ZHCSNR1 june   2023 AFE43902-Q1 , AFE53902-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性：电压输出
    6. 6.6  电气特性：ADC 输入
    7. 6.7  电气特性：通用
    8. 6.8  时序要求：I2C 标准模式
    9. 6.9  时序要求：I2C 快速模式
    10. 6.10 时序要求：I2C 超快速模式
    11. 6.11 时序要求：SPI 写入操作
    12. 6.12 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 0)
    13. 6.13 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 1)
    14. 6.14 时序要求：PWM 输出
    15. 6.15 时序图
    16. 6.16 典型特性：电压输出
    17. 6.17 典型特性：ADC
    18. 6.18 典型特性：通用
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 智能模拟前端 (AFE) 架构
      2. 7.3.2 编程接口
      3. 7.3.3 非易失性存储器 (NVM)
        1. 7.3.3.1 NVM 循环冗余校验 (CRC)
          1. 7.3.3.1.1 NVM-CRC-FAIL-USER 位
          2. 7.3.3.1.2 NVM-CRC-FAIL-INT 位
      4. 7.3.4 上电复位 (POR)
      5. 7.3.5 外部复位
      6. 7.3.6 寄存器映射锁定
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 数模转换器 (DAC) 模式
        1. 7.4.1.1 电压基准和 DAC 传递函数
          1. 7.4.1.1.1 电源作为基准
          2. 7.4.1.1.2 内部基准
          3. 7.4.1.1.3 外部基准
      2. 7.4.2 脉宽调制 (PWM) 模式
      3. 7.4.3 模数转换器 (ADC) 模式
      4. 7.4.4 多斜率热折返模式
        1. 7.4.4.1 热敏电阻线性化
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SPI 编程模式
      2. 7.5.2 I2C 编程模式
        1. 7.5.2.1 F/S 模式协议
        2. 7.5.2.2 I2C 更新序列
          1. 7.5.2.2.1 地址字节
          2. 7.5.2.2.2 命令字节
        3. 7.5.2.3 I2C 读取序列
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1  NOP 寄存器（地址 = 00h）[复位 = 0000h]
      2. 7.6.2  DAC-x-VOUT-CMP-CONFIG 寄存器（地址 = 15h、03h）[复位 = 0400h]
      3. 7.6.3  COMMON-CONFIG 寄存器（地址 = 1Fh）[复位 = 03F9h]
      4. 7.6.4  COMMON-TRIGGER 寄存器（地址 = 20h）[复位 = 0000h]
      5. 7.6.5  COMMON-PWM-TRIG 寄存器（地址 = 21h）[复位 = 0001h]
      6. 7.6.6  GENERAL-STATUS 寄存器（地址 = 22h）[复位 = 2068h]
      7. 7.6.7  DEVICE-MODE-CONFIG 寄存器（地址 = 25h）[复位 = 8040h]
      8. 7.6.8  INTERFACE-CONFIG 寄存器（地址 = 26h）[复位 = 0000h]
      9. 7.6.9  STATE-MACHINE-CONFIG0 寄存器（地址 = 27h）[复位 = 0003h]
      10. 7.6.10 SRAM-CONFIG 寄存器（地址 = 2Bh）[复位 = 0000h]
      11. 7.6.11 SRAM-DATA 寄存器（地址 = 2Ch）[复位 = 0000h]
      12. 7.6.12 Xx-TEMPERATURE 寄存器（SRAM 地址 = 20h、22h、24h）[复位 = 0000h]
      13. 7.6.13 Yx-TEMPERATURE 寄存器（SRAM 地址 = 21h、23h、25h）[复位 = 0000h]
      14. 7.6.14 Xx-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 26h、28h、2Ah、2Ch）[复位 = 0000h]
      15. 7.6.15 Yx-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 27h、29h、2Bh、2Dh）[复位 = 0000h]
      16. 7.6.16 PWM-FREQUENCY 寄存器（SRAM 地址 = 2Eh）[复位 = 0000h]
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 使用 AFE53902-Q1 和电压输出的多斜率热折返
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用性能曲线图
      2. 8.2.2 使用 AFE43902-Q1 和 PWM 输出的多斜率热折返
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
        3. 8.2.2.3 应用性能曲线图
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

7.6.6 GENERAL-STATUS 寄存器（地址 = 22h）[复位 = 2068h]

图 7-19 GENERAL-STATUS 寄存器
15 14 13 12 11 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
NVM-CRC-FAIL-INT NVM-CRC-FAIL-USER X DAC-0-BUSY X DAC-1-BUSY NVM-BUSY DEVICE-ID VERSION-ID
R-0h R-0h X-1h R-0h X-0h R-0h R-0h AFE53902-Q1：R-10h
AFE43902-Q1：R-11h		 R-0h
表 7-19 GENERAL-STATUS 寄存器字段说明
位 字段 类型 复位 说明
15 NVM-CRC-FAIL-INT R 0 0：OTP 中无 CRC 错误。
1：表示 OTP 加载失败。软件复位或下电上电可在发生临时故障时使器件脱离此状态。
14 NVM-CRC-FAIL-USER R 0 0：NVM 加载中无 CRC 错误。
1：表示 NVM 加载失败。寄存器设置已损坏。该器件允许在该错误条件下执行所有操作。重新对 NVM 进行编程以获得原始状态。软件复位可使器件摆脱此临时错误状态。
13 X X 1 不用考虑。
12 DAC-0-BUSY R 0 0：DAC-0 通道接受命令。
1：DAC-0 通道不接受命令。
11-10 X X 0 不用考虑。
9 DAC-1-BUSY R 0 0：DAC-1 通道接受命令。
1：DAC-1 通道不接受命令。
8 NVM-BUSY R 0 0：NVM 可用于读取和写入。
1：NVM 不可用于读取或写入。
7-2 DEVICE-ID R AFE53902-Q1：10h
AFE43902-Q1：11h		 器件标识符。
1-0 VERSION-ID R 00 版本标识符。