LMG3422R050
- Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
- 600V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
- Integrated high precision gate bias voltage
- 200V/ns FET hold-off
- 3.6MHz switching frequency
- 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
- Operates from 7.5V to 18V supply
- Robust protection
- Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
- Withstands 720V surge while hard-switching
- Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
- Advanced power management
- Digital temperature PWM output
- LMG3426R050 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
- LMG3427R050 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
The LMG342xR050 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
The LMG342xR050 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3426R050 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.The LMG3427R050 includes the zero-current detection (ZCD) feature which provides a pulse output from the ZCD pin when a positive drain-to-source current is detected .
Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.
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| 애플리케이션 노트 | Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A) | PDF | HTML | 2020. 11. 19 | ||
| 기술 문서 | How GaN FETs with integrated drivers and self-protection will enable the next gene | PDF | HTML | 2020. 11. 17 | ||
| 추가 자료 | A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET | 2020. 10. 20 | |||
| 아날로그 디자인 학술지 | Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC | 2020. 9. 22 |
설계 및 개발
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