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CSD17381F4

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采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、117mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

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产品详情

VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 117 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 143 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.133 QGS (typ) (nC) 0.226 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.1 ID - package limited (A) 3.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 12 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 109 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 117 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 143 VGSTH typ (typ) (V) 0.85 QG (typ) (nC) 1.04 QGD (typ) (nC) 0.133 QGS (typ) (nC) 0.226 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 3.1 ID - package limited (A) 3.1 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJC) 3 0.657225 mm² (1.035 mm × 0.635 mm)
  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS
  • 超低导通电阻
  • 超低 Qg 和 Qgd
  • 低阈值电压
  • 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
    • 1.0mm × 0.6mm
  • 超薄型封装
    • 厚度为 0.36mm
  • 集成型 ESD 保护二极管
    • 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
    • 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
  • 无铅且无卤素
  • 符合 RoHS

此 90mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能更大程度减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

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此 90mΩ、30V N 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能更大程度减小在许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。

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设计指南 FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) 2016-7-7
应用手册 关于减小 NexFET 功率 MOSFET 震荡的方法 英语版 2015-5-12

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

CSD1FNCHEVM-889 — FemtoFET N 沟道评估模块

这个 FemtoFET N 沟道评估模块 (EVM) 包含七个子卡，每个子卡包含一个不同的 FemtoFET N 沟道器件型号。  子卡允许工程师轻松连接和测试这些微型器件。  七个 FemtoFET 支持 12V 至 60V 的 VDS 范围，而这些器件的尺寸包括 F3 (0.6x0.7mm)、F4 (0.6x1.0mm) 和 F5 (0.8x1.5mm)。

用户指南: PDF
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
支持软件

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Load Switch

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
支持的产品和硬件
支持软件

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
支持的产品和硬件
仿真模型

CSD17381F4 TINA-TI Spice Model

SLPM134.TSM (7 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

CSD17381F4 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM073A.ZIP (3 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

FET-SOA-CALC-SELECT — MOSFET SOA calculation and selection tool

Excel based FET SOA calculation and selection tool
支持的产品和硬件
计算工具

SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Buck Converter

快速权衡大小、成本和性能，根据应用条件选择合适的 MOSFET。
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-01352 — 400W 连续、可扩展、±2.5 至 ±150V、可编程超声波电源参考设计

TIDA-01352 通过提供一种可为超声波发射电路供电的数字可编程电源解决方案，实现了模块化且高效的电源扩展能力。此参考设计使用推挽式拓扑，可生成高压 (HV) 和低压 (LV) 或中压电源。高压轨的可编程范围为 ±50V 至 ±150V，低压或中压轨的可编程范围为 ±2.5V 至 ±50V。电源能够在每条电源轨上提供 100W 的连续功率。可编程功能使用板载 12 位数模转换器 (DAC) (...)
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
PICOSTAR (YJC) 3 Ultra Librarian
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