ZHCSCW2 August   2014 CSD23202W10

PRODUCTION DATA.  

  1. 1特性
  2. 2应用范围
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5Specifications
    1. 5.1 Electrical Characteristics
    2. 5.2 Thermal Information
    3. 5.3 Typical MOSFET Characteristics
  6. 6器件和文档支持
    1. 6.1 商标
    2. 6.2 静电放电警告
    3. 6.3 术语表
  7. 7机械封装和可订购信息
    1. 7.1 CSD23202W10 封装尺寸
    2. 7.2 焊盘布局建议
    3. 7.3 卷带封装信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

1 特性

  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 小尺寸封装 1mm x 1mm
  • 薄型,0.62mm 高度
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素

2 应用范围

  • 电池管理
  • 负载开关
  • 电池保护

3 说明

这款 12V,44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形
封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

顶视图

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产品概要

TA = 25°C 典型值 单位
VDS 漏源电压 -12 V
Qg 栅极电荷总量 (-4.5V) 2.9 nC
Qgd 栅漏栅极电荷 0.28 nC
RDS(on) 漏源导通电阻 VGS = –1.5V 82
VGS = –1.8V 67
VGS = -2.5V 54
VGS = -4.5V 44
VGS(th) 阀值电压 –0.60 V

订购信息(1)

器件 数量 介质 封装 出货
CSD23202W10 3000 7 英寸卷带 1 x 1mm 晶圆级封装 卷带封装
CSD23202W10T 250 7 英寸卷带
  1. 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。

最大绝对额定值

TA = 25°C 单位
VDS 漏源电压 -12 V
VGS 栅源电压 -6 V
ID 持续漏极电流(1) –2.2 A
IDM 脉冲漏极电流(2) –25 A
IG 持续栅极钳位电流 -0.5 A
脉冲栅极钳位电流 -7 A
PD 功率耗散(1) 1 W
TJ
Tstg
运行结温和
储存温度范围
-55 至 150 °C
  1. 器件在 105ºC 温度下运行
  2. RθJA 典型值 = 195°C/W,脉宽 ≤ 100μs,占空比 ≤ 1%

RDS(on) 与 VGS 间的关系

graph07_SLPS533.png

栅极电荷

graph04p2_frontpage_SLPS533.png