封装信息
| 封装 | 引脚 SOIC (D) | 16 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 40 | TUBE |
UCC21222 的特性
- 可通过电阻器编程的死区时间
- 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
- 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
- 输入 VCCI 范围为 3V 至 5.5V
- 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
- 8V VDD UVLO
- 开关参数：
- 28ns 典型传播延迟
- 10ns 最小脉冲宽度
- 5ns 最大延迟匹配
- 5.5ns 最大脉宽失真
- TTL 和 CMOS 兼容输入
- 集成抗尖峰脉冲滤波器
- I/O 承受 –2V 电压的时间达 200ns
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
- 隔离栅寿命 >40 年
- 浪涌抗扰度高达 7800VPK
- 窄体 SOIC-16 (D) 封装
- 安全相关认证（计划）：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS 隔离
- 符合 IEC 60950-1、IEC 62368-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准的 CSA 认证
- 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证
- 使用 UCC21222 并借助 WEBENCH® Power Designer 创建定制设计
UCC21222 的说明
UCC21222 器件是具有可编程死区时间的隔离式双通道栅极驱动器。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。
器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。
输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。
可通过电阻器进行编程的死区时间帮助您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。