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Isolation rating (Vrms) 3750 FET Internal Number of channels (#) 1 Supply voltage (Min) (V) 4.5 Supply voltage (Max) (V) 20 Load voltage (V) 1200 Imax (A) 0.05 Features 2-mA avalanche current, Capacitive isolation Turn on time (enable) (ns) 70000 Turn off time (disable) (ns) 100000 OFF-state leakage current (µA) 3.5 Rating Automotive
Isolation rating (Vrms) 3750 FET Internal Number of channels (#) 1 Supply voltage (Min) (V) 4.5 Supply voltage (Max) (V) 20 Load voltage (V) 1200 Imax (A) 0.05 Features 2-mA avalanche current, Capacitive isolation Turn on time (enable) (ns) 70000 Turn off time (disable) (ns) 100000 OFF-state leakage current (µA) 3.5 Rating Automotive
  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1:–40°C 至 125°C 的工作环境温度范围
  • 具有 2 mA 雪崩额定值的集成式 MOSFET , TPSI2140T-Q1 版本可高达 5 mA
    • 1400V 关断电压
    • RON = 130Ω (TJ = 25°C)
    • TON,TOFF < 350 µs
  • 低初级侧电源电流
    • 7.5 mA 导通状态电流
    • 6 µA 关断状态电流
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 在 1000VRMS/1414VDC 工作电压下预计寿命超过 26 年
    • 隔离额定值 VISO 高达 3750VRMS/5300VDC
    • 峰值浪涌 VIOSM 高达 6000V
    • ± 100 V/ns CMTI(典型值)
  • 采用具有宽引脚的 SOIC (DWQ-11) 封装,提高了热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm(初级-次级)
    • 爬电距离和间隙 ≥ 6mm(开关端子之间)
  • 安全相关认证
    • (计划)DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • (计划)UL 1577 组件认证计划
  • 符合汽车应用要求
    • AEC-Q100 等级 1:–40°C 至 125°C 的工作环境温度范围
  • 具有 2 mA 雪崩额定值的集成式 MOSFET , TPSI2140T-Q1 版本可高达 5 mA
    • 1400V 关断电压
    • RON = 130Ω (TJ = 25°C)
    • TON,TOFF < 350 µs
  • 低初级侧电源电流
    • 7.5 mA 导通状态电流
    • 6 µA 关断状态电流
  • 稳健可靠的隔离栅:
    • 在 1000VRMS/1414VDC 工作电压下预计寿命超过 26 年
    • 隔离额定值 VISO 高达 3750VRMS/5300VDC
    • 峰值浪涌 VIOSM 高达 6000V
    • ± 100 V/ns CMTI(典型值)
  • 采用具有宽引脚的 SOIC (DWQ-11) 封装,提高了热性能
    • 爬电距离和间隙 ≥ 8mm(初级-次级)
    • 爬电距离和间隙 ≥ 6mm(开关端子之间)
  • 安全相关认证
    • (计划)DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • (计划)UL 1577 组件认证计划

TPSI2140-Q1 是一款 隔离式固态继电器,专为高电压汽车和工业应用而设计。 TPSI2140-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起,形成了一款完全集成式解决方案,无需次级侧电源。

该器件的整个初级侧仅需 7.5mA 的输入电流,支持用户从单个微控制器 GPIO 驱动 VDD 和 EN 引脚,无需光继电器解决方案中的外部低侧开关。此外,用户还可以选择将 VDD 引脚连接到 5V 至 20V 的系统电源并从 GPIO 驱动 EN 引脚。EN 引脚处于失效防护状态,防止 VDD 电源发生反向供电。

次级侧都包含背对背 MOSFET,从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.4kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其可以通过系统级高压 (HiPot) 筛选,并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。 TPSI2140T-Q1 器件版本具有 TI 的热雪崩保护 (TAP) 功能,可支持高达 5mA 的雪崩电流。

TPSI2140-Q1 是一款 隔离式固态继电器,专为高电压汽车和工业应用而设计。 TPSI2140-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起,形成了一款完全集成式解决方案,无需次级侧电源。

该器件的整个初级侧仅需 7.5mA 的输入电流,支持用户从单个微控制器 GPIO 驱动 VDD 和 EN 引脚,无需光继电器解决方案中的外部低侧开关。此外,用户还可以选择将 VDD 引脚连接到 5V 至 20V 的系统电源并从 GPIO 驱动 EN 引脚。EN 引脚处于失效防护状态,防止 VDD 电源发生反向供电。

次级侧都包含背对背 MOSFET,从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.4kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其可以通过系统级高压 (HiPot) 筛选,并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。 TPSI2140T-Q1 器件版本具有 TI 的热雪崩保护 (TAP) 功能,可支持高达 5mA 的雪崩电流。

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类型 项目标题 下载最新的英语版本 日期
* 数据表 TPSI2140-Q1 具有 2 mA 雪崩额定值的 1400V、50 mA 汽车类隔离开关 数据表 PDF | HTML 下载最新的英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 2022年 4月 13日
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技术文章 How to achieve higher-reliability isolation and a smaller solution size with solid-state relays 2022年 5月 9日
用户指南 TPSI2140-Q1 EVM 用户指南 PDF | HTML 下载英文版本 PDF | HTML 2022年 4月 18日
证书 TPSI2140Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) 2022年 4月 5日

设计和开发

如需其他信息或资源,请查看下方列表,点击标题即可进入详情页面。

评估板

TPSI2140Q1EVM — 适用于具有 2mA 雪崩额定值,1200V、50mA 隔离开关的 TPSI2140-Q1 评估模块

TPSI2140Q1EVM 评估模块是包含多个测试点和跳线的两铜层板,用于全面评估器件的功能。

用户指南: PDF | HTML
下载英文版本: PDF | HTML
TI.com 上无现货
模拟工具

CMSO-3P-BCS — comemso 电池电芯仿真器

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PSPICE-FOR-TI — 适用于 TI 设计和模拟工具的 PSpice®

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TIDA-010232 — 高压电动汽车充电和太阳能中的绝缘监测 AFE 参考设计

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设计指南: PDF
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TIDA-01513 — 汽车类高电压和隔离泄漏测量参考设计

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设计指南: PDF
原理图: PDF
封装 引脚数 下载
(DWQ) 11 了解详情

订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

推荐产品可能包含与 TI 此产品相关的参数、评估模块或参考设计。

支持与培训

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