계산 툴
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
LMG2104R022
- GaN half bridge power stage with integrated driver: 100V (GaN FET options: 2.2mΩ, 4.4mΩ)
- Efficient and high-density power conversion with
- Ultra-low propagation delay (20ns) and matching (2ns)
- Independent turn-on and turn-off slew-rate control for both the GaN FETs
- Zero-voltage detection (ZVD) reporting for dead-time optimization
- Ideal diode mode (IDM) to reduce third quadrant losses in soft switching application
- Input control flexibility
- Independent input mode (IIM) control
- Single PWM input with resistor programmable dead time option for IO-limited controllers
- Robust protection
- Interlock protection in IIM mode (LMG2104)
- Internal bootstrap supply voltage regulation to prevent GaN FET overdrive
- VDS monitoring based cycle-by-cycle short-circuit protection
- Fault indication for over-temperature, supply under-voltage and short-circuit events
- External bias power supply: 5V
- Supports 3.3V and 5V input logic levels
- Parasitic optimized QFN package with exposed top pad to support top-side cooling
The LMG210xR0xx device is a family of 100V half-bridge power stages, with integrated gate-driver and enhancement-mode gallium nitride (GaN) FETs. The devices consist of a high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration, that drives two 100V GaN FETs.
GaN FETs provide significant advantages for power conversion as GaN FETs have zero reverse recovery and very small input capacitance (CISS) and output capacitance (COSS). All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements, which can be easily mounted on PCBs.
The TTL logic compatible inputs support 3.3V and 5V logic levels, regardless of the VCC voltage. A proprietary bootstrap voltage control technique regulates the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs within the safe operating range. The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. The device is an excellent option for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor.
기술 자료
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3개 모두 보기 | 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG210xR0xx 100V GaN Half-Bridge Power Stage With Integrated Protection and Smart-Switching Features datasheet | PDF | HTML | 2026/05/19 |
| EVM User's guide | LMG210XR22 Evaluation Module (Rev. A) | PDF | HTML | 2025/10/30 | |
| Certificate | LMG210XEVM-143 EU Declaration of Conformity (DoC) | 2025/09/18 |
설계 및 개발
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평가 보드
LMG210XEVM-121 — LMG2104R044 평가 모듈
LMG210XR044 평가 모듈은 외부 PWM 신호가 포함된 사용하기 쉬운 소형 파워 스테이지입니다. 이 보드는 하프 브리지를 사용하여 벅 컨버터, 부스트 컨버터 또는 기타 컨버터 토폴로지로 구성할 수 있습니다. 이 장치는 효율성, 스위칭 속도 및 dv/dt(회전율) 같은 측정을 샘플링하는 하드 스위치 컨버터로 LMG210XR044의 성능을 평가하는 데 사용할 수 있습니다. 이 EVM은 80V GaN FET 하프 브리지 게이트 드라이버로 구동되는 100V, 4.4mΩ GaN FET 2개가 포함된 LMG210XR044 하프 브리지 (...)
평가 보드
LMG210XEVM-143 — LMG2104R022 평가 모듈
LMG210XR022 EVM(평가 모듈)은 외부 PWM 신호가 포함된 사용하기 쉬운 소형 전력계입니다. 이 보드는 하프 브리지를 사용하여 벅 컨버터, 부스트 컨버터 또는 다른 컨버터 토폴로지로 구성할 수 있습니다. EVM은 효율성, 스위칭 속도 및 dv/dt(회전율) 같은 측정을 샘플링하는 하드 스위치 컨버터로 LMG210XR022의 성능을 평가하는 데 사용할 수 있습니다. 이 EVM은 80V GaN FET 하프 브리지 게이트 드라이버로 구동되는 100V, 2.2mΩ GaN FET 2개가 포함된 LMG210XR022 하프 브리지 (...)
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| VQFN-FCRLF (VBN) | 18 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.