계산 툴
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
LMG3522R030
- 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
- Integrated high precision gate bias voltage
- 200V/ns FET hold-off
- 2MHz switching frequency
- 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
- Operates from 7.5V to 18V supply
- Robust protection
- Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
- Withstands 720V surge while hard-switching
- Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
- Advanced power management
- Digital temperature PWM output
- LMG3526R030 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
- LMG3527R030 includes zero-current detection (ZCD) feature that facilitates soft-switching converters
- Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
The LMG352xR030 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
The LMG352xR030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3526R030 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.The LMG3527R030 includes the zero-current detection (ZCD) feature which provides a pulse output from the ZCD pin when a positive drain-to-source current is detected .
Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.
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기술 자료
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| * | Data sheet | LMG352xR030 650 V 30 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 2025/01/23 |
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설계 및 개발
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평가 보드
PFC23338EVM-107 — 전자 계량기 기능을 지원하는 3.6kW, 단상 토템 폴 브리지리스 PFC 평가 마더보드
이 평가 마더보드는 M-CRPS 서버 전원 공급 장치를 대상으로 하는 질화 갈륨(GaN) 기반, 3kW, 단상 CCM(연속 전도 모드) 토템 폴 브리지리스 PFC(역률 보정) 컨버터입니다. 이 설계에는 AMCx306을 전류 감지 장치로 사용하여 0.5% 정확도의 전기 계량기 기능이 포함되어 있어 외부 전력 계량 IC가 필요 없습니다. 이 설계에는 TMCS1133을 사용하는 비용에 최적화된 대체 전류 감지 옵션도 제공됩니다. 이 공급 장치는 16ARMS의 최대 입력 전류와 3.6kW의 피크 전력을 지원하도록 설계되었습니다. 전력계 (...)
도터 카드
LMG3522EVM-042 — 드라이버 부속 카드가 통합된 LMG3522R030-Q1 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET
LMG3522EVM-042는 하프 브리지에서 LMG3522R030 GaN FET 2개를 구성하며, 사이클별 과전류 보호 기능, 래치형 단락 보호 기능 및 모든 필요 보조 주변 회로를 갖고 있습니다. 이 EVM은 대규모 시스템과 함께 작동하도록 설계되어 있습니다.
사용 설명서: PDF
시뮬레이션 모델
LMG3422R0x0 LMG3425R0x0 LMG3522R030 and LMG3522R030-Q1 PLECS Simulation Model
SNOM768.ZIP (340 KB) - PLECS model
계산 툴
SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
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제품
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계산 툴
SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
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제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
레퍼런스 디자인
TIDA-010938 — 배터리 에너지 저장 시스템 레퍼런스 설계가 포함된 10kW, GaN 기반 단상 스트링 인버터
이 레퍼런스 디자인은 배터리 에너지 저장 시스템(BESS)을 위한 양방향 전력 변환 시스템을 갖춘 GaN 기반 단상 스트링 인버터의 구현에 대한 개요를 제공합니다. 이 디자인은 두 개의 스트링 입력, 각각 직렬로 최대 10개의 PV(태양광) 패널을 처리할 수 있는 스트링 입력 그리고 50V~500V 범위의 배터리 스택을 처리할 수 있는 에너지 저장 시스템 포트를 하나씩 처리합니다. 스트링 입력에서 BESS까지 공칭 정격 전력은 최대 10kW입니다. 구성 가능한 DC-AC 컨버터는 230V 단상 그리드 연결로 최대 4.6kW를 (...)
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레퍼런스 디자인
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이 레퍼런스 설계는 C2000 F28003x 및 F28004x 마이크로컨트롤러를 사용하여 연속 전도 모드 토템 폴 PFC(역률 보정 컨버터)를 제어하는 방법을 보여줍니다. 또한 PFC는 그리드 연결(전류 제어) 모드에서 인버터로 작동합니다. 이 컨버터는 16ARMS의 최대 입력 전류와 3.6kW의 피크 전력을 지원하도록 설계되었습니다. 일체형 드라이버와 보호 기능을 갖춘 LMG3522 상단면 냉각 GaN 장치는 효율성을 높여주고 전원 공급 장치의 크기와 복잡성은 감소시켜 줍니다. F28004x 또는 F28002x 기반 C2000 (...)
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레퍼런스 디자인
PMP41078 — GaN HEMT를 지원하는 고전압-저전압 DC-DC 컨버터 레퍼런스 설계
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Test report: PDF
레퍼런스 디자인
PMP22951 — 능동 클램프 참조 설계를 적용한 54V, 3kW 위상 변이 풀 브리지
레퍼런스 설계는 GaN 기반 3kW 위상 변환 풀 브리지(PSFB) 컨버터입니다. 이 설계에서는 동기식 정류기(SR) MOSFET에 대한 전압 응력을 최소화하기 위해 이차측에 액티브 클램프를 사용하며, 그에 따라 FOM(figure-of-merit)이 더 우수한, 상대적으로 낮은 전압 정격 MOSFET을 활용할 수 있습니다. PMP22951은 일차측에서 30mΩ GaN을 사용하고, 동기식 정류기용으로 100V, 1.8mΩ GaN을 사용합니다. PSFB 제어는 TMS320F280049C 실시간 마이크로컨트롤러를 사용해 구현합니다. (...)
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레퍼런스 디자인
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이 레퍼런스 설계는 디지털 방식으로 제어되는 3.6kW, 54V 단상 AC-DC 정류기로, 모든 GaN 스위치를 지원합니다. 표준 폼 팩터를 갖춘 M-CRPS(모듈식 하드웨어 시스템 공통 이중화 전원 공급 장치)를 시연하기 위한 설계입니다. 입력 단계는 단상, 토템폴 브리지리스 PFC(역률 보정)를 채택했고, 출력 단계는 FB SR(풀 브리지 동기 정류기)를 지원하는 FB LLC(풀 브리지 인덕터-인덕터-커패시터) 컨버터를 채택했습니다. LLC 단계 효율은 반부하 시 98.5%를 달성했으며, PFC 단계 효율은 반부하 시 (...)
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이 레퍼런스 설계는 M-CRPS 전원 공급을 목표로 하는 질화 갈륨(GaN) 기반, 3.6kW, 단일 위상 CCM(연속 전도 모드) 토템 폴 브리지리스 PFC(역률 보정) 컨버터입니다. 이 설계에는 0.5%의 정확도의 전기 계량기 기능이 포함되어 있어 외부 전력 계량 IC가 필요 없습니다. 이 공급 장치는 16A RMS의 최대 입력 전류와 3.6kW의 피크 전력을 지원하도록 설계되었습니다. 전력계 다음에는 베이비 부스트 컨버터가 있으며, 이를 이용해 벌크 커패시터의 크기를 대폭 줄일 수 있습니다. 일체형 드라이버와 보호 기능을 (...)
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PMP23249 — 650V 30mΩ GaN FET 부속 카드 레퍼런스 설계
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| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| VQFN (RQS) | 52 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치
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