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线性和低压降 (LDO) 稳压器

TPS7H1101A-SP

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耐辐射 QMLV、1.5V 至 7V 输入、3A 低噪声可调低压降 (LDO) 稳压器

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产品详情

Rating Space Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 1.5 Iout (max) (A) 3 Output options Adjustable Output, Fixed Output Vout (max) (V) 6.65 Vout (min) (V) 0.8 Noise (µVrms) 20 PSRR at 100 KHz (dB) 25 Iq (typ) (mA) 7 Features Adjustable current limit, Current sense, Enable, Power good, Soft start Thermal resistance θJA (°C/W) 75.4 Load capacitance (min) (µF) 22 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 210 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 85 Radiation, TID (typ) (krad) 100
Rating Space Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 1.5 Iout (max) (A) 3 Output options Adjustable Output, Fixed Output Vout (max) (V) 6.65 Vout (min) (V) 0.8 Noise (µVrms) 20 PSRR at 100 KHz (dB) 25 Iq (typ) (mA) 7 Features Adjustable current limit, Current sense, Enable, Power good, Soft start Thermal resistance θJA (°C/W) 75.4 Load capacitance (min) (µF) 22 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 2 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 210 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 85 Radiation, TID (typ) (krad) 100
CFP (HKR) 16 105.6 mm² 11 x 9.6 DIESALE (KGD) — See data sheet
  • 5962R13202：
    • 耐辐射保障 (RHA)：高达 100krad (Si) TID
    • 电离辐射总剂量：100krad (Si)
    • 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS)：100krad (Si)
    • 剂量率：10 mrad (Si)/s
    • 单粒子锁定 (SEL) 对于
      LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
    • SEB 和 SEGR 对于
      LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
    • SET/SEFI 起始阈值大于 40MeV-cm2/mg，详情请参阅辐射报告(SNAA257)
      • 专为降低干扰而设计，以避免损坏重要的下行组件
    • 有关 SET/SEFI 横截面图的详细信息，请参阅辐射报告 (SNAA257)
  • 超低输入电压范围：1.5V 至 7V
  • 3A 最大输出电流
  • 共流/并行运行以提供高达 6A 的输出电流
  • 与陶瓷输出电容一起工作时保持稳定
  • 线路、负载和温度范围内的精度为 ±2%
  • 通过外部电容器进行可编程的软启动
  • 所有输入电压具有输入使能，且具有电源正常输出，可进行电源定序
  • 超低压降 LDO 电压：
    1A (25°C)、VOUT = 1.8V 时为 62mV
  • 低噪声：
    VIN = 2V、VOUT = 1.8 V、电流为 3A 时为20.33µVRMS
  • 电源抑制比 (PSRR)：1kHz 频率下超过 45dB
  • 出色的负载/线路瞬态响应
  • 折返电流限制
  • 请参阅“工具和软件”选项卡
  • 耐热增强型 CFP 封装 (0.6°C/W RθJC)
  • 5962R13202：
    • 耐辐射保障 (RHA)：高达 100krad (Si) TID
    • 电离辐射总剂量：100krad (Si)
    • 无低剂量率辐射损伤增强 (ELDRS)：100krad (Si)
    • 剂量率：10 mrad (Si)/s
    • 单粒子锁定 (SEL) 对于
      LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
    • SEB 和 SEGR 对于
      LET 的抗扰度 = 85MeV-cm2/mg
    • SET/SEFI 起始阈值大于 40MeV-cm2/mg，详情请参阅辐射报告(SNAA257)
      • 专为降低干扰而设计，以避免损坏重要的下行组件
    • 有关 SET/SEFI 横截面图的详细信息，请参阅辐射报告 (SNAA257)
  • 超低输入电压范围：1.5V 至 7V
  • 3A 最大输出电流
  • 共流/并行运行以提供高达 6A 的输出电流
  • 与陶瓷输出电容一起工作时保持稳定
  • 线路、负载和温度范围内的精度为 ±2%
  • 通过外部电容器进行可编程的软启动
  • 所有输入电压具有输入使能，且具有电源正常输出，可进行电源定序
  • 超低压降 LDO 电压：
    1A (25°C)、VOUT = 1.8V 时为 62mV
  • 低噪声：
    VIN = 2V、VOUT = 1.8 V、电流为 3A 时为20.33µVRMS
  • 电源抑制比 (PSRR)：1kHz 频率下超过 45dB
  • 出色的负载/线路瞬态响应
  • 折返电流限制
  • 请参阅“工具和软件”选项卡
  • 耐热增强型 CFP 封装 (0.6°C/W RθJC)

TPS7H1101A-SP 是 TPS7H1101-SP 的改进版，允许在整个输入电压范围内使用使能特性。它是一款使用 PMOS 导通元件配置的耐辐射 LDO 线性稳压器。它可在 1.5V 至 7V 的宽输入电压范围内运行，同时提供出色的 PSRR。TPS7H1101A-SP 通过 极宽的调节范围实现了精确的可编程折返电流限值功能。为了满足 FPGA、DSP 或微控制器的复杂电源要求，TPS7H1101A-SP 提供了启用开/关功能、可编程软启动、共流能力和一个电源正常开漏输出。

TPS7H1101A-SP 是 TPS7H1101-SP 的改进版，允许在整个输入电压范围内使用使能特性。它是一款使用 PMOS 导通元件配置的耐辐射 LDO 线性稳压器。它可在 1.5V 至 7V 的宽输入电压范围内运行，同时提供出色的 PSRR。TPS7H1101A-SP 通过 极宽的调节范围实现了精确的可编程折返电流限值功能。为了满足 FPGA、DSP 或微控制器的复杂电源要求，TPS7H1101A-SP 提供了启用开/关功能、可编程软启动、共流能力和一个电源正常开漏输出。
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