LMG1210
- 工作频率高达 50MHz
- 10ns 典型传播延迟
- 3.4ns 高侧至低侧匹配
- 4ns 最小脉宽
- 两个控制输入选项
- 具有可调死区时间的单个 PWM 输入
- 独立输入模式
- 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流
- 外部自举二极管可实现灵活性
- 内部 LDO 可实现对电压轨的适应能力
- 高 300V/ns CMTI
- HO 到 LO 的电容小于 1pF
- UVLO 和过热保护
- 低电感 WQFN 封装
LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器，专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发， 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配，以优化系统效率。此部件还 具备 一个内部 LDO，可确保 5V 的栅极驱动器电压（而与电源电压无关）。
为了在各种应用中获得 最佳性能，LMG1210 允许设计人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当低侧不导通时，内部开关会关闭自举二极管，以有效防止高侧自举过度充电，并将反向恢复电荷降至最低。GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF，以减少额外的开关损耗。
该 LMG1210 具有 两种控制输入模式：独立输入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中，每个输出都由专用输入独立控制。在 PWM 模式下，两个补偿输出信号由单个输入产生，用户可将每个沿的死区时间从 0ns 调节为 20ns。LMG1210 可在 –40°C 至 125°C 的宽温度范围内运行，并采用低电感 WQFN 封装。
技术文档
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设计与开发
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评估板
LMG1210EVM-012 — LMG1210 半桥开环评估模块
LMG1210EVM-012 旨在评估适用于 GaN FET 的 LMG1210 兆赫兹级 200V 半桥驱动器。该 EVM 包含两个配置在同一半桥中的氮化镓 FET，它们由单个 LMG1210 驱动。该板上没有控制器。
用户指南:
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计算工具
SNOR035 — LMG1210 Component Design Calculator and Schematic Review
参考设计
PMP21440 — 比较：0.8V/8W GaN 与硅电源参考设计
该参考设计为客户提供有关 GaN 与硅在电源设计中使用情况的对比研究。对于硅电源，该特定的设计使用 TPS40400 控制器来驱动 CSD87381，而对于 GaN 电源，则使用采用 EPC2111 的 LMG1210，电源输出为 0.8V/10A。该设计将硅功率级与 GaN 功率级进行比较，以说明在使用 GaN 进行设计时的设计取舍和必要的优化。
参考设计
PMP22951 — 具有有源钳位的 54V、3kW 相移全桥参考设计
该参考设计是一款基于 GaN 的 3kW 相移全桥 (PSFB) 转换器。此设计在次级侧使用了有源钳位来最大限度地减小同步整流器 (SR) MOSFET 上的电压应力，从而支持使用具有更优品质因数 (FOM) 的较低电压等级 MOSFET。PMP22951 在初级侧使用 30mΩ GaN，并在同步整流器中使用 100V、1.8mΩ GaN。通过使用 TMS320F280049C 实时微控制器，可实现 PSFB 控制。PSFB 转换器在 140kHz 开关频率下运行，可在 385V 输入下实现 97.45% 的峰值效率。
参考设计
TIDA-01634 — 适用于高速直流/直流转换器的多兆赫 GaN 功率级参考设计
此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一种多兆赫功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，该设计可以显著提高功率密度，同时实现良好的效率和较宽的控制带宽。此功率级设计可广泛应用于众多需要快速响应的空间受限型应用，例如 5G 电信电源、服务器和工业电源。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| WQFN (RVR) | 19 | Ultra Librarian |
订购和质量
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