ZHCSIZ4 October   2018 UCC21732-Q1

ADVANCE INFORMATION for pre-production products; subject to change without notice.  

  1. 1特性
  2. 2应用
  3. 3说明
  4. 4修订历史记录
  5. 5器件和文档支持
    1. 5.1 文档支持
      1. 5.1.1 相关文档
    2. 5.2 接收文档更新通知
    3. 5.3 社区资源
    4. 5.4 商标
    5. 5.5 静电放电警告
    6. 5.6 术语表
  6. 6机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

特性

  • 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用 (计划的认证)
  • 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
  • 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
  • 高峰值驱动电流和高 CMTI
  • 有源米勒钳位
    • RDY 上的 UVLO(具有电源正常指示功能)
      • 小传播延迟和脉冲/器件间偏移
      • 工作温度范围为 –40°C 至 125°C
      • 安全相关认证(计划):
        • 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
        • 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离