封装信息
封装 | 引脚 SOIC (DW) | 16 |
工作温度范围 (°C) -40 to 150 |
包装数量 | 包装 40 | TUBE |
UCC21759-Q1 的特性
- 3kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C3
- 驱动高达 900Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
- 高峰值驱动电流和高 CMTI
- ±10A 驱动强度和分离输出
- 150V/ns 最小 CMTI
- 具有 200ns 快速响应时间的 DESAT 保护
- 4A 内部有源米勒钳位
- 在故障条件下提供 400mA 软关断
- 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
- 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
- 高电压直流链路或相电压
- 过流警报FLT和通过RST/EN 重置
- 针对RST/EN 的快速启用/禁用响应
- 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
- RDY 上的 12V VDD UVLO(具有电源正常指示功能)
- 具有高达 5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
- 130ns(最大)传播延迟和 30ns(最大)脉冲/器件间偏移
- SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
- 工作结温范围:-40°C 至 +150°C
- 安全相关认证:
- 符合 EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标准的 4242VPK 基本绝缘
UCC21759-Q1 的说明
UCC21759-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 900V(直流),具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。UCC21759-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 636VRMS 的工作电压、超过 40 年的隔离栅寿命、6kVPK 的浪涌抗扰度,并提供较低的器件间偏斜和 >150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。
UCC21759-Q1 包含先进的保护特性,如快速短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及针对 SiC 和 IGBT 功率晶体管优化的输入和输出侧电源 UVLO。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压检测,从而进一步提高驱动器的多功能性并较少系统设计工作量、尺寸和成本。