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理想二极管 ORing 控制器

LM7480

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具有 -55°C 至 125°C 工作温度范围的 3V 至 65V 背对背 NFET 理想二极管控制器

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Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Catalog Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 300 Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -55 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
Vin (max) (V) 65 Vin (min) (V) 3 FET External back-to-back FET Device type Ideal diode controller Number of channels 1 Rating Catalog Features Automotive load dump compatibility, Inrush current control, Linear control, Overvoltage protection, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Imax (A) 300 Iq (typ) (mA) 0.412 Iq (max) (mA) 0.495 IGate source (typ) (µA) 20000 IGate sink (typ) (mA) 2670 IGate pulsed (typ) (A) 2.6 Operating temperature range (°C) -55 to 125 VSense reverse (typ) (mV) -4.5 Design support EVM, Simulation Model VGS (max) (V) 15 Shutdown current (ISD) (mA) (A) 0.003 Product type Ideal diode controller
WSON (DRR) 12 9 mm² (3 mm × 3 mm)
  • 适用于扩展温度范围的应用
    • 器件温度： -55°C 至 +125°C 环境工作温度范围
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行 (LM74800)
  • 低反向检测阈值 (–4.5mV)，能够快速响应 (0.5µs)
  • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 可调节过压保护
  • 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
  • 适用于扩展温度范围的应用
    • 器件温度： -55°C 至 +125°C 环境工作温度范围
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  • 反向输入保护低至 –65V
  • 在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
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  • 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

LM7480 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 输入供电系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480 有两种型号：LM74800 和 LM74801。LM74800 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能，而 LM74801 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 ORing 设计。LM7480 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中的 200V 未抑制负载突降）的影响。

LM7480 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 输入供电系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480 有两种型号：LM74800 和 LM74801。LM74800 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能，而 LM74801 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 ORing 设计。LM7480 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中的 200V 未抑制负载突降）的影响。
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* 数据表 LM7480 用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V 理想二极管控制器 数据表 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2021-3-8
技术文章 使用理想二极管Ideal Diode 控制器驱动并联 MOSFET PDF | HTML 2025-5-15

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??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
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封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
WSON (DRR) 12 Ultra Librarian
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