Startseite Energiemanagement Leistungsstufen Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
Startseite
Energiemanagement
Leistungsstufen
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen

LMG3410R050

AKTIV

GaN, 600 V. 50 mΩ, Treiber und Schutz integriert

Jetzt bestellen
Datenblatt

LMG3410R050

AKTIV
Datenblatt Jetzt bestellen

Produktdetails

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 12 Features Bottom-side cooled, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI GaN FET reliability qualified with in-application hard-switching accelerated stress profiles
  • Enables high density power conversion designs
    • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
    • Low inductance 8 mm x 8 mm QFN package for ease of design, and layout
    • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
    • Digital fault status output signal
    • Only +12 V unregulated supply needed
  • Integrated gate driver
    • Zero common source inductance
    • 20 ns Propagation delay for MHz operation
    • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
    • 25 to 100V/ns User adjustable slew rate
  • Robust protection
    • Requires no external protection components
    • Overcurrent protection with less than 100 ns response
    • Greater than 150 V/ns Slew rate immunity
    • Transient overvoltage immunity
    • Overtemperature protection
    • Under voltage lock out (UVLO) Protection on all supply rails
  • Robust protection
    • LMG3410R050: Latched overcurrent protection
    • LMG3411R050: Cycle-by-cycle overcurrent protection
    • TI GaN FET reliability qualified with in-application hard-switching accelerated stress profiles
    • Enables high density power conversion designs
      • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
      • Low inductance 8 mm x 8 mm QFN package for ease of design, and layout
      • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
      • Digital fault status output signal
      • Only +12 V unregulated supply needed
    • Integrated gate driver
      • Zero common source inductance
      • 20 ns Propagation delay for MHz operation
      • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
      • 25 to 100V/ns User adjustable slew rate
    • Robust protection
      • Requires no external protection components
      • Overcurrent protection with less than 100 ns response
      • Greater than 150 V/ns Slew rate immunity
      • Transient overvoltage immunity
      • Overtemperature protection
      • Under voltage lock out (UVLO) Protection on all supply rails
    • Robust protection
      • LMG3410R050: Latched overcurrent protection
      • LMG3411R050: Cycle-by-cycle overcurrent protection

      The LMG341xR050 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

      The LMG341xR050 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero Vds ringing, less than 100 ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.

      The LMG341xR050 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

      The LMG341xR050 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero Vds ringing, less than 100 ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.
      filter Andere Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen suchen
      Herunterladen Video mit Transkript ansehen Video
      Weitere Informationen anfordern

      Beginnen Sie Ihr GaN-Design noch heute mit dem LMG3410R050-Entwicklungskit:

      Ähnliche Produkte, die für Sie interessant sein könnten

      open-in-new Alternativen vergleichen
      Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei gleicher Anschlussbelegung
      LMG3411R050 AKTIV GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz Different overcurrent protection response behavior.
      Selbe Funktionalität wie der verglichene Baustein bei abweichender Anschlussbelegung
      LMG3422R050 AKTIV GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung 12 x 12 mm package with temperature reporting and overtemperature and short-circuit protection

      Technische Dokumentation

      star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
      Keine Ergebnisse gefunden. Bitte geben Sie einen anderen Begriff ein und versuchen Sie es erneut.
      Alle anzeigen 13
      Typ Titel Datum
      * Data sheet LMG341xR050 600-V 50-mΩ Integrated GaN Fet Power Stage With Overcurrent Protection datasheet (Rev. B) PDF | HTML 16 Jan 2020
      White paper Achieving High Efficiency and Enabling Integration in EV Powertrain Subsystems (Rev. A) PDF | HTML 17 Jul 2023
      White paper Achieving GaN Products With Lifetime Reliability PDF | HTML 02 Jun 2021
      White paper Achieve Power-Dense and Efficient Digital Power Systems by Combining TI GaN FETs 05 Jan 2021
      More literature A Generalized Approach to Determine the Switching Lifetime of a GaN FET 20 Okt 2020
      Analog Design Journal Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC 22 Sep 2020
      Application note Thermal Considerations for Designing a GaN Power Stage (Rev. B) 04 Aug 2020
      More literature GaN FET Reliability to Power-line Surges Under Use-conditions 25 Mär 2019
      Application note Third quadrant operation of GaN 25 Feb 2019
      Technical article Gallium nitride: supporting applications from watts to kilowatts PDF | HTML 19 Dez 2018
      Application brief Overcurrent Protection in High-Density GaN Power Designs 19 Okt 2018
      More literature Product-level Reliability of GaN Devices 26 Apr 2016
      White paper Application-Relevant Qualification of Emerging Semiconductor Power Devices, GaN 31 Mär 2016

      Design und Entwicklung

      Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

      Evaluierungsplatine

      LMG34XX-BB-EVM — LMG34xx GaN-System-Level-Evaluierungs-Hauptplatine für LMG341x-Familie

      Das LMG34XX-BB-EVM ist eine einfach zu handhabende Breakout-Platine zum Konfigurieren einer beliebigen LMG341x-Halbbrücken-Platine (z. B. LMG3410-HB-EVM) als Synchron-Abwärtswandler. Das EVM ermöglicht durch die Bereitstellung einer Leistungsstufe, Vorspannungsversorgung und Logikschaltung schnelle (...)

      Benutzerhandbuch: PDF
      Nicht verfügbar auf TI.com
      Tochterkarte

      LMG3410EVM-018 — LMG3410R050 600-V 50-mΩ GaN-Halbbrücken-Tochterkarte

      Das LMG3410EVM-018 konfiguriert zwei 600-V-GaN-FETs (LMG3410R050) mit integriertem Treiber und Schutz in einer Halbbrücke. Dieses EVM wird mit allen erforderlichen zusätzlichen Peripherieschaltungen geliefert und ist für den Betrieb mit größeren Systemen ausgelegt.
      Benutzerhandbuch: PDF
      Nicht verfügbar auf TI.com
      Simulationsmodell

      LMG3410R050 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

      SNOM689A.ZIP (44 KB) - PSpice Model
      Herunterladen
      Berechnungstool

      LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

      Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
      Unterstützte Produkte und Hardware

      Unterstützte Produkte und Hardware

      Produkte
      Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
      • LMG2100R026 — Galliumnitrid-Halbbrücken-Leistungsstufe (GaN) mit 100 V 2,6 mΩ
      • LMG2100R044 — 100-V-Halbbrücken-GaN-FET, 4,4 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz
      • LMG2610 — GaN-Halbbrücke für ACF, 650 V, 170/248 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
      • LMG2640 — 650 V 105 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
      • LMG2650 — 650 V 95 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
      • LMG2652 — 650 V, 140 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
      • LMG2656 — 650 V 230 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
      • LMG3410R050 — GaN, 600 V. 50 mΩ, Treiber und Schutz integriert
      • LMG3410R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz
      • LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz
      • LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
      • LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
      • LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
      • LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung
      • LMG3422R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung
      • LMG3425R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, Treiber, Schutz und Temperaturmeldung, für Automobilind., idealer Diodenmodus
      • LMG3425R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, Treiber, Schutz und Temperaturmeldung, für Automobilind., idealer Diodenmodus
      • LMG3426R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannung
      • LMG3426R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung
      • LMG3427R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom
      • LMG3427R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstromerkennung
      • LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung
      • LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin
      • LMG3522R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung
      • LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung
      • LMG3526R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Berichtsfunktionen für die Nullspannu
      • LMG3527R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom
      • LMG5200 — GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe für 80 V
      Herunterladen
      Berechnungstool

      SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

      Unterstützte Produkte und Hardware

      Unterstützte Produkte und Hardware

      Produkte
      Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
      • LMG3410R050 — GaN, 600 V. 50 mΩ, Treiber und Schutz integriert
      • LMG3410R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz
      • LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz
      • LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
      • LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
      • LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
      • LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung
      • LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung
      • LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin
      • LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung
      Herunterladen
      Berechnungstool

      SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

      Unterstützte Produkte und Hardware

      Unterstützte Produkte und Hardware

      Produkte
      Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
      • LMG3410R050 — GaN, 600 V. 50 mΩ, Treiber und Schutz integriert
      • LMG3410R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz
      • LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz
      • LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
      • LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
      • LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz
      • LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung
      • LMG3422R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, beinhaltet Treiber, Schutz und Temperaturmeldung
      • LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung
      • LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin
      • LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung
      Herunterladen
      Referenzdesigns

      PMP40690 — Interleaved-CCM-Totem-Pole-Referenzdesign, 4 KW, mit brückenloser PFC-Schaltung C2000™ MCU und GaN

      Bei diesem Referenzdesign handelt es sich um ein brückenloses 4-kW-PFC-Referenzdesign mit Interleaved-CCM-Totem-Pole (TTPL) unter Verwendung eines 64-poligen C2000™-Mikrocontrollers, eines LM3410-Galliumnitrid-Bausteins und eines TMCS1100-Hall-Sensors. Es basiert auf dem bidirektionalen (...)
      Test report: PDF
      Schaltplan: PDF
      Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
      VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian
      Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

      Bestellen & Qualität

      Beinhaltete Information:
      • RoHS
      • REACH
      • Bausteinkennzeichnung
      • Blei-Finish/Ball-Material
      • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
      • MTBF-/FIT-Schätzungen
      • Materialinhalt
      • Qualifikationszusammenfassung
      • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
      Beinhaltete Information:
      • Werksstandort
      • Montagestandort

      Empfohlene Produkte können Parameter, Evaluierungsmodule oder Referenzdesigns zu diesem TI-Produkt beinhalten.

      Support und Schulungen

      TI E2E™-Foren mit technischem Support von TI-Ingenieuren

      Alle Forenthemen auf Englisch anzeigen

      Inhalte werden ohne Gewähr von TI und der Community bereitgestellt. Sie stellen keine Spezifikationen von TI dar. Siehe Nutzungsbedingungen.

      Bei Fragen zu den Themen Qualität, Gehäuse oder Bestellung von TI-Produkten siehe TI-Support. ​​​​​​​​​​​​​​

      Videos