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UCC27517A-Q1

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具有 5V UVLO 和双输入结构的汽车类 4A/4A 单通道栅极驱动器

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UCC27517A-Q1

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产品详情

Number of channels 1 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 4 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Hysteretic Logic Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 7 Propagation delay time (µs) 0.013 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Inverting, Non-Inverting
Number of channels 1 Power switch GaNFET, IGBT, MOSFET Peak output current (A) 4 Input supply voltage (min) (V) 4.5 Input supply voltage (max) (V) 18 Features Hysteretic Logic Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 9 Fall time (ns) 7 Propagation delay time (µs) 0.013 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) -5 Rating Automotive Undervoltage lockout (typ) (V) 4 Driver configuration Inverting, Non-Inverting
SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² (2.9 mm × 2.8 mm)
  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
    • 符合汽车应用要求的器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
    • 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
    • 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
  • 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
  • 4A 峰值拉电流和灌电流对称驱动
  • 能够在输入上处理负电压 (-5V)
  • 快速传播延迟（典型值 13ns）
  • 快速上升和下降时间（典型值 9ns 和 7ns）
  • 4.5V 至 18V 单电源
  • VDD 欠压锁定 (UVLO) 期间输出保持低电平（确保上电和掉电时的无毛刺脉冲运行）
  • TTL 和 CMOS 兼容逻辑阈值（与电源电压无关）
  • 针对高抗扰度的滞后逻辑阈值
  • 双输入设计（选择一个反向（IN- 引脚）或者非反相（IN+ 引脚）驱动器配置）
    • 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能
  • 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
  • 输入引脚最大绝对电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
  • -40°C 至 140°C 的运行温度范围
  • 5 引脚 DBV（小外形尺寸晶体管 (SOT)-23）封装选项

应用范围

  • 汽车
  • 开关模式电源
  • 直流到直流转换器
  • 针对数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件
  • 太阳能、电机控制、不间断电源 (UPS)
  • 用于新上市的宽带隙电源器件（例如 GaN）的栅极驱动器

All trademarks are the property of their respective owners.

  • 符合汽车应用要求
  • 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
    • 符合汽车应用要求的器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
    • 器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级 2
    • 器件组件充电模式 (CDM) ESD 分类等级 C6
  • 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品
  • 4A 峰值拉电流和灌电流对称驱动
  • 能够在输入上处理负电压 (-5V)
  • 快速传播延迟（典型值 13ns）
  • 快速上升和下降时间（典型值 9ns 和 7ns）
  • 4.5V 至 18V 单电源
  • VDD 欠压锁定 (UVLO) 期间输出保持低电平（确保上电和掉电时的无毛刺脉冲运行）
  • TTL 和 CMOS 兼容逻辑阈值（与电源电压无关）
  • 针对高抗扰度的滞后逻辑阈值
  • 双输入设计（选择一个反向（IN- 引脚）或者非反相（IN+ 引脚）驱动器配置）
    • 未使用的输入引脚可被用于启用或者禁用功能
  • 当输入引脚悬空时输出保持在低电平
  • 输入引脚最大绝对电压电平不受 VDD 引脚偏置电源电压的限制
  • -40°C 至 140°C 的运行温度范围
  • 5 引脚 DBV（小外形尺寸晶体管 (SOT)-23）封装选项

应用范围

  • 汽车
  • 开关模式电源
  • 直流到直流转换器
  • 针对数字电源控制器的伴随栅极驱动器器件
  • 太阳能、电机控制、不间断电源 (UPS)
  • 用于新上市的宽带隙电源器件（例如 GaN）的栅极驱动器

All trademarks are the property of their respective owners.

UCC27517A-Q1 单通道高速低侧栅极驱动器器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 开关。 借助于固有的大大减少击穿电流的设计，UCC27517A-Q1 能够灌、拉高峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为 13ns）。

UCC27517A-Q1 器件在输入上处理 -5V 电压。

当 VDD = 12V 时，UCC27517A-Q1 可提供峰值为 4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

UCC27517A-Q1 在 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围以及 -40°C 至 140°C 的宽温度范围内运行。 VDD 引脚上的内部欠压锁定 (UVLO) 电路可在 VDD 超出运行范围时使输出保持低电平。 此器件能够在低电压（例如低于 5V）下运行，并且拥有同类产品中最佳的开关特性，因此非常适用于驱动诸如 GaN 功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。

UCC27517A-Q1 单通道高速低侧栅极驱动器器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 开关。 借助于固有的大大减少击穿电流的设计，UCC27517A-Q1 能够灌、拉高峰值电流脉冲进入到电容负载，此电容负载提供了轨到轨驱动能力以及极小传播延迟（典型值为 13ns）。

UCC27517A-Q1 器件在输入上处理 -5V 电压。

当 VDD = 12V 时，UCC27517A-Q1 可提供峰值为 4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

UCC27517A-Q1 在 4.5V 至 18V 的宽 VDD 范围以及 -40°C 至 140°C 的宽温度范围内运行。 VDD 引脚上的内部欠压锁定 (UVLO) 电路可在 VDD 超出运行范围时使输出保持低电平。 此器件能够在低电压（例如低于 5V）下运行，并且拥有同类产品中最佳的开关特性，因此非常适用于驱动诸如 GaN 功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。
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* 数据表 UCC27517A-Q1 具有负输入电压能力的单通道高速低侧栅极驱动器（具有 4A 峰值拉/灌电流） 数据表 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2015-11-24
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应用手册 使用单输出栅极驱动器实现高侧或低侧驱动 (Rev. B) PDF | HTML 英语版 (Rev.B) PDF | HTML 2023-9-13
应用手册 紧凑、强大且稳健的低侧栅极驱动器的优势 PDF | HTML 英语版 PDF | HTML 2022-9-23
功能安全信息 UCC27517A-Q1 Functional Safety, FIT Rate, Failure Mode Distribution and Pin FMA PDF | HTML 2021-6-16
应用简报 适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020-4-29
应用简报 了解峰值源电流和灌电流 (Rev. A) 英语版 (Rev.A) 2020-4-29
应用简报 How to overcome negative voltage transients on low-side gate drivers' inputs 2019-1-18
更多文献资料 Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 2018-10-29
应用简报 Enable Function with Unused Differential Input 2018-7-11
应用简报 Low-Side Gate Drivers With UVLO Versus BJT Totem-Pole 2018-3-16

设计与开发

如需其他信息或资源，请点击以下任一标题进入详情页面查看（如有）。

评估板

UCC57142EVM — UCC57142 评估模块

UCC57142EVM 主要用于评估 UCC57142 的功能。此 EVM 可以针对容性负载或具有 TO-220 封装的功率器件评估这款驱动器的性能。UCC57142EVM 评估板支持通过表面贴装测试点连接到各种测试点（例如 IN、EN/FLT、OCP 和 OUT）。UCC57142EVM 可通过跳线支持不同的 UCC57142 型号。通过对电路板进行改造，UCC57142EVM 还与 DBV 封装中的其他栅极驱动器兼容。
用户指南: PDF | HTML
支持的产品和硬件
有库存
限制：
??asset.out-of-stock-ti_zh_CN??
无货
仿真模型

UCC27517 PSpice Transient Model (Rev. B)

SLUM286B.ZIP (51 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC27517 TINA-TI Transient Reference Design

SLUM317.TSC (67 KB) - TINA-TI 参考设计
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC27517 TINA-TI Transient Spice Model

SLUM318.ZIP (8 KB) - TINA-TI Spice 模型
支持的产品和硬件
仿真模型

UCC27517 Unencrypted PSpice Transient Model

SLUM491.ZIP (2 KB) - PSpice 模型
支持的产品和硬件
计算工具

SLURB28 — UCC27516 and UCC27517 Schematic Review Template

This can be used to help the design engineer effectively select components and perform the layout to optimize their system for the gate driver.
支持的产品和硬件
参考设计

PMP21404 — 汽车直流/交流逆变器的高效升压转换器电源参考设计

该单相升压转换器的工作输入电压范围是 120V-350V，可提供 221V/0.87A 的非隔离式输出。高于 221V 的输入电压传递到输出。效率高于 97%，因而降低了组件损耗，所以工作温度更低，对散热器的要求大大降低。 
支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-050063 — 高电压固态继电器有源预充电参考设计

此参考设计引入了创新型电路拓扑，可为混合动力电动汽车 (HEV) 和电动汽车 (EV) 的大型直流链路电容器进行预充电。此参考设计采用的系统无需微控制器，可在 5V 电源电压下运行。此参考设计采用 TPSI3052-Q1，具有 5kVRMS 的增强型隔离额定值。TPSI3052-Q1 器件集成了层压变压器以实现隔离，同时将信号和电源传输到次级侧。这样就无需使用分立式隔离偏置电源。此外，TPSI3052-Q1 器件可以为位于高压 (HV) 侧的外部电路供电，从而监测电流。此参考设计可支持高达 800V 的系统，具有高达 4AAVG 的变化电流，可为高达 2mF 的负载电容充电。

支持的产品和硬件
参考设计

TIDA-080004 — 面向增强现实抬头显示器的电子与 LED 驱动参考设计方案

此参考设计提供旨在驱动汽车增强现实 (AR) 抬头显示 (HUD) 的电子产品子系统。DLP® 技术可实现明亮、清晰且高度饱和的抬头显示，该抬头显示可将关键驾驶信息投射到汽车的挡风玻璃上，从而减少驾驶员分心并提高环境感知度。本设计采用了 DLP3030-Q1 芯片组，其中包括 DLP3030-Q1 0.3" DMD、DLPC120-Q1 汽车类 DMD 控制器和 Piccolo™ TMS320F28023 微控制器（作为 LED 驱动器和照明控制器）。
支持的产品和硬件
封装 引脚 CAD 符号、封装和 3D 模型
SOT-23 (DBV) 5 Ultra Librarian
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订购和质量

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持和培训

可获得 TI 工程师技术支持的 TI E2E™ 论坛

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