封装信息
| 封装 | 引脚 SOIC (D) | 8 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 140 |
| 包装数量 | 包装 2,500 | LARGE T&R |
UCC27712-Q1 的特性
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100标准
- 器件 HBM 分类等级 1C
- 器件 CDM 分类等级 C4B
- 高侧和低侧配置
- 双输入，带输出互锁和 150ns 死区时间
- 在高达 620V 的电压下完全可正常工作，HB 引脚上的绝对最高电压为 700V
- VDD 建议范围为 10V 至 20V
- 峰值输出电流 2.8A 灌电流、1.8A 拉电流
- 50V/ns 的 dv/dt 抗扰度
- HS 引脚上的逻辑运行电压高达 –11V
- 输入负电压容差为 –5V
- 大型负瞬态安全工作区
- 为两个通道提供 UVLO 保护
- 短传播延迟（典型值 100ns）
- 延迟匹配（典型值 12ns）
- 低静态电流
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 行业标准 SOIC-8 封装
- 所有参数额定温度范围：–40°C 至 +125°C
UCC27712-Q1 的说明
UCC27712-Q1 是一款 620V 高侧和低侧栅极驱动器，具有 1.8A 拉电流、2.8A 灌电流能力，专用于驱动功率 MOSFET 或 IGBT。
对于 IGBT，建议的 VDD 工作电压为 10V 至 20V，对于功率 MOSFET，建议的 VDD 工作电压为 10V 至 17V。
UCC27712-Q1 包含保护 功能， 在此情况下，当输入保持开路状态时，或当未满足最低输入脉宽规范时，输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外，该器件可接受的偏置电源范围宽幅达 10V 至 22V，并且为 VDD 和 HB 偏置电源提供了 UVLO 保护。
该器件采用 TI 先进的高压器件技术， 具有 强大的驱动器，拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度，包括较大的输入负电压容差、高 dV/dt 容差、开关节点上较宽的负瞬态安全工作区 (NTSOA)，以及互锁。
该器件包含一个接地基准通道 (LO) 和一个悬空通道 (HO)，后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件 具有 快速传播延迟和两个通道之间卓越的延迟匹配。在 UCC27712-Q1 上，每个通道均由其各自的输入引脚 HI 和 LI 控制。