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LMG3410R070

활성

600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호

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LMG3410R070

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제품 상세 정보

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 70 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² (8 mm × 8 mm)
  • TI GaN Process Qualified Through Accelerated Reliability In-application Hard-switching Mission Profiles
  • Enables High Density Power Conversion Designs
    • Superior System Performance Over Cascode or Stand-alone GaN FETs
    • Low Inductance 8mm x 8mm QFN Package for Ease of Design, and Layout
    • Adjustable Drive Strength for Switching Performance and EMI Control
    • Digital Fault Status Output Signal
    • Only +12 V Unregulated Supply Needed
  • Integrated Gate Driver
    • Zero Common Source Inductance
    • 20 ns Propagation Delay for MHz Operation
    • Process-tuned Gate Bias Voltage for Reliability
    • 25 to 100V/ns User Adjustable Slew Rate
  • Robust Protection
    • Requires No External Protection Components
    • Over-current Protection with <100ns Response
    • >150V/ns Slew Rate Immunity
    • Transient Overvoltage Immunity
    • Overtemperature Protection
    • UVLO Protection on All Supply Rails
  • Device Options:
    • LMG3410R070: Latched Overcurrent Protection
    • LMG3411R070: Cycle-by-cycle Overcurrent Protection
  • TI GaN Process Qualified Through Accelerated Reliability In-application Hard-switching Mission Profiles
  • Enables High Density Power Conversion Designs
    • Superior System Performance Over Cascode or Stand-alone GaN FETs
    • Low Inductance 8mm x 8mm QFN Package for Ease of Design, and Layout
    • Adjustable Drive Strength for Switching Performance and EMI Control
    • Digital Fault Status Output Signal
    • Only +12 V Unregulated Supply Needed
  • Integrated Gate Driver
    • Zero Common Source Inductance
    • 20 ns Propagation Delay for MHz Operation
    • Process-tuned Gate Bias Voltage for Reliability
    • 25 to 100V/ns User Adjustable Slew Rate
  • Robust Protection
    • Requires No External Protection Components
    • Over-current Protection with <100ns Response
    • >150V/ns Slew Rate Immunity
    • Transient Overvoltage Immunity
    • Overtemperature Protection
    • UVLO Protection on All Supply Rails
  • Device Options:
    • LMG3410R070: Latched Overcurrent Protection
    • LMG3411R070: Cycle-by-cycle Overcurrent Protection

The LMG341xR070 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR070 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100V/ns switching with near zero Vds ringing, <100 ns current limiting self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.

The LMG341xR070 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR070 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100V/ns switching with near zero Vds ringing, <100 ns current limiting self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.
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기술 자료

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백서 Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A) 2018. 11. 19
애플리케이션 노트 High Voltage Half Bridge Design Guide for LMG3410 Smart GaN FET (Rev. A) 2018. 11. 10
Application brief Overcurrent Protection in High-Density GaN Power Designs PDF | HTML 2018. 10. 19
기술 문서 GaN reliability standards reach milestone PDF | HTML 2017. 9. 18
기술 문서 Using Digital Power MCUs for Intelligent EV Battery Charging PDF | HTML 2017. 7. 3
기술 문서 The power to innovate industrial design PDF | HTML 2017. 3. 27
기술 문서 The power to do even more with GaN PDF | HTML 2017. 3. 25
백서 Enabling high-voltage power delivery through the power process chain 2017. 3. 23
기술 문서 Power Tips: Improve power supply reliability with high voltage GaN devices PDF | HTML 2016. 11. 3
기술 문서 It’s hip to be square PDF | HTML 2016. 10. 20
기술 문서 Is integrated GaN changing the conventional wisdom? PDF | HTML 2016. 10. 7
기술 문서 Don't forget the gate driver: it’s the muscle PDF | HTML 2016. 9. 20
기술 문서 Power Tips: How GaN devices boost resonant converter efficiency PDF | HTML 2016. 8. 25
기술 문서 Advantages of wide band gap materials in power electronics – part 2 PDF | HTML 2016. 6. 21
추가 자료 Product-level Reliability of GaN Devices 2016. 4. 26
기술 문서 From blue light to green power PDF | HTML 2016. 4. 26
백서 Application-Relevant Qualification of Emerging Semiconductor Power Devices, GaN 2016. 3. 31
기술 문서 Let’s GaN together, reliably PDF | HTML 2016. 3. 22
백서 Optimizing GaN performance with an integrated driver PDF | HTML 2016. 2. 24
백서 Redefining power management through high-voltage innovation 2015. 11. 12
백서 GaN FET-Based CCM Totem-Pole Bridgeless PFC 2015. 10. 2
백서 A comprehensive methodology to qualify the reliability of GaN products 2015. 3. 2
백서 Advancing Power Supply Solutions Through the Promise of GaN 2015. 2. 24

설계 및 개발

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평가 보드

LMG34XX-BB-EVM — LMG341x 제품군을 위한 LMG34xx GaN 시스템 레벨 평가 마더보드

LMG34XX-BB-EVM은 동기식 벅 컨버터로 LMG3410-HB-EVM과 같은 LMG341X 하프 브리지 보드를 구성하기 위해 사용하기 쉬운 브레이크아웃 보드입니다. 이 EVM은 전력계, 바이어스 전력 및 로직 회로를 제공하여 GaN 디바이스 스위칭의 신속한 측정을 지원합니다. 이 EVM은 적절한 열 관리(강제 공기, 저주파 작동 등)로 최대 8A의 출력 전류를 제공하여 최대 작동 온도를 초과하지 않도록 할 수 있습니다. 이 EVM은 개방형 루프 보드이기 때문에 과도 측정에는 적합하지 않습니다.

단일 펄스 폭 변조 입력만 (...)

사용 설명서: PDF
지원되는 제품 및 하드웨어
재고 있음
제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
도터 카드

LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70-mΩ GaN 하프 브리지 부속 카드

LMG34XX-BB-EVM은 동기식 벅 컨버터로 LMG3410-HB-EVM과 같은 LMG34XX 하프 브리지 보드를 구성하기 위해 사용하기 쉬운 브레이크아웃 보드입니다. 이 EVM은 전력 스테이지, 바이어스 전력 및 로직 회로를 제공하여 GaN 디바이스 스위칭의 신속한 측정을 지원합니다.  이 EVM은 최대 작동 온도를 초과하지 않도록 적절한 열 관리(강제 공냉, 저주파 작동 등)를 동반할 경우 최대 8A의 출력 전류를 공급할 수 있습니다.  이 EVM은 개방형 루프 보드이기 때문에 과도 측정에는 적합하지 않습니다.
단일 펄스 폭 (...)
사용 설명서: PDF
지원되는 제품 및 하드웨어
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제한:
??asset.out-of-stock-ti_ko_KR??
이용할 수 없음
시뮬레이션 모델

LMG3410 TINA-TI Spice Model (Rev. B)

SNOM608B.TSC (158 KB) - Tina-TI Spice 모델
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시뮬레이션 모델

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LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
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SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

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SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

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PMP20873 — 99% 효율 1kW GaN 기반 CCM 토템 폴 PFC(역률 보정) 컨버터 레퍼런스 설계

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PMP41043 — C2000과 GaN가 구현하는 CCM 토템 폴 PFC 및 전류 모드 LLC가 있는 1.6kW 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계에서는 C2000™ F28004x 마이크로컨트롤러를 탑재한 하프브릿지 LLC 스테이지에서의 일종의 전류 모드 제어 방식인 하이브리드 히스테리시스 제어(HHHC) 방식을 보여줍니다. 이 하드웨어는 1kW, 80-Plus 티타늄, GaN CCM 토템 폴 브리지리스 PFC 및 하프 브리지 LLC 레퍼런스 디자인인 TIDA-010062를 기반으로 합니다. 하이브리드 이력 제어를 위해 별도의 센서 카드가 추가되어 공진 커패시터의 전압을 다시 생성합니다.

이 HHC LLC 스테이지는 단일 루프 전압 모드 제어(VMC) 방식에 (...)

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TIDA-010062 — 1kW, 80+ 티타늄, GaN CCM 토템 폴 브리지리스 PFC 및 하프 브리지 LLC와 LFU 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 서버 전원 공급 장치(PSU) 및 텔레콤 정류기 애플리케이션을 위한 디지털 방식으로 제어되는 소형 1KW AC/DC 전원 공급 장치 설계입니다. 이 고효율 설계는 프론트 엔드 CCM(연속 전도 모드) 토템 폴 브리지리스 PFC(역률 보정) 단계를 포함한 두 개의 주 전력계를 지원합니다. PFC 스테이지는 넓은 부하 범위에서 향상된 효율성을 제공하고 80+ 티타늄 요구 사항을 충족하는 통합 드라이버를 갖춘 LMG341x GaN FET를 사용합니다. 또한 이 레퍼런스 설계는 1kW에서 +12V DC 출력을 (...)
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TIDM-1007 — 고효율 GaN CCM 토템 폴 브리지리스 PFC(역률 보정) 레퍼런스 디자인

인터리브드 CCM(Continuous Conduction Mode) TTPL(Totem Pole) 브리지리스 PFC(Power Factor Correction)는 전원 공급 장치의 효율이 높고 크기가 작아 높은 밴드 갭 GaN 장치를 사용하는 강력한 전력 토폴로지입니다. 이 설계는 C2000™ MCU 및 LMG3410 GaN FET 모듈을 사용하여 이 전력계를 제어하는 방법을 보여줍니다. 효율을 개선하기 위해 적응형 데드 타임 및 위상 쉐딩 방법이 구현되었습니다.  비선형 전압 보상기는 과도 상태에서 오버슈트 및 언더슈트를 (...)
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패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
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권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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