封装信息
封装 | 引脚 SOIC (DW) | 16 |
工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
包装数量 | 包装 2,000 | LARGE T&R |
UCC21732-Q1 的特性
- 5.7kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 器件温度等级 1:–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 3A
- 器件 CDM ESD 分类等级 C3
- 高达 2121Vpk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
- 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
- ±10A 驱动强度和分离输出
- 150V/ns 最小 CMTI
- 具有 270ns 快速响应时间的过流保护
- 外部有源米勒钳位
- 发生故障时的内部 2 级关断
- 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
- 采用 NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应
- 高电压直流链路或相电压
- 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
- 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
- 抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲
- RDY 上的 12V VDD UVLO(具有电源正常指示功能)
- 具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
- 130ns(最大)传播延迟和 30ns(最大)脉冲/器件间偏移
- SOIC-16 DW 封装,爬电距离和间隙 > 8mm
- 工作结温范围:-40°C 至 +150°C
- 安全相关认证:
- 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 要求的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
- 5700VRMS 隔离,符合 UL1577 标准且持续时长为 1 分钟
UCC21732-Q1 的说明
UCC21732-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,旨在用于 SiC MOSFET 和 IGBT,工作电压高达 2121V(直流),具有先进的保护特性、出色的动态性能和稳健性。UCC21732-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离栅寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏斜,共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。
UCC21732-Q1 包括先进的保护特性,如快速过流和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、输入和输出侧电源 UVLO(用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为)和稳健性。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压感测,从而进一步提高驱动器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。