封装信息
| 封装 | 引脚 SOT-23 (DBV) | 5 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
UCC27517A-Q1 的特性
- 符合汽车应用要求
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
- 符合汽车应用要求的器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
- 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
- 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
- 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
- 4A 峰值拉电流和灌电流对称驱动
- 能够在输入上处理负电压 (-5V)
- 快速传播延迟（典型值 13ns）
- 快速上升和下降时间（典型值 9ns 和 7ns）
- 4.5V 至 18V 单电源
- VDD 欠压锁定 (UVLO) 期间输出保持低电平（确保上电和掉电时的无毛刺脉冲运行）
- TTL 和 CMOS 兼容逻辑阈值（与电源电压无关）
- 针对高抗扰度的滞后逻辑阈值
- 双输入设计（选择一个反向（IN- 引脚）或者非反相（IN+ 引脚）驱动器配置）
- 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能
- 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
- 输入引脚最大绝对电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
- -40°C 至 140°C 的运行温度范围
- 5 引脚 DBV（小外形尺寸晶体管 (SOT)-23）封装选项
应用范围
- 汽车
- 开关模式电源
- 直流到直流转换器
- 针对数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件
- 太阳能、电机控制、不间断电源 (UPS)
- 用于新上市的宽带隙电源器件（例如 GaN）的栅极驱动器
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UCC27517A-Q1 的说明
UCC27517A-Q1 单通道高速低侧栅极驱动器器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 开关。 借助于固有的大大减少击穿电流的设计，UCC27517A-Q1 能够灌、拉高峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为 13ns）。
UCC27517A-Q1 器件在输入上处理 -5V 电压。
当 VDD = 12V 时，UCC27517A-Q1 可提供峰值为 4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。
UCC27517A-Q1 在 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围以及 -40°C 至 140°C 的宽温度范围内运行。 VDD 引脚上的内部欠压锁定 (UVLO) 电路可在 VDD 超出运行范围时使输出保持低电平。 此器件能够在低电压（例如低于 5V）下运行，并且拥有同类产品中最佳的开关特性，因此非常适用于驱动诸如 GaN 功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。