封装信息
| 封装 | 引脚 SOIC (D) | 16 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 40 | TUBE |
UCC21222-Q1 的特性
- 通用：双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度 1 级
- 器件 HBM ESD 分类等级 H2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 结温范围：–40°C 至 150°C
- 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流输出
- 共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 125V/ns
- 高达 25V 的 VDD 输出驱动电源
- 8V VDD UVLO
- 开关参数：
- 33ns 典型传播延迟
- 5ns 最大脉宽失真
- 10µs 最大 VDD 上电延迟
- 针对所有电源的 UVLO 保护
- 可针对电源时序快速禁用
UCC21222-Q1 的说明
UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。
UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配性能允许并联两个输出，能够在重负载条件下将驱动强度提高一倍，而无内部击穿风险。
输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 125V/ns。
可通过电阻器进行编程的死区时间帮助您调整系统限制的死区时间，从而提高效率并防止输出重叠。其他保护特性包括：当 DIS 设置为高电平时，通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。