The LMG5200 device, an 80-V, 10-A driver plus GaN half-bridge power stage, provides an integrated power stage solution using enhancement-mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The device consists of two 80-V GaN FETs driven by one high-frequency GaN FET driver in a half-bridge configuration.
GaN FETs provide significant advantages for power conversion as they have near zero reverse recovery and very small input capacitance CISS. All the devices are mounted on a completely bond-wire free package platform with minimized package parasitic elements. The LMG5200 device is available in a 6 mm × 8 mm × 2 mm lead-free package and can be easily mounted on PCBs.
The TTL logic compatible inputs can withstand input voltages up to 12 V regardless of the VCC voltage. The proprietary bootstrap voltage clamping technique ensures the gate voltages of the enhancement mode GaN FETs are within a safe operating range.
The device extends advantages of discrete GaN FETs by offering a more user-friendly interface. It is an ideal solution for applications requiring high-frequency, high-efficiency operation in a small form factor. When used with the TPS53632G controller, the LMG5200 enables direct conversion from 48-V to point-of-load voltages (0.5-1.5 V).
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Das LMG5200POLEVM-10 EVM wurde für die Evaluierung der Leistungsstufe LMG5200 GaN und des Halbbrücken-Point-of-Load-Reglers TPS53632G in einer „48 V auf 1 V“ Anwendung zu evaluieren. Dieses EVM implementiert den 48 V/1 V-Wandler als einstufige hart schaltende Halbbrücke mit (...)
Das Evaluierungsmodul BOOSTXL-3PHGANINV implementiert einen dreiphasigen 48-V/10-A-GaN-Inverter mit präziser Inline-Shunt-basierter Phasenstrommessung zur exakten Steuerung von Präzisionsantrieben wie Servoantrieben.
Die MathWorks MATLAB- und Simulink-Beispielmodelle beinhalten Folgendes:
| Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
|---|---|---|
| QFM (MOF) | 9 | Ultra Librarian |
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