TIDA-00281

汽车类 48V 1kW 电机驱动参考设计

TIDA-00281

设计文件

概述

TIDA-00281 是适用于 48V 汽车应用的三相无刷直流 (BLDC) 电机驱动器。该板旨在驱动 1kW 范围内的电机,可应对高达 30A 的电流。此设计采用了与 C2000 LaunchPad 结合使用的模拟电路,无需霍尔效应传感器或正交编码器提供位置反馈即可旋转三相 BLDC 电机。

特性
  • 无需位置传感器即可实现三相 BLDC 电机的速度控制
  • 通过相电压和电流检测进行调节和滤波反馈来控制三相电源
  • 可在 48V 电池系统的较宽电压范围内工作
  • 对 12V 电池提供反极性保护

设计文件和产品

设计文件

下载现成的系统文件,加快您的设计过程。

TIDUAY9.PDF (6597 K)

参考设计概述和经过验证的性能测试数据

TIDRIN2.PDF (517 K)

设计布局和元件的详细原理图

TIDRIN3.PDF (104 K)

设计元件、引用标识符和制造商/器件型号的完整列表

TIDRIN4.PDF (541 K)

元件放置方式设计布局的详细原理图

TIDRIN6.ZIP (1813 K)

IC 元件的 3D 模型和 2D 图纸使用的文件

TIDCBD1A.ZIP (1533 K)

包含设计 PCB 物理板层信息的设计文件

TIDRIN5.PDF (5447 K)

用于生成 PCB 设计布局的 PCB 层图文件

产品

在设计中包括 TI 产品和可能的替代产品。

半桥驱动器

UCC27201A-Q1具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 3A、120V 半桥栅极驱动器

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CAN、LIN 收发器和 SBC

HVDA553-Q1具有 I/O 电平调节和低功耗模式电源优化功能的汽车 5 V CAN 收发器

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N 沟道 MOSFET

CSD18531Q5A采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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N 沟道 MOSFET

CSD19535KTT采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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N 沟道 MOSFET

CSD19536KTT采用 D2PAK 封装的单路、2.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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升压控制器(外部开关)

TPS40210-Q1具有 700mV 基准电压的 4.5V 至 52V 宽输入范围电流模式升压控制器

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数字隔离器

ISO7331C低功耗、三通道、2/1、25Mbps 数字隔离器

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模拟温度传感器

LMT86-Q1汽车级、2.2V、10uA 模拟输出温度传感器

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理想二极管/ORing 控制器

LM74610-Q10.48V 至 42V、零 IQ 汽车理想二极管控制器

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电子保险丝和热插拔控制器

LM5060-Q1汽车类 5.5V 至 65V 高侧保护控制器

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降压转换器(集成开关)

TPS62152-Q1采用 3x3 QFN 封装的汽车类 3-17V 1A 降压转换器

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霍尔效应锁存器和开关

DRV5013-Q1汽车类、高电压(高达 38V)、高带宽 (30kHz) 霍尔效应锁存器

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高速运算放大器 (GBW ≥ 50 MHz)

OPA2365-Q1汽车类 2.2V、50MHz 低噪声单电源轨到轨运算放大器

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高速运算放大器 (GBW ≥ 50 MHz)

OPA365-Q1汽车类 2.2V、50MHz 低噪声单电源轨到轨运算放大器

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开始开发

软件

支持软件

TIDA-00281 Software — TIDCBD2.ZIP (2747 K)

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* 设计指南 Digital Power Factor Converter (PFC) for Telecom and Server Design Guide 2015年 10月 26日

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