电源、接地布线和去耦电容器对于实现优化布局非常重要。因为去耦电容器会靠近器件和电源的射频引脚和布线，因此布线必须足够粗才能支持器件所需的电流。

• PA_LDO_OUT（引脚 1）：建议将去耦电容器放置在靠近器件引脚的位置，并使用足够粗的布线来实现到电容器的低阻抗路径。有关可视化表示，请参阅图 3-13。
• VDDA_IN1 和 VDDA_IN2（引脚 4 和 5）：去耦电容器的电源侧必须与一个带有两个电源过孔（每个去耦电容器一个）的多边形区域短接在一起。每个电容器的接地侧必须通过单独的过孔直接接地（不要短接在一起），并与顶层接地平面的其余部分隔离。
• 对于 1.8V 电源传输，必须使用粗布线或电源平面来承载 VDD_MAIN_IN、VIO、VDDA_IN1、VDDA_IN2 和 VPP_IN 中所需的总电流消耗量。有关最大电流消耗，请参阅表 2-2。
• 1.8V 路径必须位于器件周围的一层上，不能是顶层或接地层（将其放置在第 3 层或第 4 层）。这样，电源路径不能中断顶层（第 1 层）或连续接地层（第 2 层）上的射频布线。每个 1.8V 电源仅使用一个过孔，1.8V 电源电流不得在器件下方流动。
• 对于 3.3V 电源传输，必须使用粗布线或电源平面来承载 PA_LDO_IN 所需的电流消耗量。有关详细信息，请参阅 表 2-2。电源传输也必须置于一个非顶层或接地层的层上（第 3 层或第 4 层）。
• PA_LDO_IN（引脚 39 和 40）：这两个引脚必须与一个实心区域短接在一起。去耦电容器应靠近器件放置。如果可能，使用两个过孔来提供 3.3V 电源轨。
• 引脚 37 和 38 的接地端必须与一个实心区域短接在一起。这个实心区域应该连接至 IC 散热接地焊盘。
• 引脚 3 的接地端必须短接到 IC 下方的散热焊盘以及短接到与 RF 布线相邻的接地平面。

图 3-13 来自 BP-CC3301 设计文件。

图 3-14 是从 M2-CC3301 设计文件中提取的样图。