CSD23202W10

正在供货

采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

产品详情

VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 53 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 66 VGSTH typ (typ) (V) -0.6 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.28 QGS (typ) (nC) 0.55 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 53 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 66 VGSTH typ (typ) (V) -0.6 QG (typ) (nC) 2.9 QGD (typ) (nC) 0.28 QGS (typ) (nC) 0.55 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 2.2 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZB) 4 1.5625 mm² (— mm × — mm)
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 小尺寸封装 1mm x 1mm
  • 薄型,0.62mm 高度
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 小尺寸封装 1mm x 1mm
  • 薄型,0.62mm 高度
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

应用范围

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

这款 12V,44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形
封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

这款 12V,44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形
封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

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设计与开发

如需其他信息或资源,请点击以下任一标题进入详情页面查看(如有)。

支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

快速权衡大小、成本和性能,根据应用条件选择合适的 MOSFET。
支持的产品和硬件
仿真模型

CSD23202W10 Unencrypted PSpice Model (Rev. B)

SLPM138B.ZIP (4 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
DSBGA (YZB) 4 Ultra Librarian

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