ZHCSNR1 june   2023 AFE43902-Q1 , AFE53902-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性：电压输出
    6. 6.6  电气特性：ADC 输入
    7. 6.7  电气特性：通用
    8. 6.8  时序要求：I2C 标准模式
    9. 6.9  时序要求：I2C 快速模式
    10. 6.10 时序要求：I2C 超快速模式
    11. 6.11 时序要求：SPI 写入操作
    12. 6.12 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 0)
    13. 6.13 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 1)
    14. 6.14 时序要求：PWM 输出
    15. 6.15 时序图
    16. 6.16 典型特性：电压输出
    17. 6.17 典型特性：ADC
    18. 6.18 典型特性：通用
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 智能模拟前端 (AFE) 架构
      2. 7.3.2 编程接口
      3. 7.3.3 非易失性存储器 (NVM)
        1. 7.3.3.1 NVM 循环冗余校验 (CRC)
          1. 7.3.3.1.1 NVM-CRC-FAIL-USER 位
          2. 7.3.3.1.2 NVM-CRC-FAIL-INT 位
      4. 7.3.4 上电复位 (POR)
      5. 7.3.5 外部复位
      6. 7.3.6 寄存器映射锁定
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 数模转换器 (DAC) 模式
        1. 7.4.1.1 电压基准和 DAC 传递函数
          1. 7.4.1.1.1 电源作为基准
          2. 7.4.1.1.2 内部基准
          3. 7.4.1.1.3 外部基准
      2. 7.4.2 脉宽调制 (PWM) 模式
      3. 7.4.3 模数转换器 (ADC) 模式
      4. 7.4.4 多斜率热折返模式
        1. 7.4.4.1 热敏电阻线性化
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SPI 编程模式
      2. 7.5.2 I2C 编程模式
        1. 7.5.2.1 F/S 模式协议
        2. 7.5.2.2 I2C 更新序列
          1. 7.5.2.2.1 地址字节
          2. 7.5.2.2.2 命令字节
        3. 7.5.2.3 I2C 读取序列
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1  NOP 寄存器（地址 = 00h）[复位 = 0000h]
      2. 7.6.2  DAC-x-VOUT-CMP-CONFIG 寄存器（地址 = 15h、03h）[复位 = 0400h]
      3. 7.6.3  COMMON-CONFIG 寄存器（地址 = 1Fh）[复位 = 03F9h]
      4. 7.6.4  COMMON-TRIGGER 寄存器（地址 = 20h）[复位 = 0000h]
      5. 7.6.5  COMMON-PWM-TRIG 寄存器（地址 = 21h）[复位 = 0001h]
      6. 7.6.6  GENERAL-STATUS 寄存器（地址 = 22h）[复位 = 2068h]
      7. 7.6.7  DEVICE-MODE-CONFIG 寄存器（地址 = 25h）[复位 = 8040h]
      8. 7.6.8  INTERFACE-CONFIG 寄存器（地址 = 26h）[复位 = 0000h]
      9. 7.6.9  STATE-MACHINE-CONFIG0 寄存器（地址 = 27h）[复位 = 0003h]
      10. 7.6.10 SRAM-CONFIG 寄存器（地址 = 2Bh）[复位 = 0000h]
      11. 7.6.11 SRAM-DATA 寄存器（地址 = 2Ch）[复位 = 0000h]
      12. 7.6.12 Xx-TEMPERATURE 寄存器（SRAM 地址 = 20h、22h、24h）[复位 = 0000h]
      13. 7.6.13 Yx-TEMPERATURE 寄存器（SRAM 地址 = 21h、23h、25h）[复位 = 0000h]
      14. 7.6.14 Xx-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 26h、28h、2Ah、2Ch）[复位 = 0000h]
      15. 7.6.15 Yx-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 27h、29h、2Bh、2Dh）[复位 = 0000h]
      16. 7.6.16 PWM-FREQUENCY 寄存器（SRAM 地址 = 2Eh）[复位 = 0000h]
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 使用 AFE53902-Q1 和电压输出的多斜率热折返
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用性能曲线图
      2. 8.2.2 使用 AFE43902-Q1 和 PWM 输出的多斜率热折返
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
        3. 8.2.2.3 应用性能曲线图
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

5 引脚配置和功能

GUID-20230313-SS0I-HVVC-5HW4-3QKS2DVMXJXT-low.svg图 5-1 RTE 封装，16 引脚 WQFN（顶视图）
表 5-1 引脚功能
引脚 类型 说明
编号 名称
1 FB0 输入 通过上拉电阻将此引脚连接到 VDD。
2 AIN0 输入 ADC0 的模拟输入。
3 NC — 未连接。
4 NC — 未连接。
5 NC/SDO 输出 此引脚可配置为 SDO。对于 SDO 模式，通过外部上拉电阻将此引脚连接到 I/O 电压。
6 SCL/SYNC 输出 I2C 串行接口时钟或 SPI 芯片选择输入。使用外部上拉电阻器将此引脚连接到 I/O 电压。
7 A0/SDI 输入 用于 I2C 的地址配置输入或用于 SPI 的串行数据输入。对于 A0 功能中，将此引脚连接到 VDD、AGND、SDA 或 SCL 以进行地址配置。对于 SDI 功能，无需上拉或下拉此引脚。
8 SDA/SCLK/PWM 输入/输出 双向 I2C 串行数据总线或 SPI 时钟输入。使用外部上拉电阻器将此引脚连接到 I/O 电压。该引脚用作多斜率热折返的 PWM 输出。将 MODE 引脚拉至高电平以启用 PWM 输出。
9 NC — 未连接。
10 NC — 未连接。
11 OUT1 输出 对于电压输出，此引脚是 DAC 通道 0 的模拟输出。
在 PWM 输出模式下，将此引脚保持未连接状态。
12 FB1 输入 对于电压输出，此引脚是 DAC 通道 0 的电压反馈输入。将此引脚连接到 OUT0 以实现闭环放大器输出。
在 PWM 输出模式下，将此引脚保持未连接状态。
13 CAP 功率 用于内部 LDO 的外部旁路电容器。在 CAP 和 AGND 间连接一个电容器（约 1.5μF）。
14 模拟接地 (AGND) 接地 此器件上用于所有电路的接地参考点。
15 VDD 功率 电源电压：1.8V 至 5.5V
16 VREF/MODE 输入 外部基准或接口模式选择输入。在 VREF/MODE 和 AGND 之间连接一个电容（约 0.1μF）。当外部基准未使用时，应使用一个上拉电阻器连接到 VDD。确保该引脚不会在 VDD 之前斜升。如果使用外部基准或处于接口选择模式时，需确保基准电压在 VDD 之后斜升。将该引脚拉至低电平可启用 I2C 或 SPI 通信。将该引脚拉至高电平可启用 PWM 输出。
散热焊盘 散热焊盘 接地 将散热焊盘连接至 AGND。