TI 的 LM74800 评估模块 LM74800EVM-CS 可帮助设计人员评估具有开关输出的 LM74800-Q1 理想二极管控制器的运行情况和性能。LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。本评估模块演示了 LM74800-Q1 以及配置为共源极拓扑的两个背对背 N 沟道 MOSFET 如何为下行电路提供 200V 未抑制负载突降保护和反向电池保护。第一个栅极驱动器 HGATE 控制外部 N 沟道 MOSFET，以关闭或将输出电压钳制到可接受的安全水平，第二个栅极驱动 DGATE 控制另一个外部 N 沟道 MOSFET，以模拟理想二极管。

EVM 的主要特性包括：

• 12V 和 24V 汽车反向电池保护
• 输入工作范围 3 V 至 65 V
• 12V 电池保护（3V 至 40V）
• 24V 电池保护（3V 至 65V）
• 2A 标称值、2.5A 峰值负载电流
• 支持 200V 未抑制负载突降保护
• 启用开/关控制
• 可编程过压切断和输出钳位运行
• 输出电压压摆率控制
• 用于输出开/关检测的 LED 指示
• 适用于汽车瞬态抗扰度的板载 TVS 保护

• 汽车反向电池保护
• ADAS 域控制器
• 摄像头 ECU
• 音响主机
• USB 集线器
• 电源路径保护、电源多路复用和 ORing

LM74800EVM-CS 默认配置为在冷启动期间提供 24V 电池保护 (6V)、200V 未抑制负载突降保护以及反向电池保护。请注意，在 200V 未抑制负载突降保护期间，只有 VS 引脚将通过 10kΩ 电阻器暴露于 200V。额定电压为 60V 的齐纳二极管用于钳位和保护 VS 引脚。电路的其余部分不会承受更高的电压，因为 MOSFET Q1 可以完全关断，也可以将输出电压钳位到安全电平。

在端子 J1 和 J3 上施加输入电源。端子 J2 和 J4 提供到负载的输出连接。

外部 MCU 或控制器通常使用使能控制来关闭 LM7480x-Q1 并切断电源路径。建议将外部输入连接到跳线 J5 引脚 2。否则，在 J5 上设置 1-2 将启用控制器，而设置 2-3 将禁用控制器。建议将 EN 连接到外部 MCU，以在负瞬态测试期间实现不间断的性能。

过压保护通过跳线 J6 进行配置。J6 上的设置 2-3 可将 OVP 保护配置到输入侧。OVP 上升阈值设置为 38.4V，J6 上设置为 2-3，下降阈值设置为 35.2V。J6 上设置为 1-2 可配置 OV 钳位运行。这为钳位提供了输出电压（迟滞开/关输出）。

Q1 和 Q2 分别是额定电压为 200V 和 60V 的 N 沟道 MOSFET，能够为汽车应用提供 2A 负载电流。MOSFET 以共源极拓扑背对背连接，因此可支持 200V 未抑制负载突降保护、反向电池保护、反向电流阻断，并可在禁用或过压情况下提供电源路径切断。方案 Q3 提供将电流扩展至 5A 的电流，可用于验证其他 MOSFET。

R2 和 C4 提供输出压摆率控制，并可进行更改以实现不同的输出压摆率。

默认情况下，肖特基二极管 D3 未安装在 EVM 上，建议在输出电压可能具有超过 LM7480x-Q1 绝对最大额定值的负瞬态时使用。

D5 指示输出电压的状态。

输入端需要两个 TVS 二极管 D1 和 D2。正极侧两个 TVS 的击穿电压高于最大系统电压 (200V)。在负极侧，二极管 D3 用于钳制 ISO 7637-2 脉冲 1。建议将 SMBJ150A 用作 D2 并将 SMBJ33CA 用作 D1。