ZHCSNR1 june   2023 AFE43902-Q1 , AFE53902-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性：电压输出
    6. 6.6  电气特性：ADC 输入
    7. 6.7  电气特性：通用
    8. 6.8  时序要求：I2C 标准模式
    9. 6.9  时序要求：I2C 快速模式
    10. 6.10 时序要求：I2C 超快速模式
    11. 6.11 时序要求：SPI 写入操作
    12. 6.12 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 0)
    13. 6.13 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 1)
    14. 6.14 时序要求：PWM 输出
    15. 6.15 时序图
    16. 6.16 典型特性：电压输出
    17. 6.17 典型特性：ADC
    18. 6.18 典型特性：通用
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 智能模拟前端 (AFE) 架构
      2. 7.3.2 编程接口
      3. 7.3.3 非易失性存储器 (NVM)
        1. 7.3.3.1 NVM 循环冗余校验 (CRC)
          1. 7.3.3.1.1 NVM-CRC-FAIL-USER 位
          2. 7.3.3.1.2 NVM-CRC-FAIL-INT 位
      4. 7.3.4 上电复位 (POR)
      5. 7.3.5 外部复位
      6. 7.3.6 寄存器映射锁定
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 数模转换器 (DAC) 模式
        1. 7.4.1.1 电压基准和 DAC 传递函数
          1. 7.4.1.1.1 电源作为基准
          2. 7.4.1.1.2 内部基准
          3. 7.4.1.1.3 外部基准
      2. 7.4.2 脉宽调制 (PWM) 模式
      3. 7.4.3 模数转换器 (ADC) 模式
      4. 7.4.4 多斜率热折返模式
        1. 7.4.4.1 热敏电阻线性化
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SPI 编程模式
      2. 7.5.2 I2C 编程模式
        1. 7.5.2.1 F/S 模式协议
        2. 7.5.2.2 I2C 更新序列
          1. 7.5.2.2.1 地址字节
          2. 7.5.2.2.2 命令字节
        3. 7.5.2.3 I2C 读取序列
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1  NOP 寄存器（地址 = 00h）[复位 = 0000h]
      2. 7.6.2  DAC-x-VOUT-CMP-CONFIG 寄存器（地址 = 15h、03h）[复位 = 0400h]
      3. 7.6.3  COMMON-CONFIG 寄存器（地址 = 1Fh）[复位 = 03F9h]
      4. 7.6.4  COMMON-TRIGGER 寄存器（地址 = 20h）[复位 = 0000h]
      5. 7.6.5  COMMON-PWM-TRIG 寄存器（地址 = 21h）[复位 = 0001h]
      6. 7.6.6  GENERAL-STATUS 寄存器（地址 = 22h）[复位 = 2068h]
      7. 7.6.7  DEVICE-MODE-CONFIG 寄存器（地址 = 25h）[复位 = 8040h]
      8. 7.6.8  INTERFACE-CONFIG 寄存器（地址 = 26h）[复位 = 0000h]
      9. 7.6.9  STATE-MACHINE-CONFIG0 寄存器（地址 = 27h）[复位 = 0003h]
      10. 7.6.10 SRAM-CONFIG 寄存器（地址 = 2Bh）[复位 = 0000h]
      11. 7.6.11 SRAM-DATA 寄存器（地址 = 2Ch）[复位 = 0000h]
      12. 7.6.12 Xx-TEMPERATURE 寄存器（SRAM 地址 = 20h、22h、24h）[复位 = 0000h]
      13. 7.6.13 Yx-TEMPERATURE 寄存器（SRAM 地址 = 21h、23h、25h）[复位 = 0000h]
      14. 7.6.14 Xx-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 26h、28h、2Ah、2Ch）[复位 = 0000h]
      15. 7.6.15 Yx-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 27h、29h、2Bh、2Dh）[复位 = 0000h]
      16. 7.6.16 PWM-FREQUENCY 寄存器（SRAM 地址 = 2Eh）[复位 = 0000h]
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 使用 AFE53902-Q1 和电压输出的多斜率热折返
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用性能曲线图
      2. 8.2.2 使用 AFE43902-Q1 和 PWM 输出的多斜率热折返
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
        3. 8.2.2.3 应用性能曲线图
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.7 电气特性：通用

最小和最大规格的条件为 –40°C ≤ TA ≤ +125°C，典型规格的条件为 TA = 25°C，1.7V ≤ VDD ≤ 5.5V，DAC 基准连接至 VDD，增益 = 1 ×，且数字输入处于 VDD 或 AGND（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
内部基准
初始精度 所有测量的 TA = 25°C 1.1979 1.212 1.224 V
基准输出温度系数(1) (2) 60 ppm/ °C 
外部基准
外部基准输入范围 1.7 VDD V
VREF 输入阻抗(1) (3) 192 kΩ-ch
EEPROM
寿命(1) –40°C ≤ TA ≤ +85°C  20000 周期
TA = 125°C  1000
数据保留(1) 50 年
EEPROM 编程写入周期时间(1) 200 ms
器件启动时间(1) 从电源有效 (VDD ≥ 1.7V) 到输出有效状态（EEPROM 中编程的输出状态）所用的时间，CAP 引脚上具有 0.5µF 电容器 5 ms
数字输入
数字馈通 电压输出模式，中标度 DAC 输出静态，超快速模式，SCL 切换 20 nV-s
引脚电容 每引脚 10 pF
电源
IDD 流入 VDD 的电流 DAC 处于睡眠模式，内部基准关断，外部基准电压为 5.5V 28 µA
流入 VDD 的电流(1) DAC 处于睡眠模式，内部基准已启用，通过内部基准的额外电流 10
DAC 和 ADC 通道已启用，内部基准已启用，每个 DAC 或 ADC 通道通过内部基准的额外电流 12.5 µA-ch
正常运行，状态机已启用 1.05 mA
高阻抗输出
ILEAK 流入 VOUTX 和 VFBX 的电流 DAC 处于高阻态输出模式，1.7V ≤ VDD ≤ 5.5V 10 nA
VDD = 0V，VOUT ≤ 1.5V，VDD 和 AGND 之间的去耦电容 = 0.1μF 200
VDD = 0V，1.5V < VOUT ≤ 5.5V，VDD 和 AGND 之间的去耦电容 = 0.1μF 500
VDD 和 AGND 之间的电阻为 100kΩ，VOUT ≤ 1.25V，OUT 引脚上具有 10kΩ 串联电阻 ±2 µA
(1) 根据设计和特征确定；未经生产测试。
(2) 在 –40°C 和 +125°C 条件下测得，并计算了斜率。
(3) DAC 通道的阻抗以并联方式连接。