ZHCSDH9B March   2015  – August 2016 CSD19536KTT

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 接收文档更新通知
    2. 6.2 社区资源
    3. 6.3 商标
    4. 6.4 静电放电警告
    5. 6.5 Glossary
  7. 7机械、封装和可订购信息
    1. 7.1 KTT 封装尺寸
    2. 7.2 推荐的 PCB 布局
    3. 7.3 建议模版开孔

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • KTT|3
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低热阻
  • 雪崩级
  • 无铅引脚镀层
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • D2PAK 塑料封装

应用

  • 次级侧同步整流器
  • 热插拔
  • 电机控制

说明

这款 100V、2mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率转换应用中的 损耗。

空白

引脚分配
CSD19536KTT FET_Pins.gif

产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 100 V
Qg 栅极电荷总量 (10V) 118 nC
Qgd 栅极电荷(栅极到漏极) 17 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = 6V 2.2
VGS = 10V 2
VGS(th) 阈值电压 2.5 V

器件信息(1)

器件 数量 包装介质 封装 运输
CSD19536KTT 500 13 英寸卷带 D2PAK 塑料封装 卷带封装
CSD19536KTTT 50
  1. 如需了解所有可用封装,请参阅产品说明书末尾的可订购产品附录。

绝对最大额定值

TA = 25°C 单位
VDS 漏源电压 100 V
VGS 栅源电压 ±20 V
ID 持续漏极电流
(受封装限制)
200 A
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 25°C 时测得 272
持续漏极电流(受芯片限制),TC = 100°C 时测得 192
IDM 脉冲漏极电流(1) 400 A
PD 功率耗散 375 W
TJ
Tstg
工作结温,
储存温度
-55 至 175 °C
EAS 雪崩能量,单脉冲
ID = 127A,L = 0.1mH,RG = 25Ω
806 mJ
  1. 最大 RθJC = 0.4°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%。

.

RDS(on) 与 VGS 对比

CSD19536KTT D007_SLPS540.gif

栅极电荷

CSD19536KTT D004_SLPS540_FP.gif