0
IDCHG_VTH IDCHG_DEG
R/W R/W
7 6 5 4 3 2 1 0
PP_VDPM PROCHOT_PROFILE_IC PP_ICRIT PP_INOM PP_IDCHG PP_VSYS PP_BATPRES PP_ACOK
R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W R/W
说明:R/W = 读/写;R = 只读;-n = 复位后的值

当 REG0x38[7:0] 设置为禁用时,将不再在 PROCHOT 状态寄存器 REG0x22[7:0] 中报告与该位关联的 PROCHOT 事件,如果发生该事件,PROCHOT 引脚将不再拉至低电平。

表 9-15 ProchotOption1 寄存器(I2C 地址 = 39h)字段说明
I2C
39h
字段 类型 复位 说明
7-2 IDCHG_VTH R/W 100000b

IDCHG 阈值

6 位,范围,范围为 0A 至 32256mA,阶跃 512mA。有一个 128mA 的偏移量。

测量 SRN 和 SRP 之间的电流。

当放电电流高于阈值时触发。

如果该值编程为 000000b,则始终会触发 PROCHOT

默认值: 16384mA 或 100000b

1-0 IDCHG_DEG 读/写 01b

典型 IDCHG 抗尖峰脉冲时间

00b:2ms

01b:130µs <POR 时的默认值>

10b:8ms

11b:16ms

表 9-16 ProchotOption1 寄存器(I2C 地址 = 38h)字段说明
I2C
38h
字段 类型 复位 说明
7 PROCHOT
_PROFILE_VDPM
R/W 1b

PROCHOT 曲线

当所有 REG0x38[7:0] 位都为 0 时,将禁用 PROCHOT 函数。

Bit7 PP_VDPM 检测 VBUS 电压

0b:禁用

1b:启用 <POR 时的默认值>

6 PROCHOT
_PROFILE_COMP
R/W 0b

0b:禁用 <POR 时的默认值>

1b:启用

5 PROCHOT
_PROFILE_ICRIT
R/W 1b

0b:禁用

1b:启用 <POR 时的默认值>

4 PROCHOT
_PROFILE_INOM
R/W 0b

0b:禁用 <POR 时的默认值>

1b:启用

3 PROCHOT
_PROFILE_IDCHG
R/W 0b

0b:禁用 <POR 时的默认值>

1b:启用

2 PROCHOT
_PROFILE_VSYS
R/W 0b

0b:禁用 <POR 时的默认值>

1b:启用

1 PROCHOT
_PROFILE_BATPRES
R/W 0b

0b:禁用 <POR 时的默认值>

1b:启用(触发单稳态下降沿)

如果取出电池后在 PROCHOT 中启用了 BATPRES,它将立即发出单稳态 PROCHOT 脉冲。

0 PROCHOT
_PROFILE_ACOK
R/W 0b

0b:禁用 <POR 时的默认值>

1b:启用

ChargeOption0[15] = 0,可在移除适配器后将 PROCHOT 脉冲置为有效。

如果移除适配器后在 PROCHOT 中启用了 PROCHOT_PROFILE_ACOK,则会将其拉至低电平。