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LMG2610

AKTIV

GaN-Halbbrücke für ACF, 650 V, 170/248 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung

Produktdetails

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 5.4 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 5.4 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RRG) 40 63 mm² 9 x 7
  • 650-V GaN power-FET half bridge
  • 170-mΩ low-side and 248-mΩ high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side / high-side gate-drive interlock
  • High-side gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : < 8 us
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle over-current protection
  • Over-temperature protection with FLT pin reporting
  • AUX idle quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • BST idle quiescent current: 60 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 9x7 mm QFN package with dual thermal pads
  • 650-V GaN power-FET half bridge
  • 170-mΩ low-side and 248-mΩ high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side / high-side gate-drive interlock
  • High-side gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : < 8 us
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle over-current protection
  • Over-temperature protection with FLT pin reporting
  • AUX idle quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • BST idle quiescent current: 60 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 9x7 mm QFN package with dual thermal pads

The LMG2610 is a 650-V GaN power-FET half bridge intended for < 75-W active-clamp flyback (ACF) converters in switch mode power supply applications. The LMG2610 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9-mm by 7-mm QFN package.

The asymmetric GaN FET resistances are optimized for ACF operating conditions. Programmable turn on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side gate-drive signal level shifter eliminates noise and burst-mode power dissipation problems found with external solutions. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2610 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over temperature shut down.

The LMG2610 is a 650-V GaN power-FET half bridge intended for < 75-W active-clamp flyback (ACF) converters in switch mode power supply applications. The LMG2610 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9-mm by 7-mm QFN package.

The asymmetric GaN FET resistances are optimized for ACF operating conditions. Programmable turn on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side gate-drive signal level shifter eliminates noise and burst-mode power dissipation problems found with external solutions. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2610 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over temperature shut down.

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Technische Dokumentation

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Alle anzeigen 2
Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Datum
* Data sheet LMG2610 Integrated 650-V GaN Half Bridge for Active-Clamp Flyback Converters datasheet (Rev. A) PDF | HTML 12 Dez 2022
Application note Enabling Small-Form-Factor AC/DC Adapters With use of Integrated GaN Technology PDF | HTML 27 Mär 2023

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

UCC28782EVM-030 — UCC28782 Active-Clamp-Flyback-Wandler 65-W USB-C PD-EVM mit integrierter GaN-Halbbrücke LMG2610

UCC28782EVM-030 demonstriert hohe Effizienz und Dichte für einen 65-W-USB Type-C™ Power Delivery (PD)-Offline-Adapter mit dem UCC28782 Active-Clamp-Flyback-Controller.  Der Eingang unterstützt eine universelle 90-V/AC- bis 264-V/AC-Spannung und der Einzelausgang kann auf 5 V, 9 V und 15 V (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Simulationsmodell

LMG2610 SIMPLIS Model

SNOM766.ZIP (304 KB) - SIMPLIS Model
Berechnungstool

LMGXX-GAN-LLC-CALC GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Berechnungstool

SNOR036 LMG2610 Active-Clamp Flyback Power Stage Design Calculator

Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Referenzdesigns

TIDA-050074 — Referenzdesign, 140 W, für GaN-basierten USB PD3.1 USB-C®-Adapter

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um eine auf Galliumnitrid (GaN) basierende AC/DC-Stromversorgung im Bereich 140 W mit hohem Wirkungsgrad und hoher Leistungsdichte. Er unterstützt einen großen Eingangsspannungsbereich (90 VAC bis 264 VAC) und Ausgangsspannungen (5 V bis 28 V). Es wurde für (...)
Design guide: PDF
Referenzdesigns

PMP23146 — Active-Clamp-Flyback mit GaN-Referenzdesign und hoher Leistungsdichte, 45 W, für Server-Hilfsstrom

Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um einen GaN-basierten 45-W-Active-Clamp-Flyback (ACF), der eine maximale Leistungsdichte anstrebt. Diese Stromversorgung ist zur Bereitstellung von Hilfsstrom in Server- und Telekommunikationsstromversorgungen (PSUs) ausgelegt. Der ACF-Controller UCC28782 (...)
Test report: PDF
Referenzdesigns

PMP22244 — Referenzdesign für aktiven 60-W-USB-Type-C®-Flyback mit hoher Dichte und GaN

Dieses Referenzdesign ist eine hochdichte Stromversorgung mit 60 W und 115 VAC-Eingang für USB-Type-C-Anwendungen, die den Active-Clamp-Flyback-Controller UCC28782, die integrierte GaN-Halbbrücke LMG2610 und den Synchrongleichrichtertreiber UCC24612 verwendet. Die maximale Nennleistung beträgt 60 W (...)
Test report: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (RRG) 40 Ultra Librarian

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

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