本用户指南介绍了 LM74800EVM-CS 评估模块,该评估模块用于评估具有开关输出的理想二极管控制器 LM74800-Q1 和 LM74801-Q1 的性能。LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,以仿真具有电源路径 ON/OFF 控制和过压保护的理想二极管整流器。
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TI 的 LM74800 评估模块 LM74800EVM-CS 可帮助设计人员评估具有开关输出的 LM74800-Q1 理想二极管控制器的运行情况和性能。LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。本评估模块演示了 LM74800-Q1 以及配置为共源极拓扑的两个背对背 N 沟道 MOSFET 如何为下行电路提供 200V 未抑制负载突降保护和反向电池保护。第一个栅极驱动器 HGATE 控制外部 N 沟道 MOSFET,以关闭或将输出电压钳制到可接受的安全水平,第二个栅极驱动 DGATE 控制另一个外部 N 沟道 MOSFET,以模拟理想二极管。
EVM 的主要特性包括:
LM74800EVM-CS 默认配置为在冷启动期间提供 24V 电池保护 (6V)、200V 未抑制负载突降保护以及反向电池保护。请注意,在 200V 未抑制负载突降保护期间,只有 VS 引脚将通过 10kΩ 电阻器暴露于 200V。额定电压为 60V 的齐纳二极管用于钳位和保护 VS 引脚。电路的其余部分不会承受更高的电压,因为 MOSFET Q1 可以完全关断,也可以将输出电压钳位到安全电平。
在端子 J1 和 J3 上施加输入电源。端子 J2 和 J4 提供到负载的输出连接。
外部 MCU 或控制器通常使用使能控制来关闭 LM7480x-Q1 并切断电源路径。建议将外部输入连接到跳线 J5 引脚 2。否则,在 J5 上设置 1-2 将启用控制器,而设置 2-3 将禁用控制器。建议将 EN 连接到外部 MCU,以在负瞬态测试期间实现不间断的性能。