ZHCSNR1 june   2023 AFE43902-Q1 , AFE53902-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 修订历史记录
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  电气特性：电压输出
    6. 6.6  电气特性：ADC 输入
    7. 6.7  电气特性：通用
    8. 6.8  时序要求：I2C 标准模式
    9. 6.9  时序要求：I2C 快速模式
    10. 6.10 时序要求：I2C 超快速模式
    11. 6.11 时序要求：SPI 写入操作
    12. 6.12 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 0)
    13. 6.13 时序要求：SPI 读取和菊花链操作 (FSDO = 1)
    14. 6.14 时序要求：PWM 输出
    15. 6.15 时序图
    16. 6.16 典型特性：电压输出
    17. 6.17 典型特性：ADC
    18. 6.18 典型特性：通用
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 智能模拟前端 (AFE) 架构
      2. 7.3.2 编程接口
      3. 7.3.3 非易失性存储器 (NVM)
        1. 7.3.3.1 NVM 循环冗余校验 (CRC)
          1. 7.3.3.1.1 NVM-CRC-FAIL-USER 位
          2. 7.3.3.1.2 NVM-CRC-FAIL-INT 位
      4. 7.3.4 上电复位 (POR)
      5. 7.3.5 外部复位
      6. 7.3.6 寄存器映射锁定
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 数模转换器 (DAC) 模式
        1. 7.4.1.1 电压基准和 DAC 传递函数
          1. 7.4.1.1.1 电源作为基准
          2. 7.4.1.1.2 内部基准
          3. 7.4.1.1.3 外部基准
      2. 7.4.2 脉宽调制 (PWM) 模式
      3. 7.4.3 模数转换器 (ADC) 模式
      4. 7.4.4 多斜率热折返模式
        1. 7.4.4.1 热敏电阻线性化
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 SPI 编程模式
      2. 7.5.2 I2C 编程模式
        1. 7.5.2.1 F/S 模式协议
        2. 7.5.2.2 I2C 更新序列
          1. 7.5.2.2.1 地址字节
          2. 7.5.2.2.2 命令字节
        3. 7.5.2.3 I2C 读取序列
    6. 7.6 寄存器映射
      1. 7.6.1  NOP 寄存器（地址 = 00h）[复位 = 0000h]
      2. 7.6.2  DAC-x-VOUT-CMP-CONFIG 寄存器（地址 = 15h、03h）[复位 = 0400h]
      3. 7.6.3  COMMON-CONFIG 寄存器（地址 = 1Fh）[复位 = 03F9h]
      4. 7.6.4  COMMON-TRIGGER 寄存器（地址 = 20h）[复位 = 0000h]
      5. 7.6.5  COMMON-PWM-TRIG 寄存器（地址 = 21h）[复位 = 0001h]
      6. 7.6.6  GENERAL-STATUS 寄存器（地址 = 22h）[复位 = 2068h]
      7. 7.6.7  DEVICE-MODE-CONFIG 寄存器（地址 = 25h）[复位 = 8040h]
      8. 7.6.8  INTERFACE-CONFIG 寄存器（地址 = 26h）[复位 = 0000h]
      9. 7.6.9  STATE-MACHINE-CONFIG0 寄存器（地址 = 27h）[复位 = 0003h]
      10. 7.6.10 SRAM-CONFIG 寄存器（地址 = 2Bh）[复位 = 0000h]
      11. 7.6.11 SRAM-DATA 寄存器（地址 = 2Ch）[复位 = 0000h]
      12. 7.6.12 Xx-TEMPERATURE 寄存器（SRAM 地址 = 20h、22h、24h）[复位 = 0000h]
      13. 7.6.13 Yx-TEMPERATURE 寄存器（SRAM 地址 = 21h、23h、25h）[复位 = 0000h]
      14. 7.6.14 Xx-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 26h、28h、2Ah、2Ch）[复位 = 0000h]
      15. 7.6.15 Yx-OUTPUT 寄存器（SRAM 地址 = 27h、29h、2Bh、2Dh）[复位 = 0000h]
      16. 7.6.16 PWM-FREQUENCY 寄存器（SRAM 地址 = 2Eh）[复位 = 0000h]
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 使用 AFE53902-Q1 和电压输出的多斜率热折返
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用性能曲线图
      2. 8.2.2 使用 AFE43902-Q1 和 PWM 输出的多斜率热折返
        1. 8.2.2.1 设计要求
        2. 8.2.2.2 详细设计过程
        3. 8.2.2.3 应用性能曲线图
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.11 时序要求：SPI 写入操作

所有输入信号都在 tr = tf = 1V/ns（VIO 的 10% 至 90%）时指定，而且从 (VIL + VIH) / 2 的电压电平开始，
1.7V ≤ VIO ≤ 5.5V，1.7V ≤ VDD ≤ 5.5V 且 –40°C ≤ TA ≤ +125°C
最小值 标称值 最大值 单位
fSCL 串行时钟频率 50 MHz
tSCLKHIGH SCLK 高电平时间 9 ns
tSCLLOW SCLK 低电平时间 9 ns
tSDIS SDI 建立时间 8 ns
tSDIH SDI 保持时间 8 ns
tCSS SYNC 到 SCLK 下降沿建立时间 18 ns
tCSH SCLK 下降边沿到 SYNC 上升边沿 10 ns
tCSHIGH SYNC 高电平时间 50 ns
tDACWAIT 同一通道的顺序 DAC 更新等待时间（后续 SYNC 上升沿之间的时间） 2 µs