ZHCSPN3A May   2023  – February 2024 TPS54KB20

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 引脚配置和功能
  6. 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  内部 VCC LDO 以及在 VCC 引脚上使用外部辅助电源
      2. 6.3.2  使能
      3. 6.3.3  可调软启动
      4. 6.3.4  电源正常
      5. 6.3.5  输出电压设置
      6. 6.3.6  遥感
      7. 6.3.7  D-CAP4 控制
      8. 6.3.8  多功能选择 (MSEL) 引脚
      9. 6.3.9  低侧 MOSFET 过零
      10. 6.3.10 电流检测和正过流保护
      11. 6.3.11 低侧 MOSFET 负电流限值
      12. 6.3.12 过压和欠压保护
      13. 6.3.13 输出电压放电
      14. 6.3.14 UVLO 保护
      15. 6.3.15 热关断保护
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 自动跳跃 Eco-mode 轻负载运行
      2. 6.4.2 强制连续导通模式
      3. 6.4.3 通过单根总线为该器件供电
      4. 6.4.4 通过分离轨配置为该器件供电
  8. 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1  输出电压设定点
        2. 7.2.2.2  选择开关频率和工作模式
        3. 7.2.2.3  选择电感器
        4. 7.2.2.4  设置电流限值 (ILIM)
        5. 7.2.2.5  选择输出电容器
        6. 7.2.2.6  RAMP 选择
        7. 7.2.2.7  选择输入电容器 (CIN)
        8. 7.2.2.8  软启动电容器(SS 引脚)
        9. 7.2.2.9  EN 引脚电阻分压器
        10. 7.2.2.10 VCC 旁路电容器
        11. 7.2.2.11 自举电容器
        12. 7.2.2.12 RC 缓冲器
        13. 7.2.2.13 PG 上拉电阻器
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 电源相关建议
    4. 7.4 布局
      1. 7.4.1 布局指南
      2. 7.4.2 布局示例
  9. 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

引脚配置和功能

GUID-20220519-SS0I-VWWP-S3TC-1LT36T3VRNPK-low.svg图 4-1 RZR 封装16 引脚 WQFN-FCRLF顶视图
GUID-20220706-SS0I-2LMF-VBRZ-WVQLLZHD1XTZ-low.svg图 4-2 RZR 封装16 引脚 WQFN-FCRLF底视图
表 4-1 引脚功能
引脚 类型(1) 说明
编号 名称
2 AGND G 内部控制电路的模拟地回路和基准。
5 BOOT I/O 内部高侧 MOSFET 栅极驱动器(升压端子)的电源。从该引脚到 SW 节点之间连接自举电容器。
1 EN I 使能引脚。使能引脚可开启或关闭直流/直流开关转换器。在启动前将 EN 引脚悬空会禁用转换器。EN 引脚上施加的最大建议电压为 5.5V。TI 建议将 EN 引脚直接连接到 VIN 引脚。
14 FB I 输出电压反馈输入。从输出电压到 GOSNS(抽头至 FB 引脚)的电阻分压器可设置输出电压。将 FB 分压器连接到负载附近的输出电压。
13 GOSNS I 差分遥感电路的负输入端。连接到负载附近的接地检测点。
12 ILIM I 电流限值设置引脚。将一个电阻连接到 AGND 即可设置电流限值跳变点。TI 建议使用容差为 ±1% 的电阻。有关 OCL 设置的详细信息,请参阅节 6.3.10
11 MSEL I 多功能选择引脚。从 MSEL 引脚到 AGND 的电阻器用于选择强制连续导通模式 (FCCM) 或跳跃模式运行、工作频率和 PWM 斜坡设置。要求使用容差为 ±1% 的电阻。详细信息,请参阅表 6-4
10 PG O 开漏电源正常状态信号。将外部上拉电阻器连接到电压源。当 FB 电压超出指定限值时,PG 在指定的延迟后变为低电平。
4、8、16 PGND G 功率级接地回路。此引脚在内部连接到低侧 MOSFET 的源极。在 PGND 引脚下方放置尽可能多的过孔,并尽可能靠近 PGND 引脚。此操作可以更大限度减小寄生阻抗并降低热阻。
15 SS I 将电容器连接到 AGND 以设置 SS 时间。为避免在软启动电容器充电期间发生过冲,该引脚需要一个最小值为 10nF 的电容器。
6 SW O 电源转换器的输出开关端子。将该引脚连接到输出电感器。
7 VCC P 内部 3V LDO 输出。可将 3.3V 或 5V 的外部辅助电源连接到该引脚以减少内部 LDO 上的功率损耗。该引脚上的电压源为内部电路和栅极驱动器供电。从 VCC 引脚到 PGND 之间连接一个额定电压 > 6.3V 的 1μF 陶瓷电容器进行旁路。将此电容器尽可能靠近 VCC 和 PGND 引脚放置。
3、9 VIN P 功率级 MOSFET 和内部 LDO 的电源输入引脚。应将 VIN 引脚和 PGND 引脚之间的去耦输入电容器尽可能靠近放置。需要靠近 IC 在每个 VIN 和 PGND 之间连接一个电容器。
I = 输入,O = 输出,P = 电源,G = 地