Berechnungstool
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
LMG2640
650 V 105 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
Datenblatt
LMG2640
- 650V GaN power-FET half bridge
- 105mΩ low-side and high-side GaN FETs
- Integrated gate drivers with low propagation delays
- Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
- Low-side / high-side gate-drive interlock
- High-side gate-drive signal level shifter
- Smart-switched bootstrap diode function
- High-side start up : < 8µs
- Low-side / high-side cycle-by-cycle over-current protection
- Over-temperature protection with FLT pin reporting
- AUX idle quiescent current: 250µA
- AUX standby quiescent current: 50µA
- BST idle quiescent current: 65µA
- Maximum supply and input logic pin voltage: 26V
- 9×7mm QFN package with dual thermal pads
The LMG2640 is a 650V GaN power-FET half bridge intended for switch mode power supply applications. The LMG2640 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9mm by 7mm QFN package.
The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.
The high-side gate-drive signal level shifter eliminates noise and burst-mode power dissipation problems found with external solutions. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.
The LMG2640 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down.
Technische Dokumentation
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Alle anzeigen 1 | Top-Dokumentation | Typ | Titel | Format-Optionen | Datum |
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LMG2640 Integrated 650V GaN Half Bridge datasheet | PDF | HTML | 04 Nov 2024 |
Design und Entwicklung
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Tochterkarte
LMG2640EVM-090 — LMG2640-Tochterkarte
Das LMG2640-Tochterkarten-Evaluierungsmodul (EVM) wurde entwickelt, um eine schnelle und einfache Plattform für die Evaluierung der integrierten GaN-Bausteine von TI in beliebigen Halbbrückentopologien zu bieten. Die Platine ist für die Anbindung an ein größeres System unter Verwendung der sechs (...)
| Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
|---|---|---|
| VQFN (RRG) | 40 | Ultra Librarian |
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