CSD23382F4
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1.0mm × 0.6mm
- 薄型封装
- 最大高度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 2kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 铅端子镀层
- 无卤素
- 符合 RoHS
此 66mΩ、12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
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| * | 数据表 | CSD23382F4 12V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 数据表 (Rev. E) | PDF | HTML | 英语版 (Rev.E) | PDF | HTML | 2022-6-28 |
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| 设计指南 | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016-7-7 |
设计与开发
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评估板
CSD1FPCHEVM-890 — FemtoFET P 沟道评估模块
此 FemtoFET P 沟道 EVM 包含六个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET P 沟道器件型号。 子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。 六个 FemtoFET 支持 12V 至 20V 的 Vds 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。
用户指南:
PDF
支持软件
LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch
快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
参考设计
TIDA-00556 — 面向可穿戴设备的基于负载开关的运输模式参考设计
TIDA-00556 是一款实现低功耗且节省空间的“运输模式”解决方案，专门面向可穿戴设备和其他可使用简单的低成本负载开关实现的小型便携式电子产品。
| 封装 | 引脚 | CAD 符号、封装和 3D 模型 |
|---|---|---|
| PICOSTAR (YJC) | 3 | Ultra Librarian |
订购和质量
推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。