TPSI2140-Q1
- 符合汽车应用要求
- AEC-Q100 等级 1:–40°C 至 125°C 的工作环境温度范围
- 集成雪崩额定 MOSFET
- 旨在并符合在过压条件下以雪崩模式运行的标准
- IAVA = 2mA(5s 脉冲),1mA(60s 脉冲)
- 1200V 关断电压
- RON = 130Ω (TJ = 25°C)
- TON,TOFF < 700µs
- 旨在并符合在过压条件下以雪崩模式运行的标准
- 低初级侧电源电流
- 9mA 导通状态电流
- 3.5 µA 关断状态电流
- 功能安全型
- 可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 辅助设计的文档
- 稳健可靠的隔离栅:
- 在 1000VRMS/1500VDC 工作电压下预计寿命超过 26 年
- 隔离额定值 VISO 高达 3750VRMS/5300VDC
- 峰值浪涌 VIOSM 高达 5000V
- ± 100 V/ns CMTI(典型值)
- 采用具有宽引脚的 SOIC (DWQ-11) 封装,提高了热性能
- 爬电距离和间隙 ≥ 8mm(初级-次级)
- 爬电距离和间隙 ≥ 6mm(开关端子之间)
- 安全相关认证
- (计划)DIN VDE V 0884-11:2017-01
- (计划)UL 1577 组件认证计划
TPSI2140-Q1 是一款 隔离式固态继电器,专为高电压汽车和工业应用而设计。 TPSI2140-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起,形成了一款完全集成式解决方案,无需次级侧电源。
该器件的整个初级侧仅需 9 mA 的输入电流,支持用户从单个微控制器 GPIO 驱动 VDD 和 EN 引脚,无需光继电器解决方案中的外部低侧开关。此外,用户还可以选择将 VDD 引脚连接到 5V 至 20V 的系统电源并从 GPIO 驱动 EN 引脚。EN 引脚处于失效防护状态,防止 VDD 电源发生反向供电。
次级侧都包含背对背 MOSFET,从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.2 kV。 TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其可以通过系统级高压 (HiPot) 筛选,并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。
技术文档
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查看全部 6 类型 | 项目标题 | 下载最新的英语版本 | 日期 | |||
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* | 数据表 | TPSI2140-Q1 具有 2mA 雪崩额定值的 1200V、50mA 汽车类隔离开关 数据表 (Rev. A) | PDF | HTML | 下载英文版本 (Rev.A) | PDF | HTML | 2023年 2月 6日 |
更多文献资料 | When to use SSR or Isolated Gate Driver | PDF | HTML | 2022年 8月 4日 | |||
技术文章 | How to design high-voltage systems with higher reliability while reducing solution size and cost | 2022年 6月 8日 | ||||
技术文章 | How to achieve higher-reliability isolation and a smaller solution size with solid-state relays | 2022年 5月 9日 | ||||
用户指南 | TPSI2140-Q1 EVM 用户指南 | PDF | HTML | 下载英文版本 | PDF | HTML | 2022年 4月 18日 | |
证书 | TPSI2140Q1EVM EU RoHS Declaration of Conformity (DoC) (Rev. A) | 2022年 4月 5日 |
设计和开发
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模拟工具
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参考设计
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此参考设计采用基于电桥的直流绝缘监测 (DC-IM) 方法,可实现精确的对称和非对称绝缘漏电检测机制,以及隔离电阻检测机制。我们推出了新一代隔离放大器和开关,无需热侧外部电源即可实现隔离。因此,MCU 可以从冷侧为隔离器件供电。绝缘监测诊断可直接由功率转换或充电协议 MCU 控制。
设计指南: PDF
参考设计
TIDA-01513 — 汽车类高电压和隔离泄漏测量参考设计
此参考设计功能旨在监控高压总线到机箱接地的隔离电阻。由于电池管理系统、牵引逆变器、直流/直流转换器、车载充电器和其他子系统在高电压(大于 60V)下运行,监控耦合器件和组件到机箱接地的高电压隔离能力是 HEV 和 EV 的必备功能。
封装 | 引脚数 | 下载 |
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SOIC (DWQ) | 11 | 了解详情 |
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