계산 툴
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
LMG3527R030
- 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
- Integrated high precision gate bias voltage
- 200V/ns FET hold-off
- 2MHz switching frequency
- 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
- Operates from 7.5V to 18V supply
- Robust protection
- Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
- Withstands 720V surge while hard-switching
- Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
- Advanced power management
- Digital temperature PWM output
- LMG3526R030 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
- LMG3527R030 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
- Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
The LMG352xR030 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
The LMG352xR030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3526R030 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.The LMG3527R030 includes the zero-current detection (ZCD) feature which provides a pulse output from the ZCD pin when a positive drain-to-source current is detected .
Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.
기술 자료
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1개 모두 보기 | 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG352xR030 650 V 30 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 2025/01/23 |
설계 및 개발
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레퍼런스 디자인
PMP23475 — 제로 전류 감지를 지원하는 GaN 기반 5kW 2상 토템 폴 PFC 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 고밀도, 고효율 5kW PFC(역률 보정) 컨버터로, TI의 고성능 GaN(질화 갈륨) 전원 스위치를 사용해 구현했습니다. 120W/in3의 오픈 프레임 전력 밀도에서 피크 시스템 효율 99.2%를 달성합니다. 이 전력계는 최신형 ZCD(제로 전류 감지) 기반 제어 방식의 2상 토템 폴 PFC를 사용합니다. 새로운 제어 방식은 가변 주파수로 작동하며 모든 작동 조건에서 ZVS(제로 전압 스위칭)를 유지합니다. 제어는 TMS320F280039C 고성능 마이크로컨트롤러와 통합 ZCD 감지 기능을 갖춘 (...)
Test report: PDF
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| VQFN (RQS) | 52 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.