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SN6505B

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适用于隔离电源的低噪声、1A、420kHz 变压器驱动器

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SN6505B

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Rating Catalog Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 2.25 Iout (typ) (A) 1 Features Enable, Short-circuit protection, Slew-rate control, Spread spectrum clocking, Thermal shutdown Soft start Yes Operating temperature range (°C) -55 to 125 Iout (max) (A) 1.5 Switching frequency (min) (kHz) 363 Switching frequency (max) (kHz) 517 Switch current limit (typ) (A) 2
Rating Catalog Vin (max) (V) 5.5 Vin (min) (V) 2.25 Iout (typ) (A) 1 Features Enable, Short-circuit protection, Slew-rate control, Spread spectrum clocking, Thermal shutdown Soft start Yes Operating temperature range (°C) -55 to 125 Iout (max) (A) 1.5 Switching frequency (min) (kHz) 363 Switching frequency (max) (kHz) 517 Switch current limit (typ) (A) 2
SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² (2.9 mm × 2.8 mm)
  • 用于变压器的推挽式驱动器
  • 宽输入电压范围：2.25V 至 5.5V
  • 高输出驱动：5V 电源下为 1A
  • 低 R ON，4.5V 电源时的最大值为 0.25Ω
  • 超低 EMI
  • 扩频时钟
  • 精密内部振荡器选项：160kHz ( SN6505A) 和 420kHz ( SN6505B)
  • 通过外部时钟输入同步多个器件
  • 转换率控制
  • 1.7A 限流
  • 低关断电流：< 1µA
  • 热关断
  • 宽温度范围：-55°C 至 125°C
  • 小型 6 引脚 SOT23 (DBV) 封装
  • 支持软启动，可减小浪涌电流
  • 用于变压器的推挽式驱动器
  • 宽输入电压范围：2.25V 至 5.5V
  • 高输出驱动：5V 电源下为 1A
  • 低 R ON，4.5V 电源时的最大值为 0.25Ω
  • 超低 EMI
  • 扩频时钟
  • 精密内部振荡器选项：160kHz ( SN6505A) 和 420kHz ( SN6505B)
  • 通过外部时钟输入同步多个器件
  • 转换率控制
  • 1.7A 限流
  • 低关断电流：< 1µA
  • 热关断
  • 宽温度范围：-55°C 至 125°C
  • 小型 6 引脚 SOT23 (DBV) 封装
  • 支持软启动，可减小浪涌电流

SN6505x 是一款低噪声、低 EMI 的推挽式变压器驱动器，专为小型隔离式电源而设计。该器件通过 2.25V 至 5V 的直流电源来驱动薄型、 中间抽头的变压器。通过输出开关电压的转换速率控制和扩频时钟 (SSC) 可实现 超低噪声和 EMI。 SN6505x 包含一个振荡器，然后是一个栅极驱动器电路，此电路提供补偿输出信号以驱动接地参考 N 通道电源开关。该器件包含两个 1A 电源 MOSFET 开关，以确保在重负载条件下正常启动。开关时钟也可由外部提供，以准确放置开关谐波或者在与多个变压器驱动器搭配工作时。内部保护特性包括 1.7A 限流、欠压锁定、热关断和先断后合电路。 SN6505x 具有 软启动功能，可防止大负载电容器在上电过程中出现高浪涌电流。 SN6505A 有 160kHz 内部振荡器，适用于需要大幅降低辐射的应用；而 SN6505B 有 420kHz 内部振荡，适用于需要更高效率和更小变压器尺寸的应用。 SN6505x 采用小型 6 引脚 SOT23/DBV 封装。该器件的运行温度范围为 –55°C 至 125°C。

SN6505x 是一款低噪声、低 EMI 的推挽式变压器驱动器，专为小型隔离式电源而设计。该器件通过 2.25V 至 5V 的直流电源来驱动薄型、 中间抽头的变压器。通过输出开关电压的转换速率控制和扩频时钟 (SSC) 可实现 超低噪声和 EMI。 SN6505x 包含一个振荡器，然后是一个栅极驱动器电路，此电路提供补偿输出信号以驱动接地参考 N 通道电源开关。该器件包含两个 1A 电源 MOSFET 开关，以确保在重负载条件下正常启动。开关时钟也可由外部提供，以准确放置开关谐波或者在与多个变压器驱动器搭配工作时。内部保护特性包括 1.7A 限流、欠压锁定、热关断和先断后合电路。 SN6505x 具有 软启动功能，可防止大负载电容器在上电过程中出现高浪涌电流。 SN6505A 有 160kHz 内部振荡器，适用于需要大幅降低辐射的应用；而 SN6505B 有 420kHz 内部振荡，适用于需要更高效率和更小变压器尺寸的应用。 SN6505x 采用小型 6 引脚 SOT23/DBV 封装。该器件的运行温度范围为 –55°C 至 125°C。
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设计与开发

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ISO5852SDWEVM-017 — 适用于 SiC 和 IGBT 电源模块的驱动和保护评估板

ISO5852SDWEVM-017 是一款紧凑型双通道隔离式栅极驱动器电路板，可提供采用标准 62mm 封装的半桥 SiC MOSFET 和 IGBT 电源模块所需的驱动、偏置电压、保护和诊断功能。该 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 IC ISO5852SDW 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式偏置电源以及通过放大器 AMC1401 实现的温度和总线电压隔离式监控。

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UCC21750QDWEVM-025 — 适用于 SiC 和 IGBT 晶体管和电源模块的驱动和保护评估板

UCC21750QDWEVM-025 是一个紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，可提供采用 150mm x 62mm x 17mm 和 106mm x 62mm x 30mm 封装的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 电源模块所需的驱动电压、偏置电压，以及基于去饱和功能的保护和诊断。此 TI EVM 以 5.7kVrms 增强型隔离驱动器 UCC21750 为基础，后者采用 SOIC-16DW 封装，具有 8.0mm 爬电距离和间隙。该 EVM 包含基于 SN6505B 的隔离式直流/直流变压器偏置电源。
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